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公开(公告)号：KR1020130126027A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：KR1020120049763
申请日：2012-05-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66666 , H01L27/1052 , H01L27/10876 , H01L27/228 , H01L27/2454 , H01L27/10864
Abstract: A semiconductor device with a vertical channel transistor and a manufacturing method thereof are provided. The manufacturing method comprises the steps of: forming a trench which defines an active region by patterning a substrate; forming a sacrificial pattern on the lower region of the trench; forming a spacer on the upper sidewall of the trench; recessing the upper surface of the sacrificial pattern; forming a window which exposes the sidewall of the active region between the spacer and the sacrificial pattern; forming an impurity region on the active region by doping the sidewall of the trench through the window; and forming a wire electrically connected to the impurity region within the trench.
Abstract translation: 提供具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法。 制造方法包括以下步骤：通过图案化衬底形成限定有源区的沟槽; 在沟槽的下部区域形成牺牲图案; 在沟槽的上侧壁上形成间隔物; 使牺牲图案的上表面凹陷; 形成窗口，所述窗口暴露所述间隔物和所述牺牲图案之间的所述有源区域的侧壁; 通过将沟槽的侧壁掺杂通过窗口在有源区上形成杂质区; 以及形成电连接到沟槽内的杂质区的导线。
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公开(公告)号：KR100502420B1
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：KR1020030034505
申请日：2003-05-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 증착 장치에 관한 것으로, 상기 장치는 처리실, 상기 처리실 내에 배치되며 반도체 기판이 놓여지는 서셉터, 상기 처리실 내부를 공정온도로 유지하는 히터, 그리고 상기 반도체 기판을 향해 반응가스를 분사하는 샤워헤드를 가지며, 상기 샤워헤드의 표면은 열이 반사되는 것을 최소화하기 위해 반사방지막으로 코팅된다.
상술한 구조를 가지는 본 발명의 장치에 의하면 일정시간 증착공정이 진행되어 샤워헤드 및 배기플레이트에 반응가스들이 증착되더라도, 처리실 내의 공정온도를 균일하게 유지할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020140036605A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：KR1020120102906
申请日：2012-09-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L21/28114 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/4983 , H01L29/51 , H01L29/66621 , H01L29/66666 , H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/42368
Abstract: A semiconductor device and a fabricating method thereof are provided. The semiconductor device includes a first trench formed in a substrate, a first insulating layer which is formed in the sidewall and the bottom of the first trench and is not formed in the upper surface of the substrate; and a first conductive layer filling a part of the first trench on the first insulating layer. The first insulating layer includes a first part overlapped with the first conductive layer and a second part not overlapped with the first conductive layer. The second part includes a first fixed charge.
Abstract translation: 提供了一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括形成在衬底中的第一沟槽，形成在第一沟槽的侧壁和底部并且不形成在衬底的上表面中的第一绝缘层; 以及填充第一绝缘层上的第一沟槽的一部分的第一导电层。 第一绝缘层包括与第一导电层重叠的第一部分和不与第一导电层重叠的第二部分。 第二部分包括第一固定费用。
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公开(公告)号：KR1020050109202A
公开(公告)日：2005-11-17
申请号：KR1020040034269
申请日：2004-05-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남기홍
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02 , B29C37/0071 , H01L21/67005
Abstract: 진공 챔버의 진공도를 유지하면서, 진공 챔버 내부의 오염을 방지할 수 있는 반도체 제조 장치를 개시한다. 개시된 본 발명의 반도체 제조 장치는, 진공 챔버, 상기 진공 챔버와 진공 라인에 의해 연결된 펌프, 상기 진공 챔버 및 펌프 사이의 진공 라인에 설치되는 압력 콘트롤러, 및 상기 압력 콘트롤러 및 펌프 사이에 위치되는 파우더 집진기를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150095048A
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：KR1020140016099
申请日：2014-02-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L21/76224 , H01L29/4236 , H01L29/66621 , H01L29/78 , H01L29/7827 , H01L29/7846
Abstract: 반도체 소자를 제공한다. 이 반도체 소자는 활성 영역을 갖는 반도체 기판을 포함한다. 상기 활성 영역을 가로지르는 게이트 트렌치가 배치된다. 상기 게이트 트렌치 양 옆의 상기 활성 영역 내에 제1 및 제2 소스/드레인 영역들이 배치된다. 상기 게이트 트렌치 내에 게이트 전극이 배치된다. 상기 게이트 전극과 상기 활성 영역 사이에 게이트 유전 막이 배치된다. 상기 게이트 전극 상에 그리고 상기 게이트 트렌치 내에 응력 패턴이 배치된다. 상기 응력 패턴은 실리콘 질화물 보다 낮은 잔류 응력(residual stress)을 갖는다.
Abstract translation: 本发明提供一种半导体器件。 半导体器件包括具有活性区的半导体衬底。 设置穿过活动区域的栅极沟槽。 第一和第二源极/漏极区域设置在栅极沟槽两侧的有源区域内。 栅电极设置在栅极沟槽内。 栅电介质层设置在栅电极和有源区之间。 应力图案设置在栅极电极和栅极沟槽内。 应力模式具有比氮化硅更低的残余应力。
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公开(公告)号：KR1020040087468A
公开(公告)日：2004-10-14
申请号：KR1020030021874
申请日：2003-04-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/324
Abstract: PURPOSE: An apparatus for manufacturing a semiconductor device with an ozone generator is provided to prevent pressure fluctuation of an MFC(Mass Flow Controller) by using a pressure controller and to minimize surplus ozone by using the MFC. CONSTITUTION: An apparatus comprises a reaction chamber(160), an ozone generator(130) connected to the chamber for supplying ozone, an ozone controller(150), a pressure controller(140), and a CPU(Central Processing Unit)(100) for controlling the ozone generator and the ozone controller. The ozone controller is formed between the chamber and the ozone generator for controlling mass flow of ozone. The pressure controller is formed at a bypass line(132) branching from a supply line(131) connected to the ozone generator and the ozone controller.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有臭氧发生器的半导体器件的装置，以通过使用压力控制器来防止MFC（质量流量控制器）的压力波动，并且通过使用MFC来最小化多余的臭氧。 构成：设备包括反应室（160），连接到用于供应臭氧的室的臭氧发生器（130），臭氧控制器（150），压力控制器（140）和CPU（中央处理单元）（100 ）用于控制臭氧发生器和臭氧控制器。 臭氧控制器形成在室和臭氧发生器之间，用于控制臭氧的质量流动。 压力控制器形成在从连接到臭氧发生器和臭氧控制器的供应管线（131）分支的旁路管线（132）处。
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公开(公告)号：KR1020020021283A
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：KR1020000054059
申请日：2000-09-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남기홍
IPC: H01L21/02
Abstract: PURPOSE: A pumping system of a semiconductor fabricating device is provided to prevent an inflow phenomenon of lumps of particles into a vacuum pump by using a pulverizer for pulverizing lumps of particles. CONSTITUTION: A pumping system(100) is formed with a vacuum line(110), a turbo pump(120), a rough pump(130), and an alien substance shield portion. The vacuum line is connected with a process chamber(200) in a diffusion process. The rough pump(130) and the turbo pump(120) are connected with the process chamber(200) through the vacuum line(110). The turbo pump(120) is installed between the process chamber(200) and the rough pump(130). The alien substance shield portion is formed by a pulverizer(140). The pulverizer(140) is used for pulverizing lumps of particles.
Abstract translation: 目的：提供半导体制造装置的泵送系统，以通过使用用于粉碎颗粒块的粉碎机来防止颗粒块流入真空泵的流入现象。 构成：泵送系统（100）形成有真空管线（110），涡轮泵（120），粗泵（130）和异物物质屏蔽部分。 真空管线在扩散过程中与处理室（200）连接。 粗泵（130）和涡轮泵（120）通过真空管线（110）与处理室（200）连接。 涡轮泵（120）安装在处理室（200）和粗泵（130）之间。 外来物质屏蔽部分由粉碎机（140）形成。 粉碎机（140）用于粉碎颗粒块。
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公开(公告)号：KR1019990051403A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970070720
申请日：1997-12-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B01D47/00
Abstract: 상단과 하단 배기 라인 내부에, 이를 통과하는 배기 가스 내의 분말을 포집한 후, 포집된 분말을 제거하기 위한 물을 분사하는 물 분사장치를 구비한 배기 가스 처리 장치에 관하여 개시한다. 배기 가스 처리 장치는 상단과 하단으로 분리된 배기 라인이 구비된 배기 가스 처리 장치의 하단 배기 라인을 거쳐 상단 배기 라인을 연속적으로 통과하는 배기 가스 내의 분말을 포집한 후, 물을 분사하여 포집된 분말을 제거하는 물 분사 장치가 상단 배기 라인과 하단 배기 라인 내부에 구비되는 것을 특징으로 한다. 이로써, 상단 배기 라인 내의 가스 분말 잔류를 억제할 수 있으므로, 잔류된 가스 분말 제거를 위한 분해 검사의 회수가 줄어들어 작업자의 작업효율을 향상시킬 수 있으며, 잔류된 가스 분말로 인한 설비의 다운이 줄어들게 됨으로써 설비 가동율을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020040103556A
公开(公告)日：2004-12-09
申请号：KR1020030034505
申请日：2003-05-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A deposition apparatus used for fabricating a semiconductor element is provided to maintain uniformly a process temperature within the process chamber though the reaction gas is deposited onto a shower head and an exhaust plate during the deposition process. CONSTITUTION: A susceptor(160) is installed at the inside of a process chamber(120). A semiconductor substrate is loaded on the susceptor. A heater(180) is used for maintaining a constant process temperature within a process chamber. A shower head(300) is used for spraying a reaction gas toward the semiconductor substrate. An anti-reflective layer(360) is coated on a surface of the shower head in order to minimize heat reflection from the surface of the shower head.
Abstract translation: 目的：提供用于制造半导体元件的沉积装置，以在沉积过程中反应气体沉积到喷淋头和排气板上，以均匀地保持处理室内的工艺温度。 构成：基座（160）安装在处理室（120）的内部。 将半导体衬底装载在基座上。 加热器（180）用于在处理室内保持恒定的工艺温度。 喷淋头（300）用于向半导体基板喷射反应气体。 为了使来自淋浴头表面的热反射最小化，在淋浴喷头的表面上涂敷防反射层（360）。
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