中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

13 records (took 0.018 seconds)

    레이저 다이오드
    1.
    发明授权
    레이저 다이오드 失效
    激光二极管

    公开(公告)号：KR100255690B1

    公开(公告)日：2000-05-01

    申请号：KR1019930012231

    申请日：1993-06-30

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김성헌

    IPC: H01S5/30

    Abstract: PURPOSE: A laser diode is provided to enlarge the number of quantum walls without restriction of critical thickness and to enhance light guiding by sandwiching an InGaAsP compensating layer between a light guiding layer and an active layer. CONSTITUTION: An n-GaAs buffer layer(20) is provided on a GaAs substrate(10). A laser beam oscillating layer is provided on the InGaAs layer. The laser beam oscillating layer is constituted by an n-In0.49Ga0.51P cladding layer(30), an InxGa1-xAsP1-y optical guiding layer(40), an InxGa1-xAsxP1-x compensating layer(60), an In0.2Ga0.3As active layer(50), an InxGa1-xAsxP1-x compensating layer(60), an InxGa1-xAsyP1-y light guiding layer(70) and a p-In0.49Ga0.51P upper cladding layer(80). A capping layer is provided on the cladding layer(80). The InGaAs active layer(50) have the thickness of 50 to 80 angstroms to obtain quantum well effect and the number of layers of 3 to 6 to obtain sufficient high output.

    Abstract translation: 目的：提供激光二极管以扩大量子壁的数量而不限制临界厚度，并通过在导光层和有源层之间夹入InGaAsP补偿层来增强导光。 构成：在GaAs衬底（10）上设置n-GaAs缓冲层（20）。 激光束振荡层设置在InGaAs层上。 激光束振荡层由n-In0.49Ga0.51P包层（30），In x Ga 1-x AsP 1-y光导层（40），In x Ga 1-x As x P 1-x补偿层（60） InGaAs-xAs x P 1-x补偿层（InGaN），In x Ga 1-x As y P 1-y导光层（70）和p-In0.49Ga0.51P上覆层（80）。 在覆层（80）上设置覆盖层。 InGaAs有源层（50）具有50至80埃的厚度以获得量子阱效应，并且层数为3至6以获得足够高的输出。

    광증폭 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법
    2.
    发明公开
    광증폭 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 无效
    光学放大半导体激光二极管及其制造方法

    公开(公告)号：KR1019970077845A

    公开(公告)日：1997-12-12

    申请号：KR1019960014706

    申请日：1996-05-06

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김성헌

    IPC: H01S3/00

    Abstract: 광증폭 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법이 개시된다.
    본 발명은 기판과, 그 기판 위에 마련되는 n-버퍼층, n-클래드층, 하부 광도파층, 양자우물 활성층, 상부 광도파층, p-클래드층 및 p-캡층을 구비하는 광증폭 반도체 레이저 다이오드에 있어서, 상기 양자우물 활성층은 다중양자우물 활성층으로 구성되고, 그 다중양자우물 활성층과 상기 상, 하부 광도파층 사이에는 활성층의 압축 응력을 보상하기 위한 인장 응력을 가지는 보상층이 각각 형성된다.
    이와 같은 본 발명에 의하면, 활성층의 압축 응력을 보상해주는 인장 응력을 가지는 보상층이 마련되므로, 다중양자우물의 활성층 구성이 가능하고, 그에 따라 레이저 발진 임계 전류 밀도를 낮추는 한편 결정 성장에서의 결함 생성을 억제하여 지속적인 고출력 구동이 가능해 진다.

    반도체 레이저 다이오드
    4.
    发明公开
    반도체 레이저 다이오드 无效

    公开(公告)号：KR1019980031878A

    公开(公告)日：1998-07-25

    申请号：KR1019960051442

    申请日：1996-10-31

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김성헌 ,  김남헌

    IPC: H01S5/30

    Abstract: 본 발명은 비대칭형 에너지 밴드갭을 갖는 고출력 반도체 레이저 다이오드에 관한 것이다. 본 발명에 따른 고출력 반도체 레이저 다이오드는 p형 광도파층의 에너지 밴드갭을 n형 광도파층의 에너지 밴드갭보다 더 크게 형성함으로써, 전자 누출 현상을 방지하여 광출력 향상은 물론 고출력하에서도 안정하게 동작되게 하고, 또 이러한 에너지 밴드갭의 비대칭으로 인한 광도파층의 굴절율차이를 p형 광도파층의 두께가 n형 광도파층의 두께보다 더 두껍게 형성함으로써, 광이 상기 층들에서 대칭형의 가우스 분포를 갖도록 하여, 광이득을 향상시키는 효과가 있다.

    반도체레이저소자의 제조방법
    5.
    发明授权
    반도체레이저소자의 제조방법 失效
    半导体激光器件的制造方法

    公开(公告)号：KR1019950013438B1

    公开(公告)日：1995-11-08

    申请号：KR1019920011632

    申请日：1992-06-30

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김성헌

    IPC: H01S5/30

    Abstract: sequentially epitaxial-growing a first cladding layer, an active layer and a second cladding layer on a semiconductor substrate the steps of; etching the epitaxial layer in a circular mesa type; and forming a current limiting layer on the etched portion, the etching in the circular mesa being executed with an etching liquid which is made by mixing hydrochloric acid, acetic acid and oxygenated water, the first cladding layer being comprised of n-InP, the second cladding layer of p-InP, and the active layer of p-InGaAsP.

    Abstract translation: 在半导体衬底上依次外延生长第一覆层，有源层和第二覆层，其步骤为： 以圆形台面型蚀刻外延层; 在蚀刻部分上形成限流层，用盐酸，乙酸和含氧水混合制成的蚀刻液进行圆台面的蚀刻，第一包层由n-InP构成，第二覆层由n-InP构成 p-InP的包层和p-InGaAsP的有源层。

    도전체 및 그 제조 방법
    6.
    发明公开
    도전체 및 그 제조 방법 审中-实审
    导体及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020160095447A

    公开(公告)日：2016-08-11

    申请号：KR1020150016716

    申请日：2015-02-03

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 윤동진 ,  박성훈 ,  김성헌 ,  이향숙 ,  백운중 ,  권영남 ,  김용수 ,  정재관

    IPC: H01B1/02

    CPC classification number: H01L51/5206 ,  H01B1/22 ,  H01L21/32131 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/5234 ,  H01B1/02 ,  H01B13/0026

    Abstract: 복수의금속나노체를포함하고상기각 금속나노체를둘러싸는유기물이선택적으로제거되어있으며 1.1 이하의헤이즈, 550nm에서 85% 이상의광 투과도및 100Ω/sq. 이하의면저항을동시에만족하는도전체및 상기도전체를포함하는전자소자, 그리고금속나노체및 유기물을포함하는도전성필름을준비하는단계, 그리고클러스터이온빔 스퍼터링(cluster ion beam sputtering)을사용하여상기유기물을선택적으로제거하는단계를포함하는도전체의제조방법에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明的一个实施例提供一种具有改善的电性能的导体。 本发明的另一实施例提供一种制造导体的方法。 本发明的另一实施例提供一种包括该导体的电子设备。 本发明涉及一种导体，其包含多个金属纳米结构，同时满足1.1或更低的雾度，85nm或更高的550nm光透射率和100 / sq。 或更低的表面电阻，并且从中选择性地除去环绕每个金属纳米结构的有机物质。 本发明涉及一种包括该导体的电子器件及其制造方法，包括制备包含金属纳米结构和有机物质的导电膜的步骤以及使用聚簇离子束溅射选择性除去有机物质的步骤。 因此，本发明能够改善导体的电气和光学特性。

    레이저 다이오드
    9.
    发明公开
    레이저 다이오드 失效

    公开(公告)号：KR1019950002140A

    公开(公告)日：1995-01-04

    申请号：KR1019930012231

    申请日：1993-06-30

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김성헌

    IPC: H01S5/30

    Abstract: 본 발명은 레이저 소자에 관해 기술한다.
    본 발명 레이저 소자는 광유도층과 활성층의 사이에 활성층의 압축변형을 인장변형(Tensile Strain)으로 완화시키는 InGaAs층이 보상층으로 마련되어 있다. 그리고, 상기 활성층과 보상층은 다중적층구조를 가진다.
    이러한 구조에 의하면, 양자벽의 압축변형을 완화시켜주는 InGaAsP 보상층을 사용함으로써 양자벽의 수를 임계 두께에 크게 제한받지 않고 늘일 수 있고, Al성분을 사용하지 않고도 4원 InGaAsP층의 조성을 변화시키게 되므로 광유도 효과를 향상시킬 수 있다.

Patent Agency Ranking