公开(公告)号：KR1020140113095A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：KR1020130028037

申请日：2013-03-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김윤수 ,  강상열 ,  사토히로키 ,  시라토리츠바사 ,  야마다나오키 ,  유차영 ,  조윤정 ,  조진무 ,  최재형

IPC: C07F7/08 ,  C07F7/10 ,  C23C16/18

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/34 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40

Abstract: The present invention provides a trialkyl silane-based silicon precursor represented by chemical formula 1 below and a method for forming a thin film using the same. In chemical formula 1, each of R^1, R^2, and R^3 is hydrogen or alkyl having 1-5 carbon atoms and all of R^1, R^2, and R^3 are not hydrogen; X is hydrogen, a hydroxyl group, an amide group, an alkoxide group, a halide group, or Si(R′)_3; and R′ may be hydrogen or alkyl having 1-5 carbon atoms.

Abstract translation: 本发明提供由下述化学式1表示的三烷基硅烷系硅前驱体及使用其形成薄膜的方法。 在化学式1中，R 1，R 2和R 3中的每一个是氢或具有1-5个碳原子的烷基，R 1，R 2和R 3中的全部不是氢; X是氢，羟基，酰胺基，醇盐基，卤化物基团或Si（R'）3; 和R'可以是氢或具有1-5个碳原子的烷基。

公开(公告)号：KR1020170023568A

公开(公告)日：2017-03-06

申请号：KR1020150118876

申请日：2015-08-24

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  가부시키가이샤 아데카

Inventor： 장재완 ,  김윤수 ,  시라토리츠바사

IPC: H01L51/00 ,  H01L21/314 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/0228 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31 ,  H01L29/66795

Abstract: 박막형성을위하여하부구조물상에금속또는실리콘인중심원자와, 유기리간드(ligand)를포함하는전구체를공급하여유기리간드를포함하는전구체흡착층을형성한다. 전구체흡착층상에비산화제를공급하여전구체흡착층에포함된유기리간드가치환기로치환된중간결과물층을형성한다. 중간결과물층상에산화제를공급하여중간결과물층으로부터중심원자를포함하는산화막을형성한다.

Abstract translation: 本文提供了形成薄膜的方法。 在一些实施方案中，为了形成薄膜，通过向下部结构提供包含金属或硅中心原子的前体和有机配体而形成包含有机配体的前体吸附层。 通过向前体吸附层上提供非氧化剂形成中间结果层。 在形成中间结果层时，包含在前体吸附层中的有机配体被取代基取代。 通过向中间结果层提供氧化剂，由中间结果层形成包含中心原子的氧化物膜。

公开(公告)号：KR102052664B1

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：KR1020130028037

申请日：2013-03-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김윤수 ,  강상열 ,  사토히로키 ,  시라토리츠바사 ,  야마다나오키 ,  유차영 ,  조윤정 ,  조진무 ,  최재형

IPC: C07F7/08 ,  C07F7/10 ,  C23C16/18

公开(公告)号：KR1020170073947A

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：KR1020150182788

申请日：2015-12-21

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  가부시키가이샤 아데카

Inventor： 류승민 ,  코이데타카노리 ,  야마다나오키 ,  임재순 ,  시라토리츠바사 ,  조윤정

IPC: C07F9/00 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  C23C16/505

CPC classification number: H01L21/02183 ,  C07F9/00 ,  C23C16/16 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/0215 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/00

Abstract: 다음일반식 (I)의탄탈럼화합물과, 이를이용한박막형성방법및 집적회로소자의제조방법을제공한다.일반식 (I)에서, R, R, 및 R는각각독립적으로 C1-C10의직쇄또는분기형알킬(alkyl), 알케닐(alkenyl), 알키닐(alkynyl), 또는 C4-C20의치환또는비치환된방향족(aromatic) 또는지환식 (alicyclic) 탄화수소기이고, R는수소원자, C1-C10의직쇄또는분기형알킬, 알케닐, 알키닐, 또는 C6-C20의치환또는비치환된방향족(aromatic) 또는지환식 (alicyclic) 탄화수소기이다.

Abstract translation: 本发明提供由下述通式（I）表示的钽化合物，使用其的薄膜形成方法以及用于制造集成电路器件的方法。在通式（I）中，R，R和R各自独立地为C1- 或支链烷基，烯基，炔基，C4-C20非支链或未取代的芳族或脂环族烃基，R为氢原子，C1 C10直链或支链烷基，烯基，炔基或C6-C20未分支或未取代的芳族或脂环族烃基。