公开(公告)号：KR102235611B1

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：KR1020140072349A

申请日：2014-06-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강율 ,  김동원 ,  김주영 ,  김태훈 ,  김혜지 ,  박수민 ,  이형래

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

Abstract: 패턴 형성 방법 및 집적회로 소자의 제조 방법을 제공한다. 패턴 형성 방법에서, 피식각막의 제1 영역을 노출시키는 제1 개구가 형성된 포토레지스트 패턴을 형성한다. 제1 개구를 한정하는 포토레지스트 패턴의 측벽에 캡핑층을 형성한다. 캡핑층으로부터의 산을 포토레지스트 패턴의 내부로 확산시켜 제1 개구 주위에 불용성 영역을 형성한다. 포토레지스트 패턴 중 불용성 영역을 사이에 두고 제1 개구와 이격된 가용성 영역을 제거하여 피식각막의 제2 영역을 노출시키는 제2 개구를 형성한다. 불용성 영역을 식각 마스크로 이용하여 피식각막을 식각한다.

公开(公告)号：WO2022260451A1

公开(公告)日：2022-12-15

申请号：PCT/KR2022/008135

申请日：2022-06-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김유미 ,  박수민 ,  박장표 ,  김준호 ,  정용원

IPC: D06F34/18 ,  D06F34/28 ,  D06F34/08 ,  G01J3/28 ,  G01H15/00 ,  G06N3/08 ,  D06F58/36

Abstract: 의류 관리기가 개시된다. 의류 관리기는, 의류를 수용하는 의류 관리실을 포함하는 본체, 감응하는 파장 대역이 상이하고 어레이 형태로 배열되는 복수의 수광 소자를 포함하는 광 센서 모듈, 및 프로세서를 포함한다. 프로세서는, 복수의 수광 소자에 의해 획득된 센싱 값에 기초하여 의류 관리실 내에 수용된 의류에 대한 분광 데이터를 획득하고, 분광 데이터에 기초하여 의류 관리실 내에 수용된 의류에 대응되는 특징 정보를 획득하고, 특징 정보를 학습된 신경망 모델에 입력하여 의류 관리실 내에 수용된 의류의 소재에 대한 정보를 획득하고, 의류 관리실 내에 수용된 의류의 소재에 대한 정보에 기초하여 상기 의류 관리기의 동작 코스를 결정한다.

公开(公告)号：KR101685652B1

公开(公告)日：2016-12-13

申请号：KR1020100052827

申请日：2010-06-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권흥규 ,  나민옥 ,  박성우 ,  박지현 ,  박수민

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/56 ,  H01L25/10 ,  H01L23/045 ,  H01L23/13

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552

Abstract: 반도체패키지들의적층구조들과그 제조방법들, 반도체패키지들의적층구조를포함하는반도체모듈및 전자시스템이설명된다. 본발명의기술적사상에의한반도체패키지들의적층구조는, 하부패키지기판및 상기하부패키지기판의상부에배치된하부반도체칩을포함하는하부반도체패키지, 상부패키지기판및 상기상부패키지기판의상부에배치된상부반도체칩을포함하는상부반도체패키지, 및상기하부패키지기판과상기상부패키지기판을전기적으로연결하는패키지간연결부를포함하고, 상기패키지간연결부는상기하부패키지기판의상부에형성된제1 수직높이를가진하부연결부및 상기상부패키지기판의하부에형성된상기제1 수직높이보다큰 제2 수직높이를가진상부연결부를포함한다.

Abstract translation: 目的：提供半导体封装及其制造方法，通过布置信号传输线之间的屏蔽接地互连来防止或减少通过信号传输线传输的电信号的干扰。 构成：下半导体封装（105L）包括布置在下封装衬底（110L）的上表面上的下半导体芯片（115L）。 上半导体封装（105U）包括布置在上封装衬底（110U）的上表面上的上半导体芯片（115U）。 封装间连接器（150a）将下封装基板连接到上封装基板。 下模塑料（130L）包围芯片凸块（120）。 在下封装半导体衬底的下侧形成焊球（125）。

公开(公告)号：KR1020150143169A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：KR1020140072349

申请日：2014-06-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강율 ,  김동원 ,  김주영 ,  김태훈 ,  김혜지 ,  박수민 ,  이형래

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/3086 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888

Abstract: 패턴형성방법및 집적회로소자의제조방법을제공한다. 패턴형성방법에서, 피식각막의제1 영역을노출시키는제1 개구가형성된포토레지스트패턴을형성한다. 제1 개구를한정하는포토레지스트패턴의측벽에캡핑층을형성한다. 캡핑층으로부터의산을포토레지스트패턴의내부로확산시켜제1 개구주위에불용성영역을형성한다. 포토레지스트패턴중 불용성영역을사이에두고제1 개구와이격된가용성영역을제거하여피식각막의제2 영역을노출시키는제2 개구를형성한다. 불용성영역을식각마스크로이용하여피식각막을식각한다.

Abstract translation: 提供一种用于形成图案的方法和用于制造集成电路器件的方法。 在形成图案的方法中，形成具有第一开口以暴露要蚀刻的对象层的第一区域的光致抗蚀剂图案。 在限定第一开口的光致抗蚀剂图案的侧壁上形成覆盖层。 通过将酸从覆盖层扩散到光致抗蚀剂图案中，在第一开口周围形成不溶性区域。 通过去除与第一开口分离的可溶性区域，同时插入光致抗蚀剂图案的不溶区域，来形成用于暴露被蚀刻对象层的第二区域的第二开口。 通过使用不溶性区域作为蚀刻掩模来蚀刻待蚀刻的对象层。

公开(公告)号：KR1020140124631A

公开(公告)日：2014-10-27

申请号：KR1020130042390

申请日：2013-04-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임호혁 ,  김종국 ,  박수민

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/3128 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/17104 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00

Abstract: 반도체 칩, 칩 부착면 위에 본드 사이트들이 형성된 패키지 기판, 및 상기 반도체 칩의 활성면 상에 부착되고 상기 본드 사이트들에 접합되는 범프들을 포함하되, 상기 본드 사이트들은 상기 패키지 기판의 중앙부를 기준으로 방사형으로 배열된 플립 칩 반도체 패키지가 제공된다.

Abstract translation: 提供了一种倒装芯片半导体封装，其包括半导体芯片，在芯片安装表面上具有键合位置的封装基板以及附着到半导体芯片的有源表面上并被粘合到键合位置的凸块。 键合位置基于封装衬底的中心部分径向布置。

公开(公告)号：KR1020160117818A

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：KR1020150045423

申请日：2015-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박민주 ,  나혜섭 ,  윤효진 ,  김경선 ,  김수민 ,  김현우 ,  박수민 ,  한소라

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 반도체소자의제조방법이제공된다. 반도체소자의제조방법은하부막상에반사방지막을형성하는것; 상기반사방지막상에포토레지스트패턴들을형성하는것; 상기포토레지스트패턴들을각각덮는보호패턴들을형성하는것; 상기보호패턴들로덮인상기포토레지스트패턴들을식각마스크로이용하여상기반사방지막을식각함으로써반사방지패턴들을형성하는것; 상기반사방지패턴들의측벽들을덮는스페이서들을형성하는것; 및상기반사방지패턴들을제거하는것을포함할수 있다.

公开(公告)号：KR1020120069293A

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：KR1020100130786

申请日：2010-12-20

Applicant: 제일모직주식회사 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 조현용 ,  정민국 ,  정지영 ,  이종화 ,  유용식 ,  이정우 ,  전환승 ,  김수영 ,  김영호 ,  김재현 ,  박수민

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/016 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0233 ,  H01L23/293 ,  H01L2924/0002 ,  H01L21/0273 ,  G03F7/0163 ,  G03F7/0166 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  H01L21/0274 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A positive type photo-sensitive resin composition is provided to improve patter shapes by including polybenzoxazole precursors, photo-sensitive diazoquinone compounds, silane compounds, phenol compounds, and a solvent. CONSTITUTION: A positive type photo-sensitive resin composition includes polybenzoxazole precursors, photo-sensitive diazoquinone compounds, silane compounds, phenol compounds, and a solvent. The polybenzoxazole precursors include repeating units represented by chemical formula 1. In chemical formula 1, X1 and X2 are respectively aromatic organic groups or tetravalent to hexavalent aliphatic organic groups; Y1 is an aromatic organic group or a divalent to hexavalent organic group; R1 and R2 are respectively C1 to C6 alkylene groups; and R3 is a C1 to C6 alkyl group.

Abstract translation: 目的：提供正型感光树脂组合物，通过包括聚苯并恶唑前体，光敏重氮醌化合物，硅烷化合物，酚化合物和溶剂来改善图案形状。 构成：正型感光树脂组合物包括聚苯并恶唑前体，光敏重氮醌化合物，硅烷化合物，酚化合物和溶剂。 聚苯并恶唑前体包括由化学式1表示的重复单元。在化学式1中，X 1和X 2分别是芳族有机基团或四价至六价的脂族有机基团; Y1是芳族有机基团或二价至六价有机基团; R1和R2分别为C1〜C6亚烷基; 且R 3为C 1至C 6烷基。

公开(公告)号：KR1020110025526A

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：KR1020090083632

申请日：2009-09-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정도 ,  김종국 ,  이석원 ,  이재식 ,  임호혁 ,  박수민

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A semiconductor chips and a manufacturing method thereof are provided to improve the reliability of an integrated circuit by preventing the generation of the crack within the insulation layers. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(10) comprises a main chip area and a scribe lane area that surrounds the main chip area. An insulating layer(31) is arranged on the semiconductor substrate. A guard ring(34) is formed within the insulating layer within the scribe lane area. The guard ring surrounds at least a part of the main chip area.

Abstract translation: 目的：提供半导体芯片及其制造方法，以通过防止在绝缘层内产生裂纹来提高集成电路的可靠性。 构成：半导体衬底（10）包括主芯片区域和围绕主芯片区域的划线通道区域。 绝缘层（31）布置在半导体衬底上。 保护环（34）形成在划线区域内的绝缘层内。 保护环围绕主芯片区域的至少一部分。

公开(公告)号：KR102235611B1

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：KR1020140072349

申请日：2014-06-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강율 ,  김동원 ,  김주영 ,  김태훈 ,  김혜지 ,  박수민 ,  이형래

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

Abstract: 패턴형성방법및 집적회로소자의제조방법을제공한다. 패턴형성방법에서, 피식각막의제1 영역을노출시키는제1 개구가형성된포토레지스트패턴을형성한다. 제1 개구를한정하는포토레지스트패턴의측벽에캡핑층을형성한다. 캡핑층으로부터의산을포토레지스트패턴의내부로확산시켜제1 개구주위에불용성영역을형성한다. 포토레지스트패턴중 불용성영역을사이에두고제1 개구와이격된가용성영역을제거하여피식각막의제2 영역을노출시키는제2 개구를형성한다. 불용성영역을식각마스크로이용하여피식각막을식각한다.

公开(公告)号：KR1020160097675A

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：KR1020150019667

申请日：2015-02-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김수민 ,  김현우 ,  윤효진 ,  김경선 ,  나혜섭 ,  박수민 ,  한소라

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0276 ,  G03F7/091 ,  G03F7/325 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  G03F7/20 ,  H01L21/02255

Abstract: 본발명은미세패턴형성방법에관한것으로서, 더욱구체적으로는기판위에피식각막을형성하는단계; 상기피식각막위에반사방지막을형성하는단계; 상기반사방지막위에포토레지스트막을형성하는단계; 상기포토레지스트막을노광하는단계; 상기반사방지막및 상기포토레지스트막을열처리함으로써상기반사방지막과상기포토레지스트막사이에공유결합을형성하는단계; 및상기포토레지스트막을현상하는단계를포함하는반도체소자의제조방법이제공된다. 본발명의미세패턴형성방법을이용하면높은종횡비를갖는미세패턴을패턴붕괴없이제조할수 있는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及形成微图案的方法。 更具体地说，本发明是提供一种制造半导体器件的方法，其包括以下步骤：在衬底上形成蚀刻靶膜; 在蚀刻靶膜上形成抗反射膜; 在抗反射膜上形成光致抗蚀剂膜; 曝光光刻胶膜; 对抗反射膜和光致抗蚀剂膜进行热处理，以在防反射膜和光致抗蚀剂膜之间形成共价键; 并显影光致抗蚀剂膜。 当使用根据本发明的形成微图案的方法时，可以在没有图案折叠的情况下制造具有高纵横比的微图案。