公开(公告)号：KR1020070043393A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：KR1020050099634

申请日：2005-10-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김택희 ,  이상권 ,  윤필상

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20

Abstract: 본 발명은 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로, 기판 상에 촉매 금속이 형성된 씨드층을 형성하는 단계와, 상기 씨드층 상에 비정질 실리콘막을 형성하는 단계 및 상기 촉매 금속을 통해 상기 비정질 실리콘막을 결정화하는 단계를 포함하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법과 이를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법을 제공한다.
액정 표시 장치, 박막 트랜지스터 기판, 금속 실리사이드, 촉매 금속, 비정질 실리콘

公开(公告)号：KR1020060071014A

公开(公告)日：2006-06-26

申请号：KR1020040109905

申请日：2004-12-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤필상 ,  김택희 ,  이성원 ,  최성곤

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133553 ,  G02F1/136227

Abstract: 제품의 수율을 향상시키기 위한 액정표시장치를 개시한다. 액정표시장치는 화소전극 상면에 구비되는 제1 반사전극을 포함한다. 제1 반사전극은 화소전극과 수소환원전위가 유사한 질화 금속으로 이루어진다. 이에 따라, 제1 반사전극은 제1 반사전극과 화소전극과의 사이로 전해질이 유입되더라도 부식이 발생하는 것을 방지할 수 있으므로, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.
반사전극, 부식, 환원전위

公开(公告)号：KR1020060058552A

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020040097631

申请日：2004-11-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김택희 ,  윤필상 ,  이성원 ,  최성곤

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295

Abstract: 니켈-카본-알루미늄합금의 손상을 방지하기 위한 금속 배선 형성방법과, 이를 구비한 어레이 기판 및 이의 제조 방법과, 이를 구비한 표시 패널이 개시되어 있다. 상기 금속 배선 형성방법은 기판 상에 니켈-카본-알루미늄합금층을 형성하는 단계와 상기 니켈-카본-알루미늄합금층 상에 포토레지스트 현상액으로부터 상기 니켈-카본-알루미늄합금층의 부식을 방지하는 질화금속막을 형성하는 단계와 포토레지스트 패턴에 노출된 질화금속막 및 니켈-카본-알루미늄합금층을 패터닝하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 니켈-카본-알루미늄합금배선을 액정표시장치의 양산 공정에 적용할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080041018A

公开(公告)日：2008-05-09

申请号：KR1020060109081

申请日：2006-11-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조능호 ,  정배현 ,  노영태 ,  이재형 ,  최연수 ,  전상호 ,  신영철 ,  김택희 ,  이형종

IPC: H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136227 ,  H01L27/1288

Abstract: A method for fabricating a TFT(thin film transistor) substrate is provided to avoid notching by adding hydrogen in forming a lower insulation layer, and to prevent a step open by using a multi slit in a connection region of a pixel electrode and a drain electrode. A gate interconnection is formed on a substrate. A first insulation layer(162) with added hydrogen is formed on the gate interconnection. A semiconductor layer and a data interconnection are formed on the first insulation layer. A second insulation layer is formed on the data interconnection. A photoresist layer(230) is formed on the second insulation layer, and an exposure and development process is performed to form a photoresist pattern in a manner that all the photoresist pattern in a contact hole formation region is removed and the photoresist pattern in a pixel electrode formation region is left by the same thickness. A blanket etch process is performed on the photoresist pattern to form a contact hole. After a light-transmitting conductive layer is formed on the resultant structure, the light-transmitting conductive layer on the photoresist pattern is lifted-off to form a pixel electrode. The light-transmitting conductive layer can be formed after the substrate is cleaned.

Abstract translation: 提供一种制造TFT（薄膜晶体管）基板的方法，以避免在形成下绝缘层时加入氢而引起切口，并且通过在像素电极和漏电极的连接区域中使用多狭缝来防止步骤打开 。 在基板上形成栅极互连。 在门互连上形成具有加氢的第一绝缘层（162）。 半导体层和数据互连形成在第一绝缘层上。 在数据互连上形成第二绝缘层。 在第二绝缘层上形成光致抗蚀剂层（230），并且进行曝光和显影处理以形成光致抗蚀剂图案，使得去除接触孔形成区域中的所有光致抗蚀剂图案，并且将像素中的光致抗蚀剂图案 电极形成区域保持相同的厚度。 在光致抗蚀剂图案上进行覆盖蚀刻工艺以形成接触孔。 在所得结构上形成透光导电层之后，光致抗蚀剂图案上的透光导电层被剥离以形成像素电极。 透光导电层可以在清洁基板之后形成。

公开(公告)号：KR1020060035164A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：KR1020040084526

申请日：2004-10-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김양선 ,  김택희

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124

Abstract: 다중 금속 배선 구조에서 금속 패턴 불량을 개선하기 위한 금속 배선과, 이를 구비한 어레이 기판 및 그의 제조 방법과, 이를 구비한 표시 패널이 개시된다. 금속 배선은, 기판에 형성된 제1 금속층과, 제1 금속층 위에 형성되어 제1 금속층의 부식을 억제하는 산화막, 및 산화막 위에 형성된 제2 금속층을 포함한다. 제1 금속층 아래에 형성된 제3 금속층을 더 포함하고, 제3 금속층은 제2 금속층과 실질적으로 동일한 금속물질이다. 이에 따라, 제1 금속층과 제2 금속층 사이에 산화막을 형성함으로써 상기 제1 금속층의 부식을 막는다.
산화막, 이중 금속층, 게이트 금속층, 알루미늄, 몰리브덴