公开(公告)号：KR1020140113095A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：KR1020130028037

申请日：2013-03-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김윤수 ,  강상열 ,  사토히로키 ,  시라토리츠바사 ,  야마다나오키 ,  유차영 ,  조윤정 ,  조진무 ,  최재형

IPC: C07F7/08 ,  C07F7/10 ,  C23C16/18

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/34 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40

Abstract: The present invention provides a trialkyl silane-based silicon precursor represented by chemical formula 1 below and a method for forming a thin film using the same. In chemical formula 1, each of R^1, R^2, and R^3 is hydrogen or alkyl having 1-5 carbon atoms and all of R^1, R^2, and R^3 are not hydrogen; X is hydrogen, a hydroxyl group, an amide group, an alkoxide group, a halide group, or Si(R′)_3; and R′ may be hydrogen or alkyl having 1-5 carbon atoms.

Abstract translation: 本发明提供由下述化学式1表示的三烷基硅烷系硅前驱体及使用其形成薄膜的方法。 在化学式1中，R 1，R 2和R 3中的每一个是氢或具有1-5个碳原子的烷基，R 1，R 2和R 3中的全部不是氢; X是氢，羟基，酰胺基，醇盐基，卤化物基团或Si（R'）3; 和R'可以是氢或具有1-5个碳原子的烷基。

公开(公告)号：KR102052664B1

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：KR1020130028037

申请日：2013-03-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김윤수 ,  강상열 ,  사토히로키 ,  시라토리츠바사 ,  야마다나오키 ,  유차영 ,  조윤정 ,  조진무 ,  최재형

IPC: C07F7/08 ,  C07F7/10 ,  C23C16/18