公开(公告)号：KR101097323B1

公开(公告)日：2011-12-23

申请号：KR1020090128331

申请日：2009-12-21

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김광해 ,  김무진

IPC: H01L21/324 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 결정화방법, 박막트랜지스터제조방법및 표시장치제조방법에서, 기판상에비정질실리콘층을형성하는단계, 상기비정질실리콘층상에니켈입자를형성하는단계, 상기비정질실리콘층에대하여 280℃내지 330℃의상대적저온에서의열처리를통해상기니켈입자를확산시키는단계및 상기비정질실리콘층에레이저를조사하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR101094294B1

公开(公告)日：2011-12-19

申请号：KR1020090111108

申请日：2009-11-17

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김광해 ,  김무진

IPC: H01L51/56 ,  H01L21/324 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/3262

Abstract: 유기 발광 표시 장치 제조 방법에서, 유기 발광 표시 장치를 제조하기 위해 비정질 규소막을 형성한다. 그리고 비정질 규소막을 열처리하여 미세결정 규소막을 형성한다. 이어서 미세결정 규소막에 폭방향으로 일부 중첩되도록 선형의 레이저빔을 두 번 이상 스캔 조사하여 다결정 규소막을 형성한다. 따라서, 엑시머 레이저 어닐링 방법을 사용하면서도 다결정 규소막의 결정립을 균일하게 형성할 수 있다.
다결정 규소막, 결정화, 엑시머 레이저, 열처리, 박막 트랜지스터, 캐패시터, 유기 발광 표시 장치 제조 방법

公开(公告)号：KR101015847B1

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：KR1020080005729

申请日：2008-01-18

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김무진 ,  김경보 ,  이기용 ,  윤한희

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/66757

Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터의 특성을 향상시킬 수 있는 박막트랜지스터와 그 제조방법 및 이를 구비한 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하고, 채널 영역 및 소스/드레인 영역을 포함하며, 상기 채널 영역에 불순물이 도핑된 반도체층; 상기 반도체층 상에 위치하며, 상기 반도체층 상에 위치하는 열산화막; 상기 열산화막 상에 위치하는 실리콘 질화막; 상기 실리콘 질화막 상에 위치하며, 상기 반도체층의 상기 채널 영역에 대응되게 위치하는 게이트 전극; 상기 기판 전면에 위치하는 층간 절연막; 및 상기 반도체층에 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하고, 상기 열산화막을 형성하는 열처리에 의해 상기 불순물의 이온들이 활성화되는 것을 특징으로 한다.
박막트랜지스터, 열산화막

公开(公告)号：KR1020090079619A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：KR1020080005729

申请日：2008-01-18

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김무진 ,  김경보 ,  이기용 ,  윤한희

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/324

Abstract: A thin film transistor, a manufacturing method thereof, and an organic light emitting diode display device including the same are provided to obtain a transistor having excellent electrical characteristics by simplifying a manufacturing process thereof. A thin film transistor includes a substrate(200), a semiconductor layer(203), a thermal oxide layer(210), a silicon nitride layer(211), a gate electrode(212), an interlayer dielectric(213), and source/drain electrodes(214a, 215b). The semiconductor layer is positioned on the substrate. The semiconductor layer includes a channel region(206) and source/drain regions(204,205). The channel region is doped with an impurity. The thermal oxide layer is positioned on the semiconductor layer. The silicon nitride layer is positioned on the thermal oxide layer. The gate electrode is positioned on the silicon nitride layer. The gate electrode is positioned at a position corresponding to a constant region of the semiconductor layer. The interlayer dielectric is positioned on a front surface of the substrate. The source/drain electrodes are electrically connected with the semiconductor layer.

Abstract translation: 提供薄膜晶体管及其制造方法以及包含该薄膜晶体管的有机发光二极管显示装置，以通过简化其制造工艺来获得具有优异电特性的晶体管。 薄膜晶体管包括衬底（200），半导体层（203），热氧化物层（210），氮化硅层（211），栅电极（212），层间电介质（213）和源极 /漏电极（214a，215b）。 半导体层位于基板上。 半导体层包括沟道区（206）和源/漏区（204,205）。 沟道区掺杂有杂质。 热氧化层位于半导体层上。 氮化硅层位于热氧化物层上。 栅电极位于氮化硅层上。 栅电极位于对应于半导体层的恒定区的位置。 层间电介质位于基板的前表面上。 源极/漏极电极与半导体层电连接。

公开(公告)号：KR1020080105617A

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：KR1020070053415

申请日：2007-05-31

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박용우 ,  김경보 ,  김무진

IPC: C23C16/50

CPC classification number: C23C16/4401 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32697

Abstract: A static electricity inducing portion is arranged to the film forming area outer ring of the PECVD apparatus and performing apparatus including the gas inlet and the gas discharge portion which each other is faced. In that way the performing apparatus and the PECVD apparatus decreasing the micro particle number of the inside of chamber of apparatuses are provided. A chemical vapor deposition apparatus and plasma enhanced chemical vapor deposition device comprises a chamber(110); a gas inlet(120) injecting the gas into the inside of chamber; a gas discharge portion(130) which is faced with the gas inlet and is arranged, and ejects the gas to the chamber outside; a deposition part(140) including the film forming area which is arranged between the gas inlet and gas discharge portion, and in which film is formed from the gas; and a static electricity inducing portion(150) connected to voltage sources(153a, 153b) insulated with the chamber.

Abstract translation: 在PECVD装置的成膜区域外圈设置有静电诱导部分，并且包括彼此面对的气体入口和气体排出部分的执行装置。 以这种方式，提供了降低设备室内部的微粒数的执行装置和PECVD装置。 化学气相沉积装置和等离子体增强化学气相沉积装置包括腔室（110）; 气体入口（120），其将气体注入室内; 气体排出部分（130），其面对气体入口并被布置，并将气体喷射到室外; 沉积部分（140），其包括设置在气体入口和气体排出部分之间的成膜区域，并且其中由气体形成膜; 以及连接到与所述室绝缘的电压源（153a，153b）的静电诱导部分（150）。

公开(公告)号：KR101009646B1

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：KR1020070077396

申请日：2007-08-01

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김무진 ,  김철수 ,  이기용 ,  김경보

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/66757

Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터는, 기판 상에 형성된 액티브층과 게이트 전극을 절연시키는 제1 게이트 절연막 및 제2 게이트 절연막을 포함하고, 제1 게이트 절연막의 두께(T
1 ) 및 제2 게이트 절연막의 두께(T
2 )는 하기 조건을 만족한다.
200Å ≤ T
1 ≤ 400Å, 및
200Å ≤ T
2 ≤ 400Å
박막 트랜지스터, 비정질 실리콘, 폴리 실리콘, 결정화

公开(公告)号：KR100987381B1

公开(公告)日：2010-10-12

申请号：KR1020080069303

申请日：2008-07-16

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김영대 ,  김경보 ,  김무진 ,  김철수 ,  김혜동 ,  임기주 ,  박용성 ,  김건식 ,  오준식 ,  장형욱 ,  김상욱

IPC: H05B33/04 ,  H01L31/10 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3244 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0421 ,  H01L27/3227 ,  H01L27/323

Abstract: 본 발명은 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 터치 패널 기능을 가진 유기 발광 디스플레이 장치에 있어서 포토 센서의 수광 효율이 향상된 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판; 상기 기판상에 배치되는 디스플레이부; 상기 디스플레이부 상부에 배치되는 봉지 기판; 상기 기판의 적어도 어느 일 측에 형성되는 반사층; 및 상기 반사층과 상기 봉지 기판 사이에 개재되고, 상기 봉지 기판을 통해 입사되는 빛을 검출하는 포토 센서를 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020110101774A

公开(公告)日：2011-09-16

申请号：KR1020100021017

申请日：2010-03-09

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박용환 ,  이재섭 ,  김무진 ,  표영신 ,  서상준 ,  민훈기 ,  진동언

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1292 ,  H01L2251/566 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32 ,  H01L51/5237 ,  H01L2251/56

Abstract: 박막 트랜지스터 등을 구비한 디스플레이부의 커팅(cutting)이 용이한 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법을 제공하기 위하여, 본 발명은 복수 개의 함몰부들이 형성된 제1 기판을 구비하는 단계; 상기 각각의 함몰부 내에 제1 플라스틱 필름을 형성하는 단계; 상기 각각의 제1 플라스틱 필름상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 각각의 박막 트랜지스터 상에 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 디스플레이 소자를 형성하는 단계; 상기 디스플레이 소자 상부를 봉지(encapsulation) 하는 단계; 상기 제1 기판을 커팅(cutting) 하는 단계; 및 상기 제1 기판을 상기 제1 플라스틱 필름으로부터 분리시키는 단계;를 포함하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020110071700A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：KR1020090128331

申请日：2009-12-21

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김광해 ,  김무진

IPC: H01L21/324 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L27/1214

Abstract: PURPOSE: A crystallization method, method of manufacturing a thin film transistor and method of manufacturing a display device are provided to reduce leakage current by optimally the concentration of nickel functioned as a crystallized seed. CONSTITUTION: In a crystallization method, method of manufacturing a thin film transistor and method of manufacturing a display device, a buffer layer(103) is formed on a substrate(101). A reserved amorphous silicon layer(104) is formed on the buffer layer. Nickel particles(105a) are formed on the reserved amorphous silicon layer. The reserved amorphous silicon layer is changed into an amorphous silicon layer. Laser is projected on the amorphous silicon layer.

Abstract translation: 目的：提供一种结晶方法，制造薄膜晶体管的方法和制造显示装置的方法，以通过最佳地作为结晶晶种起作用的镍的浓度来减少漏电流。 构成：在结晶方法中，制造薄膜晶体管的方法和制造显示装置的方法，在基板（101）上形成缓冲层（103）。 在缓冲层上形成保留的非晶硅层（104）。 在保留的非晶硅层上形成镍颗粒（105a）。 保留的非晶硅层变成非晶硅层。 激光投射在非晶硅层上。

公开(公告)号：KR1020110054466A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020090111108

申请日：2009-11-17

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김광해 ,  김무진

IPC: H01L51/56 ,  H01L21/324 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/3262

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an organic light emitting display device is provided to form a polycrystal silicon layer with uniform crystal grain by removing the deviation of a property between a single irradiation area and a double irradiation area. CONSTITUTION: A buffer layer is formed on a substrate body. An amorphous silicon layer is formed on the buffer layer(S101). A micro crystal silicon layer is formed by thermally processing an amorphous silicon layer(S102). A polycrystal silicon layer is formed by scanning linear laser beams to be overlapped on the micro crystal silicon layer in a width direction twice or more times(S103).

Abstract translation: 目的：提供一种制造有机发光显示装置的方法，通过消除单个照射区域和双重照射区域之间的特性的偏差来形成具有均匀晶粒的多晶硅层。 构成：在基体上形成缓冲层。 在缓冲层上形成非晶硅层（S101）。 通过热处理非晶硅层形成微晶硅层（S102）。 通过扫描在宽度方向上重叠在微晶硅层上的线性激光束两次以上来形成多晶硅层（S103）。