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公开(公告)号：KR1020140124065A
公开(公告)日：2014-10-24
申请号：KR1020130041166
申请日：2013-04-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01R31/2868
Abstract: 본 발명은 검사 장치 및 검사 방법을 개시한다. 검사 장치는 셀프 검사 가능한 반도체 소자들의 검사 공정을 수행하는 장치이다. 그의 장치는, 상기 반도체 소자들의 검사에 사용되는 검사 프로그램을 보유한 서버와 통신하는 스택커 부와, 상기 반도체 소자들을 탑재하여 상기 스택커 부 내에 제공되고, 상기 서버로부터 상기 검사 프로그램을 전달받아 상기 반도체 소자들에 제공하는 복수개의 검사 기판 부들을 포함한다. 상기 스택커 부는 상기 복수개의 검사 기판 부들을 수납하는 스택커들과, 상기 스택커 내의 상기 검사 기판 부들 및 상기 서버와 통신하는 스택커 컨트롤러를 포함할 수 있다
Abstract translation: 公开了一种测试装置和测试方法。 提供了测试装置来进行可以自我测试的半导体器件的测试过程。 测试装置包括：与包括用于半导体器件测试的测试程序的服务器通信的堆垛单元; 以及多个测试基板单元，其包括为堆叠单元提供的半导体器件，并接收要提供给半导体器件的测试程序。 堆垛机单元包括用于接收测试基板单元的堆垛机和与堆垛机和服务器中的测试基板单元通信的堆垛机控制器。
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公开(公告)号：KR1020140037394A
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：KR1020120103015
申请日：2012-09-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601 , G01R31/2865 , G01R31/2874
Abstract: Disclosed in the present invention are a test handler and a test method for a semiconductor element using the same. The test handler includes: chambers which provide a closed inner space for accommodating a first tray onto which semiconductor elements are loaded; a test module which electrically touches the semiconductor elements in the chambers in order to perform a test process of the semiconductor elements; and a sorting unit which loads or unloads the first tray in the chambers and sorts out semiconductor elements which are determined as faulty in the test process. The chambers may have a fluid path for circulating a coolant or a heat medium inside the walls in order to enable fast temperature switching between a first temperature below the room temperature and a second temperature above the room temperature during the test process of the semiconductor elements.
Abstract translation: 在本发明中公开了一种使用其的半导体元件的测试处理器和测试方法。 测试处理器包括：提供封闭内部空间的室，用于容纳加载有半导体元件的第一托盘; 测试模块，其电接触所述腔室中的半导体元件，以便执行半导体元件的测试过程; 以及分类单元，其将室内的第一托盘装载或卸载，并对在测试过程中被确定为故障的半导体元件进行分类。 腔室可以具有用于在壁内循环冷却剂或热介质的流体路径，以便在半导体元件的测试过程期间实现在室温以下的第一温度和高于室温的第二温度之间的快速温度切换。
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公开(公告)号：KR101373375B1
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：KR1020120143685
申请日：2012-12-11
Abstract: A device for performing an electrical test and an optical test of a plurality of light emitting elements mounted on a substrate and classifying the light emitting elements according to the test results includes: a stamping module which selectively stamps the light emitting elements according to the test results; and a storage module which includes a plurality of storage containers for storing the light emitting elements stamped by the stamping module by grade according to the test results. Since the light emitting elements are stamped and classified according to the test results after the electrical test and the optical test of the light emitting elements mounted on the substrate are performed, it is possible to significantly reduce the time necessary for the test process and the classification process of the light emitting elements.
Abstract translation: 用于对安装在基板上的多个发光元件进行电测试和光学测试的设备，并根据测试结果对发光元件进行分类，包括：冲压模块，其根据测试结果选择性地印刷发光元件 ; 以及存储模块，其包括多个存储容器，用于根据测试结果逐级存储由冲压模块冲压的发光元件。 由于在进行电气测试和安装在基板上的发光元件的光学测试之后，根据测试结果对发光元件进行冲压和分类，所以可以显着减少测试过程和分类所需的时间 发光元件的工艺。
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公开(公告)号：KR101255325B1
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：KR1020070085181
申请日：2007-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C7/1018 , G11C7/08 , G11C11/22
Abstract: 안정적인 버스트 리드 동작이 가능한 강유전체 메모리 장치 및 그 구동 방법이 제공된다. 상기 강유전체 메모리 장치는 제1 및 제2 메모리 셀 섹션으로, 각 메모리 셀 섹션은 다수의 강유전체 메모리 셀을 포함하는 제1 및 제2 메모리 셀 섹션, 및 제1 및 제2 메모리 셀 섹션 순서로 버스트 리드(burst read)를 하되, 제1 메모리 셀 섹션의 리드 동작과 제2 메모리 셀 섹션의 리드 동작은 일부 오버랩되고, 제1 메모리 셀 섹션의 리드 동작 도중에 칩이 디스에이블되는 경우, 제2 메모리 셀 섹션의 리드 동작의 진행 정도에 따라 제2 메모리 셀 섹션에 데이터를 재저장(write-back)하는 리드 회로를 포함한다.
강유전체 메모리 장치, 버스트 리드, 파괴적인 리드-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100665844B1
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020050000339
申请日：2005-01-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 본 발명은 강유전체 메모리 장치에서 소정의 동작시에 데이터의 파괴를방지 또는 최소화하기 위한 강유전체 메모리 장치 및 그의 구동방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 강유전체 메모리 장치는, 상기 메모리 장치에 전원을 공급하기 위한 전원공급부와; 상기 전원공급부의 전원레벨을 검출하여 상기 전원레벨이 일정레벨 이하로 되어 전원이 오프 상태라고 판단되는 경우에 이에 따른 검출신호를 발생시키는 전원검출회로와; 내부 칩 인에이블 신호의 발생을 제어하되, 상기 내부 칩 인에이블 신호가 인에이블 되고 이에 응답하는 소정의 동작을 위한 제어신호가 발생되기 전에, 상기 검출신호가 인가되는 경우에는 상기 내부 칩 인에이블 신호를 디세이블시키고, 상기 검출신호가 상기 제어신호 발생 후에 인가되는 경우에는 상기 내부 칩 인에이블 신호가 인에이블 상태를 계속 유지하도록 하는 내부 칩 인에이블신호 발생회로를 구비한다. 본 발명에 따르면, 반도체 메모리 장치의 데이터의 파괴를 방지 또는 최소화할 수 있다.
데이터 파괴, 재저장, 전원, 내부 칩 인에이블 신호, 플레이트 제어신호-
公开(公告)号：KR100621766B1
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：KR1020040062401
申请日：2004-08-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/22
Abstract: 본 발명은 온도변화에도 불구하고 일정한 레퍼런스 전압을 제공하는 강유전체 메모리에서의 레퍼런스 전압 발생장치 및 그의 구동방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 레퍼런스 전압 발생장치는, 하나의 강유전체 커패시터와 하나의 액세스 트랜지스터로 구성되는 메모리 셀을 구비하는 강유전체 메모리에서의 레퍼런스 전압 발생장치에 있어서, 하나의 강유전체 커패시터와 적어도 하나 이상의 트랜지스터로 구성되는 레퍼런스 셀과; 상기 레퍼런스 셀을 구성하는 상기 강유전체 커패시터의 일단에 연결된 레퍼런스 플레이트 라인과; 온도 변화에 따라 전압 레벨이 조절된 레퍼런스 플레이트 라인 인에이블 신호를 상기 레퍼런스 플레이트 라인에 공급함에 의하여, 온도가 변화되어도 상기 레퍼런스 셀을 통하여 발생되는 레퍼런스 전압은 일정하도록 제어하는 레퍼런스 플레이트 라인 드라이버 회로를 구비함을 특징으로 한다.
레퍼런스 전압, 기준전압, 온도 검출기, 강유전체-
公开(公告)号：KR100568866B1
公开(公告)日：2006-04-10
申请号：KR1020040008237
申请日：2004-02-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C5/14
Abstract: 본 발명은 안정된 기준전압을 발생시켜 반도체 소자의 신뢰성을 개선하기 위한 기준전압 발생장치 및 그에 따른 구동방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기준전압 발생장치의 구동방법은, 하나의 강유전체 커패시터와 하나의 액세스 트랜지스터로 구성되는 메모리 셀을 구비하는 강유전체 메모리 장치에서, 상기 메모리 셀에 저장된 데이터의 비교 기준이 되는 기준전압을 공급하는 기준전압 발생장치의 구동방법에 있어서: 상기 메모리 셀을 구성하는 강유전체 커패시터와는 다른 강유전체 커패시터를 구비하는 레퍼런스 셀에, 상기 기준전압에 대응되는 데이터를 미리 저장하는 단계와; 인가되는 제1제어신호에 응답하여, 상기 레퍼런스 셀에 미리 저장되어 있는 데이터와 동일한 데이터를 상기 레퍼런스 셀에 재저장하는 단계와; 인가되는 제2제어신호에 응답하여, 상기 레퍼런스 셀에 재저장된 데이터에 대응되는 전압이 여기되도록 하여 기준전압을 발생시키는 단계를 구비함을 특징으로 한다.
기준전압, 레퍼런스 셀, 릴렉세이션, 임프린트, 강유전체-
公开(公告)号：KR100558486B1
公开(公告)日：2006-03-07
申请号：KR1020030048081
申请日：2003-07-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/00
Abstract: 본 발명은 비휘발성 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 원 타임 프로그래밍 제어방법을 공개한다. 이 장치는 제1디코딩 신호에 응답하여 억세스되는 원 타임 프로그래밍 영역과 제2디코딩 신호에 응답하여 억세스되는 정상 영역을 구비하고, 소거 동작이 필요없으며 리드 동작과 라이트 동작이 가능한 비휘발성 메모리 셀 어레이, 라이트 동작시에 라이트 인에이블 신호에 응답하여 비휘발성 메모리 셀 어레이에 데이터를 라이트하는 데이터 라이트 회로, 리드 동작시에 센스 증폭기 인에이블 신호에 응답하여 비휘발성 메모리 셀 어레이로부터 출력되는 데이터를 리드하는 데이터 리드 회로, 제어신호에 응답하여 데이터 리드 회로로부터 출력되는 데이터를 비교하여 비교 검출신호를 발생하는 프로그램 검출 회로, 및 라이트 동작시에 특정 모드 신호가 활성화되면 제어신호를 비활성화하고, 특정 모드 신호가 비활성화되고, 제1디코딩 신호가 발생되면 제어신호 및 센스 증폭기 인에이블 신호를 활성화하고, 비교 검출신호가 활성화되면 라이트 인에이블 신호를 활성화하는 제어부로 구성되어 있다. 따라서, 소거 동작이 필요없는 비휘발성 메모리 셀 어레이의 원 타임 프로그래밍 영역에 저장된 고유의 데이터를 안전하게 보호할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060013806A
公开(公告)日：2006-02-14
申请号：KR1020040062401
申请日：2004-08-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C7/04 , G11C5/147 , G11C11/22 , G11C11/2297
Abstract: A reference voltage generating device that provides a constant reference voltage even with temperature change in a ferroelectric random access memory and a method for driving the same are provided. A device for generating a reference voltage in a ferroelectric random access memory including memory cells, each of which has one ferroelectric capacitor and one access transistor, includes a reference cell composed of a ferroelectric capacitor and a transistor; a reference plate line connected to one end of the ferroelectric capacitor constituting the reference cell; and a reference plate line driver circuit for adjusting a voltage level of a reference plate line enable signal depending on temperature change so that a constant reference voltage is generated.
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