公开(公告)号：KR102264656B1

公开(公告)日：2021-06-14

申请号：KR1020140140977

申请日：2014-10-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하승석 ,  배근희 ,  여경환 ,  박은실 ,  신헌종

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR1020160045440A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：KR1020140140977

申请日：2014-10-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하승석 ,  배근희 ,  여경환 ,  박은실 ,  신헌종

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/76229 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7855

Abstract: 제1 컷필드게이트패턴및 제1 핀게이트패턴을포함하고, 상기제1 컷필드게이트패턴은제1 부분에서절연성제1 컷필드게이트코어, 및제2 부분에서전도성제1 컷필드게이트전극을포함하고, 상기제1 핀게이트패턴은제1 부분에서절연성제1 핀게이트코어를포함하고, 및제2 부분에서전도성제1 핀게이트전극을포함하고, 상기제1 컷필드게이트코어의상면및 상기제1 핀게이트코어의상면은공면(co-planar)을갖는반도체소자가설명된다.

Abstract translation: 公开了一种包括第一切割场栅极图案和第一鳍状栅极图案的半导体器件。 第一切割场栅极图案包括：第一区域中的绝缘第一场栅极核心; 以及在第二区域中的导电的第一切割场栅极电极。 第一鳍栅极图案包括：第一区域中的绝缘第一场栅核心; 和第二区域中的导电第一切割场栅极电极。 第一切割磁场门芯的上表面和散热片门芯的上表面被构造成具有共面表面。 本发明的目的是提供一种具有栅芯和鳍片活性芯的半导体。

公开(公告)号：KR1020160122910A

公开(公告)日：2016-10-25

申请号：KR1020150052555

申请日：2015-04-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 여경환 ,  배근희 ,  하승석 ,  박은실 ,  박선흠 ,  신헌종 ,  차동호

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/7848

Abstract: 본발명은전계효과트랜지스터를포함하는반도체소자에관한것으로, 보다구체적으로그의상부에활성패턴을갖는기판; 및상기활성패턴을가로지르며, 상기활성패턴을제1 영역및 제2 영역으로양분하는분리구조체를포함할수 있다. 이때, 상기분리구조체는, 상기제1 및제2 영역들사이에정의된리세스영역을채우는제1 절연패턴을포함하고, 상기제1 절연패턴은오목한(concave) 상면을가질수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括一个场效应晶体管的半导体器件，具有在更详细地在其上活跃的一个图案的基板; 以及跨越有源图案并将有源图案分成第一区域和第二区域的隔离结构。 此时，分离结构中，第一mitje第一绝缘包括图案，所述第一绝缘图案以填充第二区域可以具有凹部（凹的）顶面之间限定的凹进区域。