公开(公告)号：KR100170888B1

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：KR1019950049333

申请日：1995-12-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강기호 ,  정경수 ,  이학재 ,  김화식

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조설비의 진공 밸브에 관한 것으로, 반도체소자의 제조공정중 저압 화학기상증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)장비등 여러 가지 저압 공정장비에서 공정후 발생되는 폐기물이 배출되는 배출라인의 통로를 개폐하도록 설치된 반도체소자 제조설비의 진공 밸브에 있어서, 개폐판의 직선 왕복이동에 따라 수축 및 팽창하여 기밀이 지속적으로 유지되도록 구비한 벨로우즈가 완전수축되지 않도록 벨로우즈 수축방향으로의 개폐판 이동거리를 제한하는 스토퍼가 밸브몸체내에 설치된 구성이다.
따라서 벨로우즈의 완전수축이 방지되어 용접부위에서의 균열 및 깨짐현상이 감소되어 이로 인한 공정 폐기물의 누출이 방지되는 것이고, 공정 폐기물의 배출시 벨로우즈의 표면 및 용접부위가 노출되지 않아 벨로우즈의 수명이 연장되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020110006135A

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：KR1020090063630

申请日：2009-07-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박선이 ,  박영훈 ,  한주철 ,  정진국 ,  강기호 ,  안유진

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L28/60

Abstract: PURPOSE: A metal wiring forming method of a semiconductor device, capable of preventing the formation of a void is provided to prevent the hillock of a copper wiring due to the thermal and mechanical stresses by implementing heat process twice. CONSTITUTION: A copper layer is formed on a semiconductor substrate(S1). The copper layer is heat-treated in a first temperature(S2). The copper layer is heat-treated in a second temperature(S3). The copper wiring is formed by patterning the copper layer(S4). An anti oxidation layer is formed on the copper wiring in the third temperature(S5).

Abstract translation: 目的：提供能够防止形成空隙的半导体器件的金属布线形成方法，以通过两次实施热处理来防止由于热和机械应力引起的铜布线的小丘。 构成：在半导体衬底上形成铜层（S1）。 在第一温度（S2）中对铜层进行热处理。 在第二温度下对铜层进行热处理（S3）。 通过图案化铜层形成铜布线（S4）。 在第三温度下在铜布线上形成抗氧化层（S5）。

公开(公告)号：KR1020050038913A

公开(公告)日：2005-04-29

申请号：KR1020030074227

申请日：2003-10-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강기호

IPC: H01L21/68

Abstract: 본체의 상면에는 제1 및 제2 지지부재가 설치된다. 로딩부는 상기 본체에 설치되어 피이동체를 제1 지지부재와 제2 지지부재 사이에서 이동시킨다. 제2 지지부재로 이동된 피이동체는 반송부에 의하여 지정된 장소로 반송된다. 이 경우, 본체의 앞면에는 피이동체를 지지하기 위한 보조 지지부재가 설치된다. 복수개의 피이동체들이 반송 장치로 운반된 경우, 피이동체들은 일차적으로 보조 지지부재 상에 배치한 후, 최상부의 피이동체부터 제1 지지부재로 이동시킨다. 제1 지지부재에 배치된 피이동체는 로딩부에 의하여 제2 지지부재로 이동되고, 제2 지지부재에 배치된 피이동체는 반송부에 의하여 지정된 장소로 반송된다. 본체의 앞면에 보조 지지부재를 설치함으로써 복수개의 피이동체를 안전하게 반송시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050026270A

公开(公告)日：2005-03-15

申请号：KR1020030063289

申请日：2003-09-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강기호 ,  오혁상 ,  이정우 ,  박대근

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835

Abstract: Methods of manufacturing a semiconductor device are provided to improve the step coverage of a seed layer by forming a slant portion made of residues of an etch stop layer in a bottom of a connection hole. An etch stop layer(140) and an interlayer dielectric(150) are sequentially formed on a semiconductor substrate(100) with a lower conductive layer. A via hole(155c) for exposing partially the etch stop layer to the outside is formed in the interlayer dielectric. A portion with slant(s) is formed at lower sidewalls of the connection hole by etching selectively the exposed etch stop layer.

Abstract translation: 提供制造半导体器件的方法，以通过在连接孔的底部形成由蚀刻停止层的残留物制成的倾斜部分来改善种子层的台阶覆盖。 在具有下导电层的半导体衬底（100）上依次形成蚀刻停止层（140）和层间电介质（150）。 用于将蚀刻停止层部分暴露于外部的通孔（155c）形成在层间电介质中。 具有倾斜的部分通过选择性地蚀刻暴露的蚀刻停止层而形成在连接孔的下侧壁处。

公开(公告)号：KR1020010087938A

公开(公告)日：2001-09-26

申请号：KR1020000011823

申请日：2000-03-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강기호

IPC: H01L21/22

Abstract: PURPOSE: An intermediate carrier for a semiconductor diffusion process is provided to prevent deformation in expansion and contraction processes, by eliminating a welded portion between a quartz bar and right/left guiding members. CONSTITUTION: Respective penetration holes are formed on both corresponding side surfaces of upper and lower portions of right and left guiding members(10,20) which face each other and are separated from each other by a predetermined interval. A handle(30) is fixedly installed on the upper surface of the right and left guiding members. A quartz bar(40,50) has a protrusion in an external side end to prevent being separated, of which the both end portions are inserted into the penetration holes of the right and left guiding members, capable of sliding along the lengthwise direction. A rotational movement prevention unit prevents the rotational movement of the quartz bar.

Abstract translation: 目的：通过消除石英棒和右/左引导构件之间的焊接部分，提供用于半导体扩散处理的中间载体，以防止膨胀和收缩过程中的变形。 构成：在相互面对的左右引导构件（10,20）的上下两侧的相应侧面形成有各自的贯通孔，并以预定的间隔彼此分离。 手柄（30）固定地安装在左右引导构件的上表面上。 石英棒（40,50）在外侧端部具有突起，以防止分离，其两端部插入能够沿着长度方向滑动的左右引导构件的贯通孔。 旋转运动防止单元防止石英棒的旋转移动。

公开(公告)号：KR1019990065738A

公开(公告)日：1999-08-05

申请号：KR1019980001168

申请日：1998-01-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강기호

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조용 웨이퍼 캐리어에 관한 것이다.
본 발명에 의한 웨이퍼가 적재되는 다수의 슬롯이 형성되어 있고, 상기 슬롯이 형성되는 측면, 상기 양측면을 지지하는 에치빔 및 받침대로 이루어지는 반도체소자 제조용 웨이퍼 캐리어는 상기 캐리어의 양측면을 직각 삼각형 형태로 형성시켜 상기 에치빔이 이루는 면이 밑면이 되는 사다리꼴의 형태로 변형되어 이루어진다.
따라서, 캐리어의 양측면이 직각 삼각형 형태로 형성시켜 사다리꼴의 형태로 변형하므로써 하중이 아래로 향하게 되어 상기 캐리어의 휨을 방지하여 상기 캐리어에 장착되어 있는 웨이퍼의 이동시 깨트리는 것을 방지하는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR101616555B1

公开(公告)日：2016-04-29

申请号：KR1020090063630

申请日：2009-07-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박선이 ,  박영훈 ,  한주철 ,  정진국 ,  강기호 ,  안유진

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L28/60

Abstract: 반도체장치의금속배선형성방법을제공한다. 구리막을형성하는공정과구리막을평탄화하는공정사이에서로다른온도에서두 번의열처리공정들이수행된다.

公开(公告)号：KR100639676B1

公开(公告)日：2006-10-30

申请号：KR1020040075666

申请日：2004-09-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강기호

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC classification number: G03F7/70525

Abstract: 본 발명은 포토리소그라피 설비 제어시스템 및 제어방법에 관한 것으로, 본 발명은 포토리소그라피 설비와 이 포토리소그라피 설비에서 수행된 포토리소그라피 공정이 수행된 결과를 계측하는 계측수단과 이 계측수단으로부터 계측된 측정 데이터를 미리 등록된 수신처로 자동 전송하는 서버 및 이 서버와 네트워크로 연결되며 상기 측정 데이터를 수신하는 수신 단말기를 구비하여 포토리소그라피 설비의 해당 노광장치에서 변경점이 발생하였을 경우 그 변경점이 발생한 포토리소그라피 설비에서의 선폭이나 오버레이와 같은 웨이퍼 히스토리 동향을 작업자가 미리 등록한 기간 동안 작업자에게 전자메일로 전송하도록 한다.

公开(公告)号：KR100506943B1

公开(公告)日：2005-08-05

申请号：KR1020030063289

申请日：2003-09-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강기호 ,  오혁상 ,  이정우 ,  박대근

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835

Abstract: 상, 하부 도전층을 연결하는 연결홀 저측면에 식각 정지막을 잔류시켜 경사면을 형성한다. 이를 위해, 하부 전도층을 갖는 반도체 기판 상에 식각정지막 및 층간절연막을 차례로 형성한다. 상기 층간절연막을 선택적으로 식각하여 상기 식각정지막의 일부를 노출시킨다. 상기 노출된 식각정지막의 일부를 제거하여 상기 식각정지막에 단차를 형성한다. 상기 식각정지막의 단차는 상기 노출된 오목부 및 상기 층간절연막으로 덮인 볼록부의 경계로 이루어진다. 상기 층간절연막의 일부분을 제거하여 상기 식각정지막의 볼록부의 일부분을 노출시킨다. 상기 노출된 오목부 및 볼록부를 이방성 식각하여, 상기 하부 전도층을 노출시키며 그 저측면에 잔류된 상기 식각정지막으로부터 제공되는 경사를 갖는 연결홀을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020060026796A

公开(公告)日：2006-03-24

申请号：KR1020040075666

申请日：2004-09-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강기호

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC classification number: G03F7/70525 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70633

Abstract: 본 발명은 포토리소그라피 설비 제어시스템 및 제어방법에 관한 것으로, 본 발명은 포토리소그라피 설비와 이 포토리소그라피 설비에서 수행된 포토리소그라피 공정이 수행된 결과를 계측하는 계측수단과 이 계측수단으로부터 계측된 측정 데이터를 미리 등록된 수신처로 자동 전송하는 서버 및 이 서버와 네트워크로 연결되며 상기 측정 데이터를 수신하는 수신 단말기를 구비하여 포토리소그라피 설비의 해당 노광장치에서 변경점이 발생하였을 경우 그 변경점이 발생한 포토리소그라피 설비에서의 선폭이나 오버레이와 같은 웨이퍼 히스토리 동향을 작업자가 미리 등록한 기간 동안 작업자에게 전자메일로 전송하도록 한다.