公开(公告)号：KR1020140113095A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：KR1020130028037

申请日：2013-03-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김윤수 ,  강상열 ,  사토히로키 ,  시라토리츠바사 ,  야마다나오키 ,  유차영 ,  조윤정 ,  조진무 ,  최재형

IPC: C07F7/08 ,  C07F7/10 ,  C23C16/18

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/34 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40

Abstract: The present invention provides a trialkyl silane-based silicon precursor represented by chemical formula 1 below and a method for forming a thin film using the same. In chemical formula 1, each of R^1, R^2, and R^3 is hydrogen or alkyl having 1-5 carbon atoms and all of R^1, R^2, and R^3 are not hydrogen; X is hydrogen, a hydroxyl group, an amide group, an alkoxide group, a halide group, or Si(R′)_3; and R′ may be hydrogen or alkyl having 1-5 carbon atoms.

Abstract translation: 本发明提供由下述化学式1表示的三烷基硅烷系硅前驱体及使用其形成薄膜的方法。 在化学式1中，R 1，R 2和R 3中的每一个是氢或具有1-5个碳原子的烷基，R 1，R 2和R 3中的全部不是氢; X是氢，羟基，酰胺基，醇盐基，卤化物基团或Si（R'）3; 和R'可以是氢或具有1-5个碳原子的烷基。

公开(公告)号：KR1020140106769A

公开(公告)日：2014-09-04

申请号：KR1020130019559

申请日：2013-02-25

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  가부시키가이샤 아데카

Inventor： 윤상철 ,  사쿠라이아츠시 ,  하타세마사코 ,  조윤정 ,  강지나 ,  야마다나오키 ,  최정식

IPC: C23C16/12 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/085 ,  H01G4/1272 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40

Abstract: An aluminum precursor is represented as the below structural formula 1. In the below structural formula 1, X is a functional group, which is represented as the below structural formula 2 or the below structural formula 3.

Abstract translation: 铝前体表示为下述结构式1.在下述结构式1中，X表示为下述结构式2或下述结构式3所示的官能团。

公开(公告)号：KR102123996B1

公开(公告)日：2020-06-17

申请号：KR1020130019559

申请日：2013-02-25

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  가부시키가이샤 아데카

Inventor： 윤상철 ,  사쿠라이아츠시 ,  하타세마사코 ,  조윤정 ,  강지나 ,  야마다나오키 ,  최정식

IPC: C23C16/12 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44

公开(公告)号：KR1020170006205A

公开(公告)日：2017-01-17

申请号：KR1020150096785

申请日：2015-07-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  가부시키가이샤 아데카

Inventor： 박규희 ,  사토하루요시 ,  야마다나오키 ,  우치우조히로유키 ,  김윤수 ,  임재순 ,  조윤정

IPC: C07F5/00 ,  C07F7/10 ,  H01L21/02

CPC classification number: C07F7/10

Abstract: 란타넘트리스(비스(트리알킬실릴)아미드) (lanthanum tris[bis(trialkylsilyl)amide]) 착체와, 알킬시클로펜타디엔 (alkylcyclopentadiene)을반응시켜 Si 함유중간체를형성하고, Si 함유중간체와카보디이미드계화합물을반응시켜란타넘화합물을형성한다.

Abstract translation: 通过使三[双（三烷基甲硅烷基）氨基]镧络合物与烷基环戊二烯反应合成含硅中间体。 通过使含硅中间体与二烷基脒基化合物反应来合成镧化合物。

公开(公告)号：KR102052664B1

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：KR1020130028037

申请日：2013-03-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김윤수 ,  강상열 ,  사토히로키 ,  시라토리츠바사 ,  야마다나오키 ,  유차영 ,  조윤정 ,  조진무 ,  최재형

IPC: C07F7/08 ,  C07F7/10 ,  C23C16/18

公开(公告)号：KR1020170073947A

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：KR1020150182788

申请日：2015-12-21

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  가부시키가이샤 아데카

Inventor： 류승민 ,  코이데타카노리 ,  야마다나오키 ,  임재순 ,  시라토리츠바사 ,  조윤정

IPC: C07F9/00 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  C23C16/505

CPC classification number: H01L21/02183 ,  C07F9/00 ,  C23C16/16 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/0215 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/00

Abstract: 다음일반식 (I)의탄탈럼화합물과, 이를이용한박막형성방법및 집적회로소자의제조방법을제공한다.일반식 (I)에서, R, R, 및 R는각각독립적으로 C1-C10의직쇄또는분기형알킬(alkyl), 알케닐(alkenyl), 알키닐(alkynyl), 또는 C4-C20의치환또는비치환된방향족(aromatic) 또는지환식 (alicyclic) 탄화수소기이고, R는수소원자, C1-C10의직쇄또는분기형알킬, 알케닐, 알키닐, 또는 C6-C20의치환또는비치환된방향족(aromatic) 또는지환식 (alicyclic) 탄화수소기이다.

Abstract translation: 本发明提供由下述通式（I）表示的钽化合物，使用其的薄膜形成方法以及用于制造集成电路器件的方法。在通式（I）中，R，R和R各自独立地为C1- 或支链烷基，烯基，炔基，C4-C20非支链或未取代的芳族或脂环族烃基，R为氢原子，C1 C10直链或支链烷基，烯基，炔基或C6-C20未分支或未取代的芳族或脂环族烃基。