公开(公告)号：KR1020070068089A

公开(公告)日：2007-06-29

申请号：KR1020050129835

申请日：2005-12-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 우재영 ,  이헌정 ,  임광신 ,  고용균

IPC: H01L21/304

Abstract: An apparatus for drying a semiconductor substrate is provided to prevent external particles from being introduced into a dry region in a process chamber by protecting the dry region by interception gas. A process chamber(100) is composed of a bath(130) and a cover for opening/shutting the upper part of the bath wherein a semiconductor substrate is received in the bath in which a dry process is performed. A cooling member(400) cools dry gas transferring to the upper part of the bath, installed in the upper part of the bath. An interception gas supply member(500) supplies interception gas to prevent the dry gas from flowing to the outside of the bath wherein the interception gas forms an interception layer on the cooling member in the bath. A robot arm vertically transfers a substrate to be dried to the inside and outside of the bath, positioned on the process chamber.

Abstract translation: 提供了用于干燥半导体衬底的装置，以通过拦截气体保护干燥区域来防止外部颗粒被引入处理室中的干燥区域。 处理室（100）由浴（130）和用于打开/关闭浴的上部的盖组成，其中半导体衬底被接收在进行干法处理的浴中。 冷却构件（400）冷却转移到浴的上部的干燥气体，其安装在浴的上部。 拦截气体供应构件（500）供应拦截气体，以防止干气体流到浴室外面，其中拦截气体在浴缸中的冷却构件上形成拦截层。 机器人臂垂直地将要干燥的基底转移到位于处理室上的浴内部和外部。

公开(公告)号：KR100694571B1

公开(公告)日：2007-03-13

申请号：KR1020020002791

申请日：2002-01-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고용균

IPC: H01L21/304

Abstract: 케미컬 필터에 잔재하는 오염 물질을 완전히 제거하는 세정 방법 및 장치가 개시되어 있다. 세정을 수행하기 위한 대상 필터가 장착된 순환 라인 내로 이소프로필 알코올을 플로우한 후, 순환시킨다. 상기 순환 라인 내로 탈이온수를 플로우한다. 상기 순환 라인 내에 질산 및 탈이온수가 혼합된 혼합 케미컬을 채운 후 순환 라인 내에서 순환시키는 단계와, 상기 순환 라인으로 탈이온수를 플로우하는 단계 및 상기 플로우된 탈이온수 내에 남아있는 상기 혼합 케미컬 성분이 설정된 기준치 이하가 될 때까지 계속하여 탈이온수를 플로우하는 단계를 수행하여 케미컬 필터를 세정한다. 상기 방법에 의하면, 필터 내에 잔재하는 유기 성분 및 금속성 오염물을 완전히 제거할 수 있다. 따라서, 상기 케미컬 필터에 남아있는 오염물에 의해 발생되는 공정 불량을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050037332A

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：KR1020040000235

申请日：2004-01-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고용균 ,  전상문 ,  도인회 ,  전필권 ,  이상미 ,  임광신 ,  한명옥

IPC: H01L21/306

CPC classification number: C09K13/08 ,  C11D1/008 ,  C11D1/72 ,  C11D3/042 ,  C11D3/046 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/31111

Abstract: 높은 식각 선택비를 갖는 식각 조성물, 이의 제조 방법, 이를 이용한 산화막의 선택적 식각 방법 및 반도체 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. 상기 식각 조성물은 불화수소용액 약 0.1∼8 중량％, 불화암모늄 약 10∼25 중량％, 비이온성 고분자 계면활성제 약 0.0001∼3 중량％ 및 나머지 중량％의 순수를 포함한다. 폴리실리콘으로 이루어진 패턴 또는 스토리지 전극을 효과적으로 보호할 수 있는 식각 조성물을 사용하여 습식 식각 공정으로 산화막을 선택적으로 제거하기 때문에, 높은 식각 선택비로 산화막을 제거할 수 있는 동시에 폴리실리콘막이 손상을 입는 것을 방지할 수 있다. 또한, 산화막을 선택적으로 제거하는 습식 식각 공정의 식각 균일성을 크게 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040099201A

公开(公告)日：2004-11-26

申请号：KR1020040083689

申请日：2004-10-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이헌정 ,  박상오 ,  고용균 ,  전필권

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/68785

Abstract: PURPOSE: Wafer guides used in cleaning and dry processes of a semiconductor substrate is provided to increase dry efficiency of wafers by using an auxiliary wafer guide broader than a main wafer guide or a wafer align unit to uniformly control intervals between the wafers. CONSTITUTION: A support panel is prepared. At least three parallel vertical panels include a central panel that crosses the center of the support panel and is attached to one surface of the support panel. The at least three parallel vertical panels has a vertical body panel(81) and a plurality of protrusions(83) defining a plurality of slots(85) that extend upward from the upper surface of the body panel and hold a plurality of semiconductor wafers(99). An alignment unit controls the real widths of the slots of at least the central panel to make the semiconductor wafers separated from each other by a uniform interval.

Abstract translation: 目的：提供用于半导体衬底的清洁和干燥工艺中的晶片引导件，以通过使用比主晶片引导件或晶片对准单元更宽的辅助晶片引导件来提高晶片的干燥效率，以均匀地控制晶片之间的间隔。 规定：准备了一个支援小组。 至少三个平行的垂直面板包括穿过支撑面板的中心并连接到支撑面板的一个表面的中心面板。 所述至少三个平行的垂直面板具有垂直的主体面板（81）和多个凸起（83），所述多个凸起（83）限定从所述主体面板的上表面向上延伸并保持多个半导体晶片的多个狭槽（85） 99）。 对准单元控制至少中心面板的槽的实际宽度，以使半导体晶片彼此间隔均匀。

公开(公告)号：KR1020020077592A

公开(公告)日：2002-10-12

申请号：KR1020010017353

申请日：2001-04-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손병우 ,  고용균

IPC: H01L21/261

Abstract: PURPOSE: An ion transition apparatus and a method for ion transition in ion implantation equipment are provided to prevent contamination of the ion implantation equipment by exhausting rapidly magnesium vapor to the outside without recrystallizing magnesium. CONSTITUTION: An ion transition chamber(220) is used as a main body of an ion transition apparatus(200). A sublimation heater(227) is mounted on an inner wall of the ion transition chamber(220) in order to heat the ion transition chamber(220). A lump of magnesium is loaded on an inner bottom of the ion transition chamber(220). A collector cup(240) is connected with the ion transition chamber(220). An ion beam inlet portion(241) and an ion beam outlet portion(243) are formed at both ends of the collector cup(240). A heater(247) is installed on an inner wall of the collector cup(240) or on an outer wall of the collector cup(240). A cold trap(260) is connected with a bottom face of the collector cup(240). A plurality of cold ribs(265) are formed in an inside of the cold trap(260). An exhaust path(280) is connected with the cold trap(260) in order to exhaust magnesium vapor to the outside. A vacuum pump(290) is installed at an intermediate point of the exhaust path(280).

Abstract translation: 目的：提供离子迁移装置和离子注入设备中的离子转移方法，以通过将镁蒸气快速排出到外部而不使镁重结晶来防止离子注入设备的污染。 构成：离子过渡室（220）用作离子转移装置（200）的主体。 升华加热器（227）安装在离子过渡室（220）的内壁上，以加热离子过渡室（220）。 一块镁的载荷被装载在离子过渡室（220）的内底上。 集电杯（240）与离子过渡室（220）连接。 离子束入口部分（241）和离子束出口部分（243）形成在收集杯（240）的两端。 加热器（247）安装在收集杯（240）的内壁上或收集杯（240）的外壁上。 冷阱（260）与收集杯（240）的底面连接。 多个冷肋（265）形成在冷阱（260）的内部。 排气路径280与冷阱260连接，以将镁蒸汽排出到外部。 真空泵（290）安装在排气路径（280）的中间点处。

公开(公告)号：KR1019990056779A

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970076791

申请日：1997-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고용균

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 밸브세정장치 및 이의 구동방법 그리고 밸브의 세정방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 밸브세정장치는 피세정밸브를 장착하는 밸브장착부, 선택적으로 탈이온수 또는 케미컬을 상기 밸브장착부에 공급할 수 있는 탈이온수 공급수단 및 케미컬 공급수단, 탈이온수방출라인 및 케미컬회수라인이 구비되고, 본 발명에 따른 밸브세정장치의 구동방법은 상기 밸브장착부에 피세정밸브를 장착하는 단계, 상기 탈이온수를 상기 피세정밸브에 공급한 후 탈이온수방출라인으로 방출시키는 단계, 상기 케미컬을 상기 피세정밸브에 공급한 후 상기 케미컬회수라인을 통해서 상기 케미컬 공급수단으로 순환시키는 단계를 구비하며, 본 발명에 따른 밸브의 세정방법은 1차 탈이온수세정하는 단계, 1차 케미컬세정하는 단계, 2차 탈이온수세정하는 단계 및 2차 케미컬세정하는 단계를 구비하여 이루어진다.
따라서, 테프론밸브 등의 밸브 내부에 존재하는 불순물을 용이하게 제거함으로서 상기 테프론밸브가 반도체장치 제조설비 등에 장착되어 오염원으로 작용하는 것을 예방할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980066820A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970002549

申请日：1997-01-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고용균

IPC: G01N31/20

Abstract: 본 발명에 의한 대기중의 금속성 불순물 분석방법은, 바틀을 세정하는 단계와, 0.2%의 HNO
3 로 이루어진 분석 시료를 제조하는 단계와, 상기 바틀 내에 상기 분석 시료를 주입하는 단계와, 상기 분석시료가 주입된 상기 바틀을 평가 대상 지점에 소정 시간동안 방치하는 단계 및, 상기 바틀 내의 분석 시료를 고온 탄소로 흡수 분광기를 이용하여 분석하는 단계로 이루어져, 종래의 분석 작업시 평가 불가능하였던 금속성 불순물(예컨대, Na, Fe, Al, Cu, Ca, Cr, Zn 등)을 분석하는 것이 가능하게 되어 반도체 소자 제조 라인 내의 정확한 환경평가를 할 수 있게 되고, 이로 인해 반도체 소자 제조시 환경오염에 의해 발생되는 불량 원인 규명에도 큰 효과를 볼수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019970063531A

公开(公告)日：1997-09-12

申请号：KR1019960003399

申请日：1996-02-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 길준잉 ,  고용균

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체소자의 제조공정중 화학용액을 사용하는 공정을 행하는 공정조를 구비한 장비에서 공정에 사용중인 화학용액의 상태를 분석하기 위한 샘플을 채취하는 화학용액의 샘플링장치에 관한 것으로, 공정조에 있는 약액을 일정량 수용할 수있는 용기와, 용기와 공정조를 연결하는 약액이송관과, 용기를 공정조의 기압보단 낮은 상태로 만들어 주는 진공라인 및 진공펌프를 포함하여, 샘플링 작업시 장비의 공간이나 외부 조건에 영향을 받지 않고, 분석을 필요로한 약액의 오염을 방지하므로서 장비의 신뢰성을 높여 주도록 한 것이다.

公开(公告)号：KR1020090030491A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：KR1020070095841

申请日：2007-09-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김세연 ,  고용균 ,  이상미 ,  이양구 ,  이헌정 ,  이근택

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/304

CPC classification number: G03F7/70925 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70916

Abstract: A cleaning solution for an immersion photolithography system is provided to increase production yield by preventing a wafer from being contaminated a next wafer in immersion photolithography process. An immersion photolithography system is exposed to the outside through a plurality of wafer immersion mediums. An exposure process is interrupted after a predetermined cycle. The immersion photolithography system cleaning the region contacted with the wafer immersion medium with a cleaning solution. The cleaning process removes a contaminant by flowing the cleaning solution for a predetermined time and also includes a rinsing the contact region.

Abstract translation: 提供了一种用于浸没式光刻系统的清洁溶液，以通过防止在浸没式光刻工艺中晶片受到下一晶片污染而提高产量。 浸没式光刻系统通过多个晶片浸渍介质暴露于外部。 曝光过程在预定的周期后中断。 浸渍光刻系统用清洁溶液清洗与晶片浸渍介质接触的区域。 清洁过程通过使清洁溶液流动预定时间来除去污染物，并且还包括冲洗接触区域。

公开(公告)号：KR100735743B1

公开(公告)日：2007-07-06

申请号：KR1020010017353

申请日：2001-04-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손병우 ,  고용균

IPC: H01L21/261

Abstract: 본 발명은 빔(Beam)으로 추출된 이온과 반응하여 이온의 극성이 변환되도록 하는 마그네슘 증기가 이온주입설비를 오염시키기 전에 외부로 배출시키는 이온주입설비의 이온변환장치 및 이온변환방법에 관한 것으로, 이상과 같은 본 발명은 이온빔의 극성을 변환시키는 이온주입설비의 이온변환장치에 있어서, 마그네슘 덩어리를 가열하여 마그네슘 증기로 승화시키는 승화히터가 내장된 통체형상의 이온변환 챔버와, 이온변환 챔버의 일측과 타측에 장착되고 이온빔이 이온변환 챔버에 입출되도록 이온빔 유입구와 이온빔 유출구가 형성되며 방지히터가 구비된 컬렉터 컵과, 컬렉터 컵의 일측 밑면에 장착되며 내벽에 증착수단이 구비되는 콜드 트랩과, 콜드 트랩을 통과한 마그네슘 증기를 외부로 배기시키는 배기유로를 포함한다. 이상과 같이, 본 발명에 따르면 마그네슘 증기가 컬렉터 컵에서 증기상태로 존재하게 되고, 이는 종래 마그네슘 증기가 온도가 낮은 컬렉터 컵에서 재결정됨과 동시에 쌓여서 이온빔의 경로를 차단하거나 이온변환장치를 다운시키는 등의 문제점을 방지하고, 또 공정이 진행된 마그네슘 증기를 외부로 빠르게 배기시킴으로써 마그네슘 증기가 이온주입설비를 전체적으로 오염시키는 것을 최소화할 수 있다.
이온주입설비, 마그네슘, 이온변환