公开(公告)号：KR1020160125830A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：KR1020150056843

申请日：2015-04-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박수민 ,  김수민 ,  윤효진 ,  김현우 ,  김경선 ,  나혜섭 ,  박민주 ,  한소라

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/425 ,  H01L21/426 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10888

Abstract: 반도체소자의제조에서, 기판상에마스크막및 제1 박막을형성하고, 상기제1 박막을사진식각공정을통해패터닝하여 1차패턴을형성하고, 상기 1차패턴표면상에실리콘산화막을형성하고, 상기실리콘산화막표면상에실리콘을포함하는물질을코팅하여코팅막패턴을형성하고, 그리고상기 1차패턴, 상기실리콘산화막및 코팅막패턴을포함하는 2차패턴을식각마스크로이용하여상기마스크막을식각하여마스크패턴을형성한다. 상기방법에의하면, 균일한크기를갖는마스크패턴을형성할수 있다.

Abstract translation: 在制造半导体器件的方法中，掩模层和第一层可以顺序形成在衬底上。 可以通过光刻工艺来构图第一层以形成第一图案。 可以在第一图案上形成氧化硅层。 可以在氧化硅层上形成包括硅的涂层图案。 可以使用第二图案作为蚀刻掩模蚀刻掩模层以形成掩模图案，并且第二图案可以包括第一图案，氧化硅层和涂层图案。 掩模图案可以具有均匀的尺寸。

公开(公告)号：KR1020160117818A

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：KR1020150045423

申请日：2015-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박민주 ,  나혜섭 ,  윤효진 ,  김경선 ,  김수민 ,  김현우 ,  박수민 ,  한소라

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 반도체소자의제조방법이제공된다. 반도체소자의제조방법은하부막상에반사방지막을형성하는것; 상기반사방지막상에포토레지스트패턴들을형성하는것; 상기포토레지스트패턴들을각각덮는보호패턴들을형성하는것; 상기보호패턴들로덮인상기포토레지스트패턴들을식각마스크로이용하여상기반사방지막을식각함으로써반사방지패턴들을형성하는것; 상기반사방지패턴들의측벽들을덮는스페이서들을형성하는것; 및상기반사방지패턴들을제거하는것을포함할수 있다.