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公开(公告)号：KR1020080099625A
公开(公告)日：2008-11-13
申请号：KR1020070045418
申请日：2007-05-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304 , H01L21/02
Abstract: A solution spread through nozzle of the spiral structure. Accordingly, the solution having torque generated by the spiral structure can improve the wafer cleaning capability. The injection hole(250) is located at the surface contacting with the wafer and the sprays the solution. The spiral structure is positioned at the upper portion of one or more injection holes. The spiral structure may have different diameters and the holes of the spiral structure may have different diameters.
Abstract translation: 溶液通过螺旋结构的喷嘴扩散。 因此，具有由螺旋结构产生的转矩的溶液可以提高晶片清洗能力。 注入孔（250）位于与晶片接触的表面并喷射溶液。 螺旋结构位于一个或多个喷射孔的上部。 螺旋结构可以具有不同的直径，并且螺旋结构的孔可以具有不同的直径。
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公开(公告)号：KR100496855B1
公开(公告)日：2005-09-02
申请号：KR1019980039671
申请日：1998-09-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3063
Abstract: 본 발명은 배스에 수용된 케미컬액 액면의 높이를 조절하도록 상기 배스의 측면에 설치된 케미컬액 액면조절부를 구비하여 상기 케미컬액의 흐름을 일정하게 하는 반도체장치 제조용 습식식각설비에 관한 것이다.
본 발명에 의한 반도체장치 제조용 습식식각설비는 웨이퍼가 케미컬액 중에서 가공되도록 일정량의 상기 케미컬액이 수용된 배스;와, 상기 배스로 상기 케미컬액을 공급하는 케미컬액 공급부;와, 상기 배스로부터 배출된 상기 케미컬액을 회수하여 상기 배스로 재공급하는 케미컬액 순환부; 및 상기 배출홈의 개도를 조절하여 상기 배스에 수용된 상기 케미컬액의 액면의 높이를 조절하도록 상기 배스의 측벽에 설치된 케미컬액 액면조절부;를 구비하여 이루어진다.
따라서, 케미컬액의 평행상태를 유지하고, 액면의 흐름을 일정하게 함으로써 웨이퍼 상에 균일한 식각을 실시하게 하고, 설비의 해체/재조립에 의한 시간손실을 줄이며, 설비의 가동률을 향상시키게 하는 효과를 갖는다.-
公开(公告)号：KR1020030089118A
公开(公告)日：2003-11-21
申请号：KR1020020027167
申请日：2002-05-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: PURPOSE: A robot for wafer transfer is provided to be capable of previously preventing a wafer from being naturally dried before carrying out a drying process by using a wafer shower unit. CONSTITUTION: A robot(100) for wafer transfer is provided with a robot body part(120), and a robot arm(180) installed at the robot body part for selectively holding and transferring a wafer according to process order. At this time, the robot arm includes a wafer shower unit for preventing the wafer from being naturally dried by jetting deionized water to the wafer. Preferably, the wafer shower unit includes a shower(164) loaded at a hanger part of the robot arm, a supply line(168) for supplying the deionized water to the shower, and a control valve for selectively controlling the flow of the deionized water supplied to the shower.
Abstract translation: 目的：提供用于晶片传送的机器人，以便能够在通过使用晶片淋浴器进行干燥处理之前防止晶片被自然干燥。 构成：用于晶片传送的机器人（100）设置有机器人主体部分（120）和安装在机器人主体部分处的机器人臂（180），用于根据处理顺序选择性地保持和传送晶片。 此时，机器人臂包括用于防止晶片通过将去离子水喷射到晶片而自然干燥的晶片淋浴单元。 优选地，晶片淋浴单元包括装载在机器人臂的吊架部分的淋浴器（164），用于将去离子水供应到淋浴器的供应管线（168）和用于选择性地控制去离子水流量的控制阀 供应到淋浴。
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公开(公告)号：KR1020090017037A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：KR1020070081453
申请日：2007-08-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: A single piece type cleaning apparatus and a cleaning method thereof are provided to prevent re-pollution of a substrate due to residual material, particle, and contaminant removed from the substrate by setting the substrate downward. A top surface of a cleaning bath(100) is opened. At least one supplying part is attached in a top of a side of the cleaning bath, and supplies cleaning solution to the cleaning bath. A drainage part(130) is attached in a bottom of the cleaning bath, and ejects the cleaning solution in the cleaning bath. A driving part(300) is positioned on a top of the cleaning bath. A fixing part is connected to a cleaning bath direction of the driving part. A top of a substrate(400) is fixed by the fixing part.
Abstract translation: 提供单片式清洁装置及其清洁方法，以通过向下设置基板来防止由于从基板移除的残留材料，颗粒和污染物而导致的基板的再污染。 打开清洗浴（100）的顶表面。 至少一个供应部分附着在清洗槽侧面的顶部，并将清洁溶液供应到清洗槽。 排水部分（130）附着在清洗槽的底部，并将清洗液喷射到清洗槽中。 驱动部件（300）位于清洗槽的顶部。 固定部分连接到驱动部分的清洁浴方向。 基板（400）的顶部由固定部固定。
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公开(公告)号：KR1020010068656A
公开(公告)日：2001-07-23
申请号：KR1020000000673
申请日：2000-01-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
Abstract: PURPOSE: A method for forming an isolation region of a semiconductor device is provided to prevent the formation of a dent at an outside of a trench by forming a shallow trench isolation region. CONSTITUTION: A pad oxide layer(20) is formed on a semiconductor substrate(10). A silicon layer(35) is formed on the pad oxide layer(20). A trench etching process is performed on the semiconductor substrate(10). An oxide layer(40) is formed from an inner wall of the trench to a surface of the silicon layer(35). An insulating layer(50) is formed on the oxide layer(40). An annealing process is performed on the semiconductor substrate(10). The semiconductor substrate(10) is polished to remove the oxide layer(40) from the surface of the silicon layer(35). The remaining silicon layer(35) is etched. The semiconductor substrate(10) is flattened by removing the oxide layer(45) of a side of the remaining silicon layer(35) and a part of the insulating layer(50).
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的隔离区域的方法，以通过形成浅沟槽隔离区域来防止在沟槽的外部形成凹陷。 构成：在半导体衬底（10）上形成衬垫氧化物层（20）。 在衬垫氧化物层（20）上形成硅层（35）。 在半导体衬底（10）上执行沟槽蚀刻工艺。 氧化物层（40）由沟槽的内壁到硅层（35）的表面形成。 绝缘层（50）形成在氧化物层（40）上。 对半导体基板（10）进行退火处理。 抛光半导体衬底（10）以从硅层（35）的表面去除氧化物层（40）。 剩余的硅层（35）被蚀刻。 通过去除剩余硅层（35）的一侧的氧化物层（45）和绝缘层（50）的一部分，使半导体衬底（10）变平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100232998B1
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：KR1019960019976
申请日：1996-06-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67086 , H01L21/67075
Abstract: 본 발명은 식각량 조절수단을 갖는 케미컬 배스 유니트에 관한 것으로, 본 발명에서는 내측 배스의 상단부 사방 측벽에, 웨이퍼들이 케미컬액에 침지된 시점에서, 내측 배스가 일정 방향으로 기울어지는 경우, 이 기울어진 방향으로 오버 플로우되는 케미컬액의 배출을 촉진시켜, 웨이퍼들의 식각률 편차를 미리 방지하는 다수개의 식각량 조절개구들을 일련의 단일 라인을 이루도록 배열시킨다. 이 경우, 식각량 조절개구들은 내측 배스의 상부 테두리 및 케미컬액에 침지된 웨이퍼들의 최상측면 사이에 위치하는 구조를 이룬다.
이러한 본 발명이 달성되는 경우, 내측 배스의 대향하는 양측면의 높이가 상기 웨이퍼들의 최상측부와 상기 내측 배스의 상단부 테두리 사이의 거리만큼 기울어지지 않는 한, 상기 케미컬액은 상기 식각량 조절개구들을 통하여 외측 배스로 계속 흐르게 됨으로써 상기 내측 배스의 케미컬액에 침지되는 웨이퍼들의 배치 위치에 따른 절연층의 식각율 차이는 대폭 감소된다.-
公开(公告)号：KR101907510B1
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：KR1020110114940
申请日：2011-11-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/67
Abstract: 세정액과 2유체혼합물을동시에분사하는기판세척장치및 방법에있어서, 상면에세척대상가공물이형성된기판을회전가능한지지대에고정한다. 제1 노즐을통하여회전하는기판의상면으로세정액을공급하여기판으로부터 1차불순물을분리한다. 제2 노즐을통하여회전하는기판의상면으로 2유체혼합물을세정액과동시에공급하여세정액에의해분리되지않은 2차불순물을기판으로부터분리한다. 1차및 2차불순물을포함하는세정액및 2유체혼합물을기판으로부터제거한다. 고속고압의 2유체혼합물에의해기판표면의가공물이손상되는것을방지할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070037524A
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：KR1020050092640
申请日：2005-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/283 , H01L21/28 , H01L21/304
Abstract: 반도체 소자의 배선 형성 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 배선 형성 방법은 하부 도전층이 형성된 기판 상에 층간 절연막을 형성하는 단계, 층간 절연막을 식각하여 하부 도전층의 상면을 노출시키는 배선 형성 영역을 형성하는 단계, 배선 형성 영역을 습식 세정하는 단계, 열처리하여 배선 형성 영역에 잔류하는 결함물을 제거하는 단계 및 배선 형성 영역을 금속 성분으로 매립하여 금속층을 형성하는 단계를 포함한다.
반도체 소자, 배선, 열처리, 결함물, 습식세정-
公开(公告)号：KR1020030093039A
公开(公告)日：2003-12-06
申请号：KR1020020030914
申请日：2002-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: An apparatus for controlling supplied chemical is provided to precisely control the density of a chemical dilute solution used in a semiconductor cleaning process by supplying chemical of a uniform quantity and by reusing the chemical exhausted by an oversupply. CONSTITUTION: A chemical supply unit(50) supplies the chemical used in a process for cleaning a semiconductor wafer. A temporary storage unit(60) receives the chemical of a uniform quantity supplied by the chemical supply unit and temporarily stores the chemical. A mixture unit(70) receives the chemical of a uniform quantity supplied by the temporary storage unit, dilutes the chemical by using distilled water to make a cleaning solution of a predetermined density ratio and supplies the cleaning solution to a cleaning chamber(200). A quantitative sensor supplies a signal for controlling the quantity of the supplied chemical when the chemical supplied by the chemical supply unit reaches a predetermined level of the temporary storage unit, installed in the inner sidewall of the temporary storage unit. A control unit(150) receives the signal of the quantitative sensor and controls the quantity of the chemical supplied to the temporary storage unit. A storage tank(80) stores the chemical exhausted through an exhaust line(120) connected to the temporary storage unit when the chemical is oversupplied to the temporary storage unit.
Abstract translation: 目的：提供一种用于控制供应化学品的设备，以通过提供均匀数量的化学物质和通过重新使用由供过量供应的化学物质来精确控制半导体清洁过程中使用的化学稀释溶液的密度。 构成：化学品供应单元（50）供应用于清洁半导体晶片的工艺中使用的化学品。 临时存储单元（60）接收由化学物质供应单元提供的均匀化学物质并临时储存化学品。 混合单元（70）接收由临时存储单元供应的均匀化学物质，通过使用蒸馏水稀释化学品以制备预定浓度比的清洁溶液，并将清洁溶液供应到清洗室（200）。 当由化学品供应单元提供的化学物质达到安装在临时存储单元的内侧壁中的临时存储单元的预定水平时，定量传感器提供用于控制所供应化学品量的信号。 控制单元（150）接收定量传感器的信号并控制提供给临时存储单元的化学物质的量。 储存罐（80）当化学品过量供给到临时存储单元时，存储通过连接到临时存储单元的排气管线（120）排出的化学品。
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