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公开(公告)号：KR101711192B1
公开(公告)日：2017-03-14
申请号：KR1020140107764
申请日：2014-08-19
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성디스플레이 주식회사
CPC classification number: G02F1/1309 , G01N21/95 , G01N21/958 , G01N2021/9513 , G02F1/1334 , G02F1/13718
Abstract: 본발명의기술적사상은미세피치를갖는고해상도디스플레이의화소불량을검출하는데이용할수 있는전기-광학변조기및 그전기-광학변조기를포함한검사장치를제공한다. 그검사장치는광원; 검사대상체상부에배치되고, CLC 폴리머로형성된반사필름을구비하며, 상기검사대상체의전압분포에따라해당하는부분의반사광의인텐서티가서로다르게나타나는전기-광학변조기; 광을투과또는반사하는빔 스플리터(BS: Beam Splitter); 상기광원으로부터광을상기빔 스플리터로전달하는제1 광학계; 및상기빔 스플리터로부터의광을상기전기-광학변조기로전달하고상기전기-광학변조기로부터반사광을상기빔 스플리터로전달하는제2 광학계;를포함한다.
Abstract translation: 电光调制器可以包括在聚合物膜中包括液晶（LC）液滴的聚合物膜和在聚合物膜的上表面上的透明电极层。 胆甾型液晶（CLC）聚合物反射膜可以在与透明电极层相对的聚合物膜的下表面上。
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公开(公告)号：KR1020150064464A
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：KR1020130149220
申请日：2013-12-03
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02F1/1313 , G02F1/1309 , G02F1/1334 , G02F1/133553 , G02F2001/133368
Abstract: 기판검사장치는상기기판상에제공되는액정변조기, 상기액정변조기로부터이격되어제공된광원유닛, 상기액정변조기와상기광원사이에제공되어상기광원으로부터의광을상기광원변조기로반사하는광 분할기, 및상기광 분할기를사이에두고상기액정변조기에대향하여배치되며, 상기액정변조기로부터의광을감지하는계측유닛을포함한다.
Abstract translation: 基板检查装置包括：设置在基板上的液晶调制器; 与要提供的液晶调制器间隔开的光源单元; 设置在所述液晶调制器和所述光源之间以将来自所述光源的光反射到光源调制器的分光机; 以及测量单元，其与所述分光机留下与所述液晶调制器相对的空间，并且检测来自所述液晶调制器的光。
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公开(公告)号：KR1020160022440A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：KR1020140107764
申请日：2014-08-19
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성디스플레이 주식회사
CPC classification number: G02F1/1309 , G01N21/95 , G01N21/958 , G01N2021/9513 , G02F1/1334 , G02F1/13718 , G02F1/29 , G02F1/13 , G02F1/137
Abstract: 본발명의기술적사상은미세피치를갖는고해상도디스플레이의화소불량을검출하는데이용할수 있는전기-광학변조기및 그전기-광학변조기를포함한검사장치를제공한다. 그검사장치는광원; 검사대상체상부에배치되고, CLC 폴리머로형성된반사필름을구비하며, 상기검사대상체의전압분포에따라해당하는부분의반사광의인텐서티가서로다르게나타나는전기-광학변조기; 광을투과또는반사하는빔 스플리터(BS: Beam Splitter); 상기광원으로부터광을상기빔 스플리터로전달하는제1 광학계; 및상기빔 스플리터로부터의광을상기전기-광학변조기로전달하고상기전기-광학변조기로부터반사광을상기빔 스플리터로전달하는제2 광학계;를포함한다.
Abstract translation: 本发明的技术思想提供了一种能够用于检测具有精细间距的高分辨率显示器的有缺陷的图像元素的电光调制器，并且涉及一种具有电光调制器的测试装置。 测试装置包括：光源; 布置在待测试对象顶部的电光调制器具有由胆甾型液晶（CLC）聚合物制成的反射膜，并且允许由相应部分反射的光强度根据电压不同而不同 待测对象的分布; 通过或反射灯的分束器（BS）; 第一光学系统，将从光源发射的光发射到分束器; 以及将来自电光调制器的反射光传输到分束器的第二光学系统。
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公开(公告)号：KR1020150107941A
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：KR1020140029766
申请日：2014-03-13
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성디스플레이 주식회사
IPC: G01R31/28
CPC classification number: G02F1/133553 , G02F1/1309 , G02F1/137 , G02F2001/13775 , G09G3/006
Abstract: 전기광학 모듈레이터는 외측 표면으로부터 내부까지 3 차원 그물 구조의 폴리머 네트워크에 의해 안정화된 액정을 포함하는 PNLC (Polymer Network Liquid Crystal)로 이루어지는 전기광학 센서층과, 전기광학 센서층의 제1 표면을 덮는 투명 전극막과, 전기광학 센서층의 제2 표면을 덮는 반사막을 포함한다. TFT 어레이 검사 장치는 광원과, PNLC로 이루어지는 전기광학 센서층을 포함하는 전기광학 모듈레이터와, 전기광학 모듈레이터의 투명 전극막과 복수의 픽셀 전극과의 사이에 전압을 인가하기 위한 전원과, 전기광학 모듈레이터로부터의 반사광을 측정하여 복수의 픽셀 전극 각각에서의 전압의 크기에 따른 이미지 정보를 생성하는 반사광 센서를 포함한다.
Abstract translation: 电光调制器包括：电光传感器层，其由包括由其外表面到其内部的3D网结构的聚合物网络包括稳定液晶的聚合物网络液晶（PNLC）组成; 覆盖电光传感器层的第一表面的透明电极层; 以及覆盖电光传感器层的第二表面的反射层。 TFT阵列测试装置包括：光源; 该电光调制器包括由PNLC组成的电光传感器层; 电源，其在多个像素电极和电光调制器的透明电极层之间施加电压; 以及反射光传感器，其通过测量来自电光调制器的反射光，根据每个像素电极处的电压的幅度生成图像信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150033112A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：KR1020130112696
申请日：2013-09-23
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 삼성전자주식회사 , 전북대학교산학협력단
CPC classification number: G02F1/1309 , G01N21/8806 , G01N2021/8848 , G01N2021/9513 , G01N2201/067 , G02F1/1303 , G02F2001/133773
Abstract: 액정변조기는기판의불량을검출하는검사장치에사용되며, 광을반사하는반사층, 상기반사층상에제공되며하이브리드배열네마틱액정을포함하는액정층, 상기액정층상에제공된전극, 및상기전극상에제공된편광판을포함한다.
Abstract translation: 在检查装置中使用液晶调制器来检测基板的故障，并且包括反射光的反射层，设置在反射层上的液晶层，并且包括混合布置向列型液晶，电极是 设置在液晶层上，偏振板设置在电极上。 在液晶层和电极之间设置第一布置层。 在反射层和液晶层之间设置第二布置层。
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公开(公告)号：KR1020120100003A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：KR1020110018582
申请日：2011-03-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L28/90
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device by using a bowing preventing film is provided to control bowing when forming an opening having a high aspect ratio by forming a material film with an intermediate material film and a top material film and an etching ratio lower than the etching ratio of a bottom material film. CONSTITUTION: A bottom material film(210), an intermediate material film(230), and a top material film(250) are successively formed on a substrate(100). A top opening exposing the upper surface of the bottom material film is formed by etching the intermediate material film and the top material film. A bottom opening(300b) is formed by etching the bottom material film exposed by the top opening. A bit line(113) crossing a word line(105) is formed within the intermediate material film.
Abstract translation: 目的：提供一种通过使用防弓膜制造半导体器件的方法，通过形成具有中间材料膜和顶部材料膜的材料膜，并且蚀刻比低于 底部材料膜的蚀刻比。 构成：在基板（100）上依次形成底部材料膜（210），中间材料膜（230）和顶部材料膜（250）。 通过蚀刻中间材料膜和顶部材料膜来形成暴露底部材料膜的上表面的顶部开口。 通过蚀刻由顶部开口暴露的底部材料膜形成底部开口（300b）。 在中间材料膜内形成与字线（105）交叉的位线（113）。
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公开(公告)号：KR1020170055064A
公开(公告)日：2017-05-19
申请号：KR1020150157543
申请日：2015-11-10
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성디스플레이 주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12 , H01L22/20 , H01L27/1259
Abstract: 기판제조방법이제공된다. 기판제조방법은, 박막트렌지스터어레이를포함하는제1 기판을형성하고, 상기박막트렌지스터어레이를구동시키는반도체칩을상기제1 기판상에실장하여제2 기판을형성하고, 검사장치의제1 표면을검사하고, 제2 표면을포함하는상기제2 기판을상기검사장치에로딩하되, 상기제1 표면과상기제2 표면은마주보고, 상기검사장치를이용하여, 상기제2 기판의제2 표면을검사하는것을포함하고, 상기검사장치의상기제1 표면을검사하는것은, 상기제1 표면에포함된검사영역의표면에평행한제1 측정광을검출하여, 제1 계측데이터를생성하고, 상기검사영역의표면에평행한제2 측정광을검출하여, 제2 계측데이터를생성하고, 상기제1 계측데이터및 상기제2 계측데이터를비교하여, 상기검사영역의표면상태를검사하는것을포함한다.
Abstract translation: 提供了一种衬底制造方法。 一种衬底制造方法，包括：形成包括薄膜晶体管阵列的第一衬底;在第一衬底上安装用于驱动薄膜晶体管阵列的半导体芯片以形成第二衬底; 并且使用检查设备将包括第二表面的第二基板装载到检查设备中，其中第一表面和第二表面彼此面对，第二基板的第二表面 其中，检查装置的第一表面的检查包括检测平行于包括在第一表面中的检查区域的表面的第一测量光以生成第一测量数据， 检测与检查区域的表面平行的第二测量光以生成第二测量数据并比较第一测量数据和第二测量数据以检查检查区域的表面状态 。
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公开(公告)号：KR1020080092735A
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：KR1020070036489
申请日：2007-04-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/76829 , H01L21/76877 , H01L21/823475
Abstract: A semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided to prevent hydrogen atoms or hydrogen ions from penetrating an oxide layer by forming an aluminum oxide layer and an etch stop layer on the oxide layer of the semiconductor device. An aluminum oxide layer is formed on an oxide layer(110) formed on a substrate(100). An etch stop layer(130) is formed on the aluminum oxide layer. A dielectric is formed on the etch stop layer. A part of the dielectric is etched by using the etch stop layer as a stop point. The dielectric is etched to remove the exposed etch stop layer and the aluminum oxide layer. The etch stop layer includes silicon nitride. A thickness of the etch stop layer is from 100 Å to 200 Å. A thickness of the aluminum oxide layer is from 50 Å to 200 Å. After the aluminum oxide layer is formed, a CVD(Chemical Vapor Deposition) oxide layer is formed on the aluminum oxide layer. Before the aluminum oxide layer is formed, a gate electrode is formed on the oxide layer.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法，以通过在半导体器件的氧化物层上形成氧化铝层和蚀刻停止层来防止氢原子或氢离子穿透氧化物层。 在形成在基板（100）上的氧化物层（110）上形成氧化铝层。 在氧化铝层上形成蚀刻停止层（130）。 在蚀刻停止层上形成电介质。 通过使用蚀刻停止层作为停止点来蚀刻电介质的一部分。 蚀刻电介质以除去暴露的蚀刻停止层和氧化铝层。 蚀刻停止层包括氮化硅。 蚀刻停止层的厚度为100埃至200埃。 氧化铝层的厚度为50埃至200埃。 在形成氧化铝层之后，在氧化铝层上形成CVD（化学气相沉积）氧化物层。 在形成氧化铝层之前，在氧化物层上形成栅电极。
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