반도체 패키지 모듈
    3.
    发明公开
    반도체 패키지 모듈 有权
    半导体封装模块

    公开(公告)号:KR1020130121402A

    公开(公告)日:2013-11-06

    申请号:KR1020120044568

    申请日:2012-04-27

    Inventor: 하욥

    Abstract: The present invention provides a semiconductor package module comprising a circuit board with a connection pad on one surface, a semiconductor package with a lead terminal protruding to the outside of a housing; a body disposed between the circuit board and the semiconductor package and separating the circuit board and the semiconductor package; and an interposer with an elastic member in contact with the lead terminal.

    Abstract translation: 本发明提供一种半导体封装模块,其包括在一个表面上具有连接焊盘的电路板,具有突出到外壳外部的引线端子的半导体封装; 设置在所述电路板和所述半导体封装之间并且分离所述电路板和所述半导体封装的主体; 以及具有与引线端子接触的弹性构件的插入件。

    웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법
    4.
    发明授权
    웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법 有权
    晶圆级封装及制造方法相同

    公开(公告)号:KR100878933B1

    公开(公告)日:2009-01-19

    申请号:KR1020070063216

    申请日:2007-06-26

    CPC classification number: H01L2224/16225

    Abstract: 본 발명은 빛의 투과를 차단할 수 있는 물질 위에 라벨을 마킹함으로써 라벨 마킹 시 자외선 또는 레이저에 의한 회로패턴의 손상을 방지하여 웨이퍼 레벨 패키지의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
    라벨 마킹, SAW, WLP, 에어 캐비티

    반도체 패키지
    5.
    发明授权
    반도체 패키지 有权
    半导体封装

    公开(公告)号:KR101388815B1

    公开(公告)日:2014-04-23

    申请号:KR1020120070565

    申请日:2012-06-29

    Inventor: 하욥

    Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지는 일면에 적어도 하나의 전자 부품이 실장되는 내부 리드; 상기 내부 리드의 하측에 배치되는 히트 싱크; 상기 전자 부품을 포함하여 상기 내부 리드 및 상기 히트 싱크를 밀봉하는 몰드부; 상기 내부 리드에서 연장되고, 상기 몰드부의 외측으로 돌출되는 외부 리드; 상기 히트 싱크 및 상기 몰드부의 일면에 부착되는 방열 부재; 및 상기 외부 리드의 표면에 형성되는 절연 피막; 을 포함할 수 있다.

    Abstract translation: 根据本发明的一个方面,提供了一种半导体封装,包括:内引线,其具有安装在其一个表面上的至少一个电子部件; 设置在内引线下方的散热器; 包括用于密封内部引线和散热器的电子部件的模具部件; 外部引线,从内部引线延伸并突出到模具部分的外部; 散热构件,附着到散热器和模具部件的一侧; 并且在外引线的表面上形成绝缘膜; 。“

    반도체 패키지
    7.
    发明公开
    반도체 패키지 失效
    半导体器件封装

    公开(公告)号:KR1020130063832A

    公开(公告)日:2013-06-17

    申请号:KR1020110130415

    申请日:2011-12-07

    Inventor: 하욥

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor device package is provided to improve heat dissipation by using a heat radiation plate formed in the upper and the lower part of a housing. CONSTITUTION: A first line pattern is formed on the surface of a first substrate(110). A first semiconductor device(141) is mounted on the upper part of the first substrate. The first line pattern is formed on the surface of a second substrate(120). A third semiconductor device(143) is mounted on the upper part of the first semiconductor device. A first heat radiation plate(191) and a second heat radiation plate(192) are formed in the lower part(151) and the upper part(152) of the housing respectively.

    Abstract translation: 目的:提供半导体器件封装,以通过使用形成在壳体的上部和下部的散热板来改善散热。 构成:在第一基板(110)的表面上形成第一线图案。 第一半导体器件(141)安装在第一衬底的上部。 第一线图案形成在第二基板(120)的表面上。 第三半导体器件(143)安装在第一半导体器件的上部。 第一散热板(191)和第二散热板(192)分别形成在壳体的下部(151)和上部(152)中。

    웨이퍼 레벨 패키지 및 그 패키징 방법
    8.
    发明公开
    웨이퍼 레벨 패키지 및 그 패키징 방법 失效
    WAFER LEVEL PACKAGE和WAFER LEVEL PACKAGING的方法

    公开(公告)号:KR1020080101256A

    公开(公告)日:2008-11-21

    申请号:KR1020070047775

    申请日:2007-05-16

    CPC classification number: H01L23/26 H01L23/055 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: The soldering process can be performed in the low temperature. The sealing junction process can be performed in the temperature lower than that of the sealing junction process using metal. The device substrate(10') includes the element area(30) including a device and the inner pad(31) electrically connected to the device. The cap substrate(20') includes the getter(40) corresponding to the device in the lower surface. A plurality of sealing junction parts(11) is disposed between the cap substrate and is contacted with the device substrate, the cap substrate. A plurality of sealing junction parts consists of the polymer material sealing the element area and the getter. A plurality of vias(60) is connected to the inner pad through the wafer for the cap substrate.

    Abstract translation: 焊接工艺可以在低温下进行。 密封接合处理可以使用金属在低于密封接合处理的温度下进行。 装置基板(10')包括包括装置的元件区域(30)和与装置电连接的内垫片(31)。 盖基板(20')包括对应于下表面中的装置的吸气剂(40)。 多个密封接合部分(11)设置在盖基板之间并与器件基板(盖基板)接触。 多个密封接合部分由密封元件区域和吸气剂的聚合物材料组成。 多个通孔(60)通过用于盖基板的晶片连接到内焊盘。

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