公开(公告)号：KR1020170087049A

公开(公告)日：2017-07-27

申请号：KR1020170009162

申请日：2017-01-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허성 ,  김규식 ,  김남정 ,  김성헌 ,  김용성 ,  노탁균 ,  조은애 ,  선우문욱 ,  윤동진 ,  김용수 ,  박경배 ,  박용영

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/307 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14665 ,  H01L27/301 ,  H01L51/42 ,  H01L51/441 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5096 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/552 ,  Y02E10/549

Abstract: 서로마주하는제1 전극과제2 전극상기제1 전극과제2 전극사이에위치하는광전변환층및 상기광전변환층과상기제2 전극사이에위치하는버퍼층을포함하고, 상기버퍼층은실리콘나이트라이드(SiN, 0

Abstract translation: 以及位于所述光电转换层与所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层由选自以下的材料制成：氮化硅（SiN ，0

公开(公告)号：KR1020170004676A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：KR1020150095361

申请日：2015-07-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양기연 ,  이창승 ,  김남정 ,  김연희

IPC: H01L29/78

CPC classification number: G01N27/4141 ,  C30B25/04 ,  C30B29/46 ,  C30B29/60 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 수직정렬된 2차원물질을포함하는트랜지스터가개시된다. 개시된트랜지스터는기판에마련된 2차원물질과, 상기 2차원물질의양단부에연결되는소스및 드레인전극과, 상기 2차원물질에마련되는게이트절연층과, 상기게이트절연층에마련되는게이트전극을포함한다. 여기서, 2차원물질은기판에실질적으로수직으로정렬되는적어도하나의층을포함하고, 이각각의층은 2차원형상의결정구조를가지는반도체를포함한다.

Abstract translation: 晶体管包括衬底，二维材料，其包括在衬底上基本上垂直对准的至少一层，使得该层的边缘在衬底上，并且该层基本垂直于衬底延伸，源电极和 连接到二维材料的相对端的漏电极，在源电极和漏电极之间的二维材料上的栅极绝缘层，以及栅极绝缘层上的栅电极。 每个层包括具有二维晶体结构的半导体。

公开(公告)号：KR1020150145837A

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：KR1020140075055

申请日：2014-06-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양기연 ,  김남정 ,  김해성

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/042 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67115 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66015 ,  H01L21/0275

Abstract: 2차원물질식각장치및 이를이용하여 2차원물질층을패터닝하는방법에관해개시되어있다. 개시된 2차원물질층식각장치는피식각물이놓이는스테이지, 가시광의파장보다짧은파장의광(예컨대, EUV 또는이보다짧은파장의엑스선)을방출하는광원, 상기피식각물에전사될패턴이새겨진마스크, 상기피식각물위로유체를공급하는유체유입구및 상기유체공급후의잔류물과반응물을흡수하는유체흡입구를포함하고, 상기피식각물은그래핀이다. 개시된 2차원물질층패터닝방법은스테이지에피식각물을놓는과정, 상기피식각물에광을조사하는과정, 상기피식각물위로유체를공급하는과정, 상기피식각물위에서유체잔류물과유체반응물을제거하는과정을포함하고, 상기피식각물은그래핀을포함하고, 상기광의파장은가시광의파장보다짧은광을사용한다.

Abstract translation: 公开了一种二维材料蚀刻装置和使用该二维材料蚀刻装置的二维材料层的图案化方法。 所公开的二维材料层蚀刻装置包括：放置被蚀刻物体的阶段; 用于发射具有比可见光短的波长的光的光源（例如，具有比其短的波长的EUV或X射线）; 将要转印到待蚀刻对象的图案刻上的掩模; 用于将流体供应到要蚀刻的物体上的流体入口; 以及用于在供应流体之后吸收残余物和反应物的流体吸收孔。 待蚀刻的物体是石墨烯。 所公开的用于图案化二维材料层的方法包括以下过程：将要蚀刻的物体放置在平台上; 向待刻蚀的物体照射光; 将流体供应到待蚀刻的物体上; 以及去除待蚀刻物体上的流体残留物和流体反应物。 待蚀刻的对象包括石墨烯，并且光的波长比可见光的波长短。