公开(公告)号：KR1020120100003A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：KR1020110018582

申请日：2011-03-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤국한 ,  이철규 ,  이준수 ,  김종규 ,  구성모 ,  박기진

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device by using a bowing preventing film is provided to control bowing when forming an opening having a high aspect ratio by forming a material film with an intermediate material film and a top material film and an etching ratio lower than the etching ratio of a bottom material film. CONSTITUTION: A bottom material film(210), an intermediate material film(230), and a top material film(250) are successively formed on a substrate(100). A top opening exposing the upper surface of the bottom material film is formed by etching the intermediate material film and the top material film. A bottom opening(300b) is formed by etching the bottom material film exposed by the top opening. A bit line(113) crossing a word line(105) is formed within the intermediate material film.

Abstract translation: 目的：提供一种通过使用防弓膜制造半导体器件的方法，通过形成具有中间材料膜和顶部材料膜的材料膜，并且蚀刻比低于 底部材料膜的蚀刻比。 构成：在基板（100）上依次形成底部材料膜（210），中间材料膜（230）和顶部材料膜（250）。 通过蚀刻中间材料膜和顶部材料膜来形成暴露底部材料膜的上表面的顶部开口。 通过蚀刻由顶部开口暴露的底部材料膜形成底部开口（300b）。 在中间材料膜内形成与字线（105）交叉的位线（113）。

公开(公告)号：KR1019970029130A

公开(公告)日：1997-06-26

申请号：KR1019950039221

申请日：1995-11-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박기진 ,  김성규

IPC: G06F15/18

Abstract: 본 발명은 적어도 하나 이상의 부모 클래스와 자식 클래스로 구성되어 있는 계층적인 데이터 구조를 가진 객체지향 시스템에서의 계승 정보를 계승하는 방법에 관한 것으로서, 임의의 방법으로 상기 계층적인 데이터 구조를 분할하여 부분 클래스를 만드는 단계; 상기 각 부분클래스의 계승할 정보(inheritable)를 생성하는 단계; 및 계승정보 요청시 저장식 계승(Inheritable)를 생성하는 단계; 및 계승정보 요청시 저장식 계승(Inherit-On-Store:IOS)/페치식 계승(Inherit-On-Fetch:IOF)을 동시에 수행하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면 객체지향 개념을 정보처리 분야에 적용할 경우 다양한 데이터 모델링이 가능하며 다가올 대용량의 데이터 처리 환경(멀티미디어)를 대비할 수 있다. 객체지향 시스템의 계승 정보 처리 기술은 대용량 데이터 처리에 핵심 역할을 하며 본 발명을 사용하면 계승 정보 계산시 발생하는 수행 속도 및 메모리 사용문제를 해결할 수 있다.

公开(公告)号：KR101671464B1

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：KR1020100122283

申请日：2010-12-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종철 ,  김종규 ,  박기진 ,  정상섭

IPC: H01L21/8229 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/90

Abstract: 반도체소자의제조방법이제공된다. 반도체소자의제조방법은셀 영역및 주변회로영역을포함하는하부막을형성하는것, 하부막상에제 1 희생막을형성하되, 제 1 희생막은셀 영역에서트렌치들을갖는것, 제 1 희생막상에제 2 희생패턴을형성하되, 제 2 희생패턴은주변회로영역에서제 1 희생막의상면을덮으며, 셀영역에서트렌치들을가로지르는라인앤 스페이스패턴들을갖는것 및제 1 희생막을패터닝하여, 제 2 희생패턴들사이에노출된트렌치들에국소적으로상부개구부들을형성하는것을포함한다.

Abstract translation: 提供了一种制造半导体器件的方法。 制造具有在所述第一沟槽中的半导体装置，但在形成牺牲膜，第1损耗膜单元区到下haneungeot形成膜，包括单元区域和外围电路区域中的下层膜，在所述牺牲膜中的第二牺牲的方法 但形成图案，所述第二牺牲图案覆盖所述第一牺牲膜，在外围电路区域中的上表面，并且具有在所述单元区域的线 - 和 - 空间图案交叉沟槽mitje第一牺牲图案化膜，所述第二牺牲图案之间 Lt开口和开口。

公开(公告)号：KR1020160043208A

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：KR1020140136839

申请日：2014-10-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임영수 ,  황순원 ,  박기진

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/141 ,  H01L27/2454 ,  H01L21/0335

Abstract: 본발명은가변저항메모리소자의제조방법에관한것이다. 본발명에따른가변저항메모리소자의제조방법은, X방향의패터닝을수행한후 패턴들사이에빈 공간들을형성할수 있다. 이어서 Y방향의패터닝을수행함으로써, 선택소자들간의스트링거들이형성되지않을수 있다. 따라서, 상기선택소자들간의전기적단락을방지하면서소자의신뢰성을향상시킬수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及可变电阻存储器件的制造方法。 根据本发明的用于制造可变电阻存储器件的方法可以在执行X方向图案化之后在图案之间形成空白空间。 随后，进行Y方向图案化，因此在选择装置之间不形成桁条。 因此，可以防止选择装置之间的电短路，并且可以提高装置的可靠性。

公开(公告)号：KR1020100050911A

公开(公告)日：2010-05-14

申请号：KR1020080110031

申请日：2008-11-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이두영 ,  정상섭 ,  최성길 ,  박종철 ,  김진영 ,  박기진

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76831

Abstract: PURPOSE: A method of fabricating a semiconductor device with a spacer in sac is provided to prevent the loss of oxide film in a cleaning process by forming a spacer on one side of the interlayer insulating film. CONSTITUTION: An insulating layer(110) is formed on a semiconductor substrate(100). The insulating layer is etched. A contact hole(130) exposes one part of the semiconductor substrate and the sidewall of the insulating layer. A spacer(155) is formed on the one part of exposed sidewall of the insulating layer. A cleaning process is performed. The insulating layer comprises a bottom insulating layer(111) and a top insulating layer(115). Dopants are doped in the bottom insulating layer where are not doped in the top insulating layer.

Abstract translation: 目的：通过在层间绝缘膜的一侧形成间隔物，来提供一种制造具有垫片间隔件的半导体器件的方法，以防止在清洁过程中氧化膜的损失。 构成：在半导体衬底（100）上形成绝缘层（110）。 绝缘层被蚀刻。 接触孔（130）暴露半导体衬底的一部分和绝缘层的侧壁。 在绝缘层的暴露的侧壁的一部分上形成间隔物（155）。 执行清洁处理。 绝缘层包括底部绝缘层（111）和顶部绝缘层（115）。 掺杂剂掺杂在底部绝缘层中，其中未掺杂在顶部绝缘层中。

公开(公告)号：KR1019970029131A

公开(公告)日：1997-06-26

申请号：KR1019950039226

申请日：1995-11-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박기진 ,  이승규

IPC: G06F15/18

Abstract: 본 발명은 적어도 하나 이상의 부모 클래스와 자식 클래스로 구성되어 있는 계층적인 데이터 구조를 가진 객체지향 시스템에서의 추론을 이용한 계승 정보를 획득하는 방법에 관한 것으로서, 클래스 계층간의 정보를 논리적으로 표현하는 단계; 상기 논리적으로 표현된 계층간의 정보(계승지식)를 일정한 저장장소(계층 지식 베이스)에 저장하는 단계; 및 계승정보 요청이 있으면, 상기 계승 지식 베이스의 계승 지식과 추론 과정을 통해 계승 지식을 계산하여 계승 정보를 제공하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 객체지향 개념을 정보 처리 분야에 적용할 경우, 다양한 데이터 모델링이 가능하며 미래에 다가올 대용량의 데이터 처리환경(멀티미디어)을 대비할 수 있다. 또한 본 발명을 사용하면 다양한 환경에 적합한 계승을 표현할 수 있으며, 객체간의 관계가 복잡해 질 경우 효율적인 계승 정보 추출이 가능해 진다.

公开(公告)号：KR101497546B1

公开(公告)日：2015-03-03

申请号：KR1020080110031

申请日：2008-11-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이두영 ,  정상섭 ,  최성길 ,  박종철 ,  김진영 ,  박기진

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76831

Abstract: 셀프 얼라인 콘택홀내에 스페이서를 구비하는 반도체 장치의 제조방법을 개시한다. 반도체 장치의 제조방법은 먼저 반도체 기판상에 절연막을 형성한다. 상기 절연막을 식각하여, 상기 반도체 기판의 일부분과 상기 절연막의 측벽을 노출시키는 콘택홀을 형성한다. 상기 절연막의 상기 노출된 측벽중 적어도 일부분에 스페이서를 형성한다. 이어서, 세정공정을 진행한다.
상기 절연막은 상기 반도체 기판상에 형성된 도펀트가 도핑된 하부 절연막; 및 상기 하부 절연막상에 형성된 도펀트가 도핑되지 않은 상부 절연막을 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR100292342B1

公开(公告)日：2001-06-01

申请号：KR1019950039221

申请日：1995-11-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박기진 ,  김성규

IPC: G06F15/18

Abstract: PURPOSE: An inheritable data inheriting method is provided to divide a hierarchical class structure into a plurality of sub trees, to inherit the inheritable data within the sub tree by the IOF(Inherit On Fetch) method and to inherit the inheritable data between the sub trees by the IOS(Inherit On Store) method so that it can solve a process speed and a memory size problem. CONSTITUTION: The method comprises steps of dividing a hierarchical data structure into a plurality of sub classes, generating inheritable data for each sub class, and simultaneously performing the IOF and IOS inheritance. For example, in the case of inheriting inheritable data from a class of person to a class of employee and a class of teacher by using the IOS inheritance method, the class of person has an attribute of name, and no inherited data. The class of person stores the inheritable attribute, namely the attribute of name, at an inheritable storage in advance. The class of employee is a lower class of the class of person, has attributes of educational institute and pay, and the attribute of name inherited from the class of person. The class of the employee inherits values of name, educational institute and pay to the class of teacher. The class of teacher inherits the values of name, educational institute and pay from the class of employee, and stores inheritable values of name, educational institute, pay and position at an inheritable storage in advance.

公开(公告)号：KR1019980004155A

公开(公告)日：1998-03-30

申请号：KR1019960025916

申请日：1996-06-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박기진 ,  이승규

IPC: G06Q50/10

公开(公告)号：KR101647312B1

公开(公告)日：2016-08-12

申请号：KR1020140136839

申请日：2014-10-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임영수 ,  황순원 ,  박기진

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/141

Abstract: 본발명은가변저항메모리소자의제조방법에관한것이다. 본발명에따른가변저항메모리소자의제조방법은, X방향의패터닝을수행한후 패턴들사이에빈 공간들을형성할수 있다. 이어서 Y방향의패터닝을수행함으로써, 선택소자들간의스트링거들이형성되지않을수 있다. 따라서, 상기선택소자들간의전기적단락을방지하면서소자의신뢰성을향상시킬수 있다.