公开(公告)号：KR1020160057043A

公开(公告)日：2016-05-23

申请号：KR1020140157414

申请日：2014-11-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이우진 ,  응우옌,빗하 ,  유우경 ,  윤두성 ,  이현배 ,  김병희 ,  안상훈 ,  유승용 ,  이내인 ,  전호윤

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834

Abstract: 반도체장치의제조방법은도전패턴을갖는제1 층간절연막상에제1 식각정지막, 제2 식각정지막, 제2 층간절연막, 및마스크패턴을차례로형성하는것; 상기마스크패턴에노출된상기제2 층간절연막을식각하여, 상기제2 식각정지막을노출시키는개구부를형성하는것; 상기마스크패턴을식각하여, 상기제2 층간절연막의상면을노출시키는것; 및상기제2 식각정지막을식각하여상기제1 식각정지막을노출시키는것을포함하되, 상기제2 식각정지막을식각하는것은상기마스크패턴을식각하는것과동일한식각공정에의해진행될수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及半导体器件的制造方法。 制造半导体器件的方法包括以下步骤：在具有导电图案的第一层间电介质上依次形成第一蚀刻停止层，第二蚀刻停止层，第二层间电介质和掩模图案; 通过蚀刻暴露于掩模图案的第二层间电介质形成露出第二蚀刻停止层的孔径部分; 通过蚀刻掩模图案来暴露第二层间电介质的上表面; 以及通过蚀刻所述第二蚀刻停止层来暴露所述第一蚀刻停止层。 蚀刻第二蚀刻停止层并蚀刻掩模图案可以通过相同的蚀刻工艺进行。

公开(公告)号：KR1020160120891A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：KR1020150050024

申请日：2015-04-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김진남 ,  김락환 ,  김병희 ,  백종민 ,  안상훈 ,  이내인 ,  이종진 ,  전호윤 ,  정은지

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/764 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211

Abstract: 반도체장치는기판상에형성되며상부로돌출된복수개의돌출부들을갖는확산방지절연막패, 확산방지절연막패턴의돌출부들상에각각형성되며기판상면에대해 80도내지 135도의경사로기울어진측벽을갖는복수개의도전패턴들, 각도전패턴들의상면및 측벽을커버하는배리어막, 및확산방지절연막패턴및 배리어막상에형성되어서로인접하는도전패턴들사이에에어갭(air gap)을갖는층간절연막을포함한다.

Abstract translation: 半导体器件可以包括扩散防止绝缘图案，多个导电图案，阻挡层和绝缘中间层。 扩散防止绝缘图案可以形成在基板上，并且可以包括从其向上突出的多个突起。 每个导电图案可以形成在防扩散绝缘图案的每个突起上，并且可以具有相对于基板的顶表面倾斜约80度至约135度范围内的角度的侧壁。 如果导电图案，阻挡层可以覆盖每个的顶表面和侧壁。 绝缘中间层可以形成在防扩散绝缘图案和阻挡层上，并且可以在相邻的导电图案之间具有气隙。