公开(公告)号：KR100581279B1

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：KR1020030035404

申请日：2003-06-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박동진 ,  전상문 ,  도인회 ,  전필권

IPC: G03F7/32

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3263 ,  G03F7/425 ,  H01L21/31133 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00014

Abstract: 간단한 공정으로 효과적으로 포토레지스트를 제거할 수 있는 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 범프 형성방법이 개시되어 있다. 금속 배선 패턴이 형성된 기판 상에 상기 금속 패턴의 상부를 부분적으로 노출시키는 개구부를 갖는 보호막 패턴을 형성한다. 상기 보호막 패턴상에 범프 개구부를 갖는 포토레지스트 패턴하고, 상기 범프 개구부에 금속을 성장시켜 범프를 형성한다. 다음에, 상기 포토레지스트 패턴을 모노에탄올아민 및 디메틸아세트아미드를 주성분으로 함유하는 포토레지스트 스트립퍼용액으로 제거한다. 효율적으로 완벽하게 포토레지스트 패턴을 제거할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050099721A

公开(公告)日：2005-10-17

申请号：KR1020040024897

申请日：2004-04-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황동원 ,  전필권 ,  이성재 ,  이재석 ,  전상문 ,  도인회

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02057

Abstract: 금속 이온과 결합하여 착화합물을 형성할 수 있는 적어도 1 종류의 유기 화합물로 이루어지는 킬레이트제와, 순수(de-ionized water)와, pH 조절제로 이루어지는 웨이퍼 세정액의 금속 측정 시약과, 웨이퍼 세정액의 금속 오염 모니터링 장치 및 방법에 관하여 개시한다. 금속 측정 시약은 전이금속 이온 또는 중금속 이온과 결합하여 착화합물을 형성할 수 있는 제1 킬레이트제, 3족 금속 이온과 결합하여 착화합물을 형성할 수 있는 제2 킬레이트제, 또는 상기 제1 킬레이트제 및 상기 제2 킬레이트제의 혼합물로 이루어진다. 세정조 내의 세정액에서의 금속 오염을 실시간으로 모니터링하여, 세정액 중의 Al을 포함한 모든 금속에 대하여 그 오염량을 실시간으로 정확하게 검출하기 위하여 세정액과 상기 금속 측정 시약이 소정의 부피비로 혼합된 혼합 유체를 형성하여 착화합물을 형성하고, 혼합 유체의 흡광도 변화를 모니터링한다.

公开(公告)号：KR1020050037332A

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：KR1020040000235

申请日：2004-01-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고용균 ,  전상문 ,  도인회 ,  전필권 ,  이상미 ,  임광신 ,  한명옥

IPC: H01L21/306

CPC classification number: C09K13/08 ,  C11D1/008 ,  C11D1/72 ,  C11D3/042 ,  C11D3/046 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/31111

Abstract: 높은 식각 선택비를 갖는 식각 조성물, 이의 제조 방법, 이를 이용한 산화막의 선택적 식각 방법 및 반도체 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. 상기 식각 조성물은 불화수소용액 약 0.1∼8 중량％, 불화암모늄 약 10∼25 중량％, 비이온성 고분자 계면활성제 약 0.0001∼3 중량％ 및 나머지 중량％의 순수를 포함한다. 폴리실리콘으로 이루어진 패턴 또는 스토리지 전극을 효과적으로 보호할 수 있는 식각 조성물을 사용하여 습식 식각 공정으로 산화막을 선택적으로 제거하기 때문에, 높은 식각 선택비로 산화막을 제거할 수 있는 동시에 폴리실리콘막이 손상을 입는 것을 방지할 수 있다. 또한, 산화막을 선택적으로 제거하는 습식 식각 공정의 식각 균일성을 크게 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100585139B1

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020040024897

申请日：2004-04-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황동원 ,  전필권 ,  이성재 ,  이재석 ,  전상문 ,  도인회

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02057

Abstract: 금속 이온과 결합하여 착화합물을 형성할 수 있는 적어도 1 종류의 유기 화합물로 이루어지는 킬레이트제와, 순수(de-ionized water)와, pH 조절제로 이루어지는 웨이퍼 세정액의 금속 측정 시약과, 웨이퍼 세정액의 금속 오염 모니터링 장치 및 방법에 관하여 개시한다. 금속 측정 시약은 전이금속 이온 또는 중금속 이온과 결합하여 착화합물을 형성할 수 있는 제1 킬레이트제, 3족 금속 이온과 결합하여 착화합물을 형성할 수 있는 제2 킬레이트제, 또는 상기 제1 킬레이트제 및 상기 제2 킬레이트제의 혼합물로 이루어진다. 세정조 내의 세정액에서의 금속 오염을 실시간으로 모니터링하여, 세정액 중의 Al을 포함한 모든 금속에 대하여 그 오염량을 실시간으로 정확하게 검출하기 위하여 세정액과 상기 금속 측정 시약이 소정의 부피비로 혼합된 혼합 유체를 형성하여 착화합물을 형성하고, 혼합 유체의 흡광도 변화를 모니터링한다.
Al, 전이금속, 킬레이트제, 금속 오염, 모니터링, 실시간, 세정액

公开(公告)号：KR100558194B1

公开(公告)日：2006-03-10

申请号：KR1020040000235

申请日：2004-01-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고용균 ,  전상문 ,  도인회 ,  전필권 ,  이상미 ,  임광신 ,  한명옥

IPC: H01L21/306

Abstract: 높은 식각 선택비를 갖는 식각 조성물, 이의 제조 방법, 이를 이용한 산화막의 선택적 식각 방법 및 반도체 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. 상기 식각 조성물은 불화수소용액 약 0.1∼8 중량％, 불화암모늄 약 10∼25 중량％, 비이온성 고분자 계면활성제 약 0.0001∼3 중량％ 및 나머지 중량％의 순수를 포함한다. 폴리실리콘으로 이루어진 패턴 또는 스토리지 전극을 효과적으로 보호할 수 있는 식각 조성물을 사용하여 습식 식각 공정으로 산화막을 선택적으로 제거하기 때문에, 높은 식각 선택비로 산화막을 제거할 수 있는 동시에 폴리실리콘막이 손상을 입는 것을 방지할 수 있다. 또한, 산화막을 선택적으로 제거하는 습식 식각 공정의 식각 균일성을 크게 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040104033A

公开(公告)日：2004-12-10

申请号：KR1020030035404

申请日：2003-06-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박동진 ,  전상문 ,  도인회 ,  전필권

IPC: G03F7/32

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3263 ,  G03F7/425 ,  H01L21/31133 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00014

Abstract: PURPOSE: Provided is a stripper composition for stripping a photoresist pattern efficiently, which has a simple composition and is useful for the formation of a bump, i.e., a connection terminal in semiconductor chips. CONSTITUTION: The composition for stripping a photoresist pattern in order to form a bump essentially comprises 13-37 wt% of monoethanolamine and 63-87 wt% of dimethylacetamide. The method for forming a bump comprises the steps of: providing a substrate(110) having a metal line pattern(100) and forming a protection layer pattern(120) having an opening through which the top of the metal pattern is exposed partially; forming a photoresist pattern having a bump opening for exposing the first opening on the protection layer pattern; forming a bump(160) by growing metal in the bump opening; and stripping the photoresist pattern with the above photoresist stripper composition.

Abstract translation: 目的：提供一种有效剥离光致抗蚀剂图案的剥离剂组合物，其具有简单的组成并且可用于形成凸块，即半导体芯片中的连接端子。 构成：用于剥离光致抗蚀剂图案以形成凸块的组合物基本上包含13-37重量％的单乙醇胺和63-87重量％的二甲基乙酰胺。 用于形成凸块的方法包括以下步骤：提供具有金属线图案（100）并形成具有开口的保护层图案（120）的基底（110），金属图案的顶部通过该开口部分露出; 形成具有用于暴露所述保护层图案上的所述第一开口的凸起开口的光致抗蚀剂图案; 通过在所述凸起开口中生长金属来形成凸块（160）; 并用上述光致抗蚀剂剥离剂组合物剥离光刻胶图案。