Abstract:
영상의 표시품질을 향상시킨 표시장치가 개시되어 있다. 표시장치는 영상을 표시하기 위한 화소전극, 화소전극으로 구동신호를 전달하기 위한 제 1 신호선들을 포함하는 표시패널, 제 1 신호선들의 일부에 배치되며, 레진 및 레진에 포함된 도전볼을 포함하는 도전 부재 및 도전부재 상에 배치되고, 레진을 배출시켜 도전볼을 매개로 제 1 신호선들과 접촉하기 위해 제 1 신호선들과 오버랩 된 부분에 레진을 배출하기 위한 개구가 형성된 제 2 신호선을 갖는 구동신호 인가 부재를 포함한다. 이로써, 제 1 신호선들 및 제 2 신호선들이 도전볼과 전기적으로 양호하게 접촉되어 제 2 신호선으로부터 제 1 신호선으로 구동신호가 전송되도록 하여 표시장치로부터 발생된 영상의 표시품질을 보다 향상시킬 수 있다.
Abstract:
A method of analyzing a non-conductive substrate and an analyzing apparatus for performing the same are provided to efficiently prevent charge-up effect by milling a peripheral region of an analyzing target. A method of analyzing a non-conductive substrate includes the steps of: milling a section(90) in order to minutely smooth the section; forming a conductive layer(20) around the section; milling a first region(60) around of the section using an focused ion beam; milling a second region positioned opposite to the first region using the focused ion beam; filling the second region with a conductive material(30); and observing the section. The conductive layer is one selected from the group consisting of platinum(Pt), silver(Cu), copper(Cu), zinc(Zn), iron(F), tungsten(W), nickel(Ni), cobalt(Co), manganese(Mn), cadmium(Cd), and molybdenum(Mo). The conductive material is the same material as that of the conductive layer.
Abstract:
코폴리머, 다기능 모노머, 광개시제를 기본 조성으로 하고 MEC와 EEP를 포함하는 솔벤트를 포함하는 스페이서용 감광제를 마련한다. 이 때, 솔벤트로써 n-BA를 더 포함할 수 있고, 실리콘계 계면 활성제를 더 포함할 수도 있다. 여기서, 솔벤트는 EEP를 5%~45% 포함하고, n-BA를 1%~30% 포함하는 것이 바람직하다.
Abstract:
A method for analyzing a surface in a liquid crystal display is provided to prevent electric charges generated by a charge effect from being introduced into an analyzing section due to an interruption section. A method for analyzing a surface in a liquid crystal display includes the steps of preparing for a material including an analyzing section(30) of the liquid crystal display, forming an interruption section(70) at the outer periphery of the upper surface of the analyzing section by using a connection ion beam, milling a side surface of the analyzing section by using the connection ion beam, performing a structural analysis on the analyzing section by using a scan electronic microscope, performing a component analysis on the analyzing section by using an electronic monochromator.
Abstract:
본 발명은 접촉 저항 측정용 시료를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 접촉 저항 측정 방법에 관한 것이다. 게이트선 및 데이터선을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판으로서, 상기 게이트선이 확장된 게이트 패드, 상기 데이터선이 확장된 데이터 패드, 그리고 상기 게이트 패드 사이 또는 상기 데이터 패드 사이에 적어도 하나가 배치되어 있으며 상기 게이트 패드 또는 상기 데이터 패드의 접촉 저항을 측정하기 위한 시료를 포함하고, 상기 시료는, 제1 배선, 상기 제1 배선 위에 형성되어 있는 절연막, 상기 절연막 위에 형성되어 있으며 제1 접촉 구멍을 통하여 상기 제1 배선과 연결되는 제2 배선을 포함한다. 이러한 방식으로, 배선 자체의 저항을 제외한 접촉 저항만을 정확하게 측정하여 불량 등의 경우에 원인 분석에 걸리는 시간을 줄일 수 있다. 접촉저항, 전류원, 전압계, 배선, ITO, 박막, 표시판