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公开(公告)号：KR100826412B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020060108553
申请日：2006-11-03
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: A nitride semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the same are provided to minimize deformation and thermal damage of a light emitting structure in a substrate separation process. A light emitting structure(22) is formed by growing sequentially a first conductive type nitride layer, an active layer, and a second conductive type nitride layer on a preliminary substrate(21) for growing a single crystalline nitride. The light emitting structure is separated according to a size of a final light emitting element of the light emitting structure. A conductive substrate(24) is formed on the light emitting structure. A bottom surface of the light emitting structure is polished to reduce a thickness of the preliminary substrate. A concavo-convex part is formed by processing the preliminary substrate. The preliminary substrate is selectively removed to expose a part of the first conductive type nitride layer. An electrode(25) is formed on the exposed region of the first conductive nitride layer.
Abstract translation: 提供氮化物半导体发光器件及其制造方法，以最小化衬底分离工艺中发光结构的变形和热损伤。 通过在用于生长单晶氮化物的预备衬底（21）上依次生长第一导电氮化物层，有源层和第二导电氮化物层来形成发光结构（22）。 发光结构根据发光结构的最终发光元件的尺寸分离。 导电衬底（24）形成在发光结构上。 抛光发光结构的底表面以减小初步衬底的厚度。 通过处理预备衬底形成凹凸部。 选择性地去除初始衬底以暴露第一导电氮化物层的一部分。 在第一导电氮化物层的暴露区域上形成电极（25）。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020080041794A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：KR1020060109842
申请日：2006-11-08
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00014
Abstract: A light emitting diode package is provided to reflect a part of the light absorbed to a molding material through the inner wall of a trench and obtain high brightness by including at least one trench in the surface of a leadframe received in a package. At least a pair of lead terminals(130a,130b) are formed in a leadframe(130). A part of the leadframe is received in a package(120) having a emission window that is opened to emit light. An LED chip(140) is mounted on the leadframe positioned in the package. The LED chip is electrically connected to the leadframe by an electrode connection part. A molding material(160) is filled in the package. The leadframe is received in the surface in contact with the package and in the package, having at least one trench(200) formed on the surface on which the LED chip is mounted. The electrode connection part can be made of conductive adhesive(145) or wire(150) for electrically connecting the LED chip and the lead terminal. The conductive adhesive can be made of a conductive material or silver.
Abstract translation: 提供发光二极管封装以通过沟槽的内壁反射吸收到模制材料的光的一部分，并且通过在接收在封装中的引线框的表面中包括至少一个沟槽来获得高亮度。 至少一对引线端子（130a，130b）形成在引线框架（130）中。 引线框架的一部分被接收在具有打开以发光的发射窗口的封装（120）中。 LED芯片（140）安装在位于封装中的引线框架上。 LED芯片通过电极连接部电连接到引线框架。 成型材料（160）填充在包装中。 引线框架被接收在与封装件和封装件接触的表面中，其具有形成在其上安装有LED芯片的表面上的至少一个沟槽（200）。 电极连接部分可以由用于电连接LED芯片和引线端子的导电粘合剂（145）或导线（150）制成。 导电粘合剂可以由导电材料或银制成。
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公开(公告)号：KR100764449B1
公开(公告)日：2007-10-05
申请号：KR1020060103419
申请日：2006-10-24
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: A light emitting device package is provided to reduce the failure in operation and to improve the reliability by preventing the penetration of moisture through a crack at an interface between a package body and a lead frame using a convexo-concave type portion. A light emitting device package(30) includes a package body portion, first and second lead frames and an LED chip. The package body portion(32) includes a recess portion(31) used as a mounting region. The package body portion is made of resin. The first and the second lead frames(33,34) are attached the package body portion at a bottom of the recess portion. The first and second lead frames contact the package body portion. A contact surface between the package body portion and the first and the second lead frames has a convexo-concave portion. The LED chip(35) includes first and second electrodes. The LED chip is mounted on the first lead frame, wherein the first and the second electrodes are electrically connected to the first and the second lead frames.
Abstract translation: 提供了一种发光器件封装，以减少操作失败并且通过防止水分穿过包封体和引线框架之间的界面处的裂纹而使用凸凹型部分来提高可靠性。 发光器件封装（30）包括封装主体部分，第一引线框架和第二引线框架以及LED芯片。 包装体部分（32）包括用作安装区域的凹部（31）。 包装体部分由树脂制成。 第一引线框架和第二引线框架（33,34）在封装主体部分附接在凹部的底部。 第一和第二引线框架与封装主体部分接触。 封装主体部分与第一引线框架和第二引线框架之间的接触表面具有凸凹部分。 LED芯片（35）包括第一和第二电极。 LED芯片安装在第一引线框架上，其中第一和第二电极电连接到第一引线框架和第二引线框架。
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公开(公告)号：KR100730082B1
公开(公告)日：2007-06-19
申请号：KR1020050097412
申请日：2005-10-17
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/38
Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 특히, 기판과, 상기 기판 상에 형성되어 있는 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성되어 있는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있는 전류확산층과, 상기 전류확산층 상에 두 개의 p형 가지 전극을 가지고 형성되어 있는 p형 전극 및 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상에 한 개의 n형 가지 전극을 가지고 형성되어 있는 n형 전극을 포함하고, 상기 n형 가지 전극은 상기 두 개의 p형 가지 전극 사이에 삽입된 구조로 형성되어 있으며, 상기 n형 전극과 인접한 투명전극의 최외각 변으로부터 그와 인접한 p형 전극까지의 거리가 동일한 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물, 반도체, p형 전극, 전류확산, 구동전압Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物系半导体发光元件，特别是，在基板和形成在基板，其上的预定的n型氮化物半导体层区形成的有源层，在有源层上的n型氮化物半导体层 和形成在p型氮化物半导体层，形成在层，p型电极的p型氮化物半导体和电流扩散层和形成在有源层具有上形成电流扩散层的两个p型分支电极 包括：在所述氮化物没有n型的n型电极与所述半导体层上的单个n型分支电极形成不是，并且具有n型分支电极在两个p型分支电极之间的结构形成， 其中从与n型电极相邻的透明电极的最外边缘到与其相邻的p型电极的距离相同。 它提供了设备。
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公开(公告)号：KR1020070041847A
公开(公告)日：2007-04-20
申请号：KR1020050097412
申请日：2005-10-17
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/38
Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 특히, 기판과, 상기 기판 상에 형성되어 있는 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성되어 있는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있는 전류확산층과, 상기 전류확산층 상에 두 개의 p형 가지 전극을 가지고 형성되어 있는 p형 전극 및 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상에 한 개의 n형 가지 전극을 가지고 형성되어 있는 n형 전극을 포함하고, 상기 n형 가지 전극은 상기 두 개의 p형 가지 전극 사이에 삽입된 구조로 형성되어 있으며, 상기 n형 전극과 인접한 투명전극의 최외각 변으로부터 그와 인접한 p형 전극까지의 거리가 동일한 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물, 반도체, p형 전극, 전류확산, 구동전압
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