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公开(公告)号：KR100558539B1
公开(公告)日：2006-03-10
申请号：KR1019990005833
申请日：1999-02-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: 본 발명은 식각조 커버 클리닝 툴에 관한 것으로, 본 발명에서는 식각조 커버의 양 측부에 예컨대, 한쌍의 클리닝액 분사튜브를 고정 설치한다. 이러한 클리닝액 분사튜브의 일면에는 공급되는 클리닝액을 식각조 커버의 표면으로 강하게 분사하는 다수개의 분사노즐들이 장착된다.
이때, 각 클리닝액 분사튜브는 메인 클리닝액 공급라인으로부터 분기되는 커버 클리닝액 공급라인과 일체로 연통되는데, 이 경우, 메인 클리닝액 공급라인을 흐르는 클리닝액은 커버 클리닝액 공급라인을 빠르게 흐른 후, 각 클리닝액 분사튜브로 유입되며, 결국, 다수개의 분사노즐을 통해 식각조 커버의 표면으로 강하게 분사된다. 이에 따라, 커버에 고정 흡착된 케미컬은 분사노즐로부터 분사되는 클리닝액에 의해 커버의 표면으로부터 전량 제거된다.
상술한 본 발명이 달성되어, 클리닝액 분사노즐, 클리닝액 분사튜브, 커버 클리닝액 공급라인 등이 체계적인 연계 동작을 신속하게 수행하는 경우, 생산라인에서는 설비 전체를 완전히 다운시키지 않고서도, 커버의 클리닝을 용이하게 달성할 수 있으며, 결국, 생산라인에서는 공정진행의 원활함을 확보하여, 최종적인 제품생산시간을 대폭 저감시킬 수 있음으로써, 전체적인 제품생산효율을 크게 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR100520238B1
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：KR1019990007979
申请日：1999-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 오버플로우(overflow) 방식의 기존 세정조의 하측면에 별도의 배수관을 연통하여 설치하고 그 배수관에 유량 절수 조절용 에어밸브를 추가로 설치한 세정장치를 개시한다.
따라서, 본 발명은 웨이퍼가 세정조 내의 순수에 의해 세정시간을 초과하여 정체되는 경우, 세정조의 하측 저면으로부터 상향 공급되는 순수를 차단하고 세정조의 하측면에 추가로 설치된 유량 절수 조절용 에어밸브를 절수상태에서 개방상태로 전환하여 세정조 내에서 순수가 자유 낙하하여 저속으로 배수한다. 그 결과, 웨이퍼에 형성된 금속층이 세정된 후 그 위에 다른 금속층이 적층되더라도 금속층에 보이드 발생과 같은 불량현상을 억제하여 반도체장치의 제품 신뢰성을 향상 가능하다.-
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公开(公告)号：KR1020080011792A
公开(公告)日：2008-02-11
申请号：KR1020060072210
申请日：2006-07-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: An apparatus for cleaning a semiconductor substrate is provided to improve the dry efficiency of a wafer having a hydrophobic layer quality by firstly supplying a mixture solution as dry fluid such to a substrate such that the mixture solution is made of isopropyl alcohol and DIW(deionized water) and by secondly supplying isopropyl alcohol without deionized water. A spin chuck(320) supports a substrate, rotating the substrate. A dry fluid supply member(500) supplies dry fluid for drying the substrate, including a dry nozzle(520), a mixture solution supply pipe(542), a DIW supply pipe(544), an alcohol supply pipe(546) and a control unit. The dry nozzle injects dry fluid to the substrate. The mixture solution supply pipe supplies dry fluid to the dry nozzle. The DIW supply pipe is connected to the mixture solution supply pipe wherein a fluid regulator for supplying DIW to the mixture solution supply pipe and adjusting the supply flow rate of DIW is installed in the DIW supply pipe. The alcohol supply pipe is connected to the mixture solution supply pipe wherein a fluid regulator for supplying isopropyl alcohol to the mixture solution supply pipe and adjusting the supply flow rate of isopropyl alcohol is installed in the alcohol supply pipe. The control unit controls the fluid regulator installed in the DIW supply pipe and the fluid regulator installed in the alcohol supply pipe. The control unit controls the fluid regulators in a manner that a mixture solution of isopropyl alcohol and DIW is initially supplied to the substrate.
Abstract translation: 提供一种用于清洁半导体衬底的装置，通过首先将作为干燥流体的混合溶液提供给基底使得混合溶液由异丙醇和DIW（去离子水）制成，从而提高具有疏水层质量的晶片的干燥效率 ），二次不用去离子水供给异丙醇。 旋转卡盘（320）支撑基板，旋转基板。 干液供给部件（500）供给用于干燥基材的干燥流体，包括干燥喷嘴（520），混合溶液供给管（542），DIW供给管（544），醇供给管（546）和 控制单元 干燥喷嘴将干燥流体注入到基材中。 混合溶液供应管将干燥流体供应到干燥喷嘴。 DIW供应管连接到混合溶液供应管，其中用于向混合溶液供应管供应DIW的流体调节器并调节DIW的供应流量被安装在DIW供应管中。 醇供给管连接到混合溶液供给管，其中在醇供给管中安装有用于向混合溶液供给管供给异丙醇的流体调节器和调节异丙醇的供给流量。 控制单元控制安装在DIW供应管中的流体调节器和安装在酒精供应管中的流体调节器。 控制单元以最初向基底提供异丙醇和DIW的混合溶液的方式控制流体调节器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020000056482A
公开(公告)日：2000-09-15
申请号：KR1019990005833
申请日：1999-02-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: PURPOSE: Etching bath cover cleaning tool is provided to perform a good total manufacturing effect by an auto cleaning. CONSTITUTION: Etching bath cover cleaning tool comprising; a pair of cleaning liquid spouting tube(10,20) are mounted on the both side of an etching bath cover(5), many spout nozzle(12,22) are mounted on a side of each of the cleaning liquid spouting tube(10,20) for strong spout to the surface of the etching bath cover(5); each of the cleaning liquid spouting tube(10,20) connected with a cover cleaning liquid supply line(40) branched from a main cleaning liquid supply line(60), the cleaning liquid flow from main cleaning liquid supply line(60) to cover cleaning liquid supply line(40) to each of the cleaning liquid spouting tube(10,20) to many spout nozzle(12,22) to the etching bath cover(5).
Abstract translation: 目的：提供蚀刻浴缸清洁工具，通过自动清洗实现良好的整体制造效果。 蚀刻浴盖清洁工具包括： 一对清洗液喷射管（10,20）安装在蚀刻浴罩（5）的两侧，许多喷口（12,22）安装在每个清洗液喷射管（10）的一侧 ，20）用于强力喷射到蚀刻浴盖（5）的表面; 与从主清洗液供给管线（60）分支的盖清洗液供给管线（40）连接的清洗液喷出管（10,20），从主清洗液供给管线（60）流出的清洗液 清洗液体供给管线（40）到每个清洗液喷射管（10,20）到许多喷嘴（12,22）到蚀刻浴罩（5）。
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公开(公告)号：KR1020000052270A
公开(公告)日：2000-08-16
申请号：KR1019990007979
申请日：1999-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: An apparatus for cleaning a wafer is provided to improve reliability of a semiconductor device by controlling a defect like a void on a metal layer even though another metal layer is stacked after cleaning the metal layer formed on a wafer. CONSTITUTION: An apparatus for cleaning a wafer comprises an overflow-type cleaning tank(11) for cleaning the wafer, a deionized water supplying pipe(22) connected to a bottom of the cleaning tank, an exhaust valve for rapid exhaust and an exhaust valve for slow exhaust. The exhaust valve for rapid exhaust is established in a first exhaust pipe connected to the bottom of the cleaning tank. The exhaust valve for slow exhaust is established in another part of the bottom of the cleaning tank to control deionized water remaining on the wafer when the wafer is cleaned in the cleaning tank longer than a cleaning time.
Abstract translation: 目的：提供一种用于清洁晶片的装置，以便即使在清洁形成在晶片上的金属层之后堆叠另一金属层，也可以通过控制诸如金属层上的空隙的缺陷来提高半导体器件的可靠性。 构成：用于清洁晶片的装置包括用于清洁晶片的溢流式清洗槽（11），连接到清洗槽底部的去离子水供给管（22），用于快速排气的排气阀和排气阀 为慢排气。 用于快速排气的排气阀建立在连接到清洗槽底部的第一排气管中。 在清洗槽的底部的另一部分建立用于缓慢排气的排气阀，以便当清洗槽中的清洁时间超过清洁时间时，控制残留在晶片上的去离子水。
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公开(公告)号：KR1019920004446B1
公开(公告)日：1992-06-05
申请号：KR1019890017660
申请日：1989-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 서정문
IPC: G11B20/08
Abstract: The interval for fade out is selected and special frequency is recorded on additional track of a tape. When reproduced, the level of audio signal reproduced by a main head is decreased as the fade out interval is detected. The apparatus includes a fade out frequency recording unit (30) for setting fade out interval and for recording the fade out frequency on a second track (12) using a head (20), a fade out interval detector (40) for detecting the fade out frequency recorded on the second track to generate fade out interval signal, and a fade out controller (50) for decreasing the level of audio signal when the fade out interval signal is received.
Abstract translation: 选择淡出间隔，并在磁带的附加磁道上记录特殊频率。 当再现时，随着检测到淡出间隔，由主头再现的音频信号的电平降低。 该设备包括：淡出频率记录单元（30），用于设置淡出间隔，并使用头（20）在第二轨道（12）上记录淡出频率;淡出间隔检测器（40），用于检测淡入淡出 记录在第二磁道上的输出频率以产生淡出间隔信号;以及淡出控制器（50），用于当接收到淡出间隔信号时降低音频信号的电平。
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公开(公告)号：KR1019990070641A
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：KR1019980005606
申请日：1998-02-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 반도체 소자의 제조공정에 이용되는 습식세정 장비(Wet Station)의 웨이퍼 가이드(wafer guide)에 관하여 개시한다. 본 발명은, 양단 슬롯지지대 고정부 사이에서 복수개의 슬롯지지대를 고정시키는 중앙 슬롯지지대 고정부를 추가로 구성하여 웨이퍼 가이드에 가해지는 충격이 슬롯지지대 양끝인 양단 슬롯지지대 고정부에만 집중되는 것을 억제하여, 웨이퍼 가이드가 깨지거나, 떨어지는 문제점을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019990034758A
公开(公告)日：1999-05-15
申请号：KR1019970056454
申请日：1997-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
Abstract: 반도체 장치 제조용 카세트(cassette) 비도입 습식 설비를 개시한다. 본 발명은, 반도체 기판이 장착된 카세트가 장착되는 로더부(loader part)와, 로더부와 일련되게 배치되며 반도체 기판이 카세트에서 분리되는 제1임시 저장부와, 로더부의 카세트를 제1임시 저장부로 이전시키는 제1이전 수단과, 제1임시 저장부에 일련되게 배치되며 제1임시 저장부에서 분리된 반도체 기판이 임시 저장되는 제2임시 저장부와, 제1임시 저장부에서 분리된 반도체 기판을 제2임시 저장부로 이전시키는 제2이전 수단과, 제2임시 저장부에 일련되게 배치되는 습식 처리조와, 제2임시 저장부의 반도체 기판을 습식 처리조로 이전시키는 제3이전 수단 및 제2임시 저장부와 습식 처리조의 사이에 배치되며 제3이전 수단을 세정하는 세정부를 포함한다. 이때, 제1이전 수단, 제2이전 수단 및 제3이전 수단은 척을 가지는 로봇 암을 이용한다.
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