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1.发明授权
公开(公告)号：KR100366630B1
公开(公告)日：2003-01-09
申请号：KR1020000055205
申请日：2000-09-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
CPC classification number: B24B37/013 , B24B37/042 , B24B49/02
Abstract: A method of controlling a wafer polishing time using a sample-skip algorithm and a method of polishing a wafer using the same are provided. According to the method of controlling a wafer polishing time, a chemical mechanical polishing (CMP) process is performed on a plurality of wafers of an n-th lot among a plurality of lots, each lot consisting of a plurality of wafers, for a time DELTAt(n), to calculate the amount removed DELTAToxP(n) from a polished layer on the wafer. The removal rate RRb(n) of a layer on a blanket wafer is calculated from the amount removed DELTAToxP(n). A CMP time DELTAt(n+1) is determined for wafers of an n+1-th lot using the relationship equation DELTAt(n+1)={DELTAToxT(n+1)+A}/RRb(n) where "A" is a constant and DELTAToxT(n+1) is the target amount of a layer to be removed from a wafer of an n+1-th lot.
Abstract translation: 提供了一种使用样本跳过算法来控制晶片抛光时间的方法以及使用该方法抛光晶片的方法。 根据晶片研磨时间的控制方法，对由多个晶片构成的批次中的第n批的多个晶片进行化学机械研磨（CMP）处理一段时间 DELTAt（n），计算从晶圆上抛光层去除的DELTAToxP（n）量。 根据去除的量DELTAToxP（n）计算覆盖晶片上的层的去除率RRb（n）。 使用关系式DELTAt（n + 1）= {DELTAToxT（n + 1）+ A} / RRb（n）针对第n + 1批晶圆确定CMP时间DELTAt（n + 1），其中“ A＆QUOT; 是常数，并且DELTATOXT（n + 1）是从第n + 1批晶片中去除的层的目标量。
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公开(公告)号：KR1020060086668A
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：KR1020050007554
申请日：2005-01-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06T17/00 , G05B2219/40131 , G06T19/00 , G06T19/006
Abstract: 본 발명은 VR 환경에서 제품 평가를 수행하는 시스템 및 그 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 제품의 설계안에 따라 생성된 제품 컨텐츠를 VR(Virtual Reality) 환경에 디스플레이하여 사용자에게 제품을 실제로 작동시키는 효과를 제공함으로써, 제품 생산 전에 보다 정확하게 제품을 평가할 수 있는 시스템 및 방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 VR 환경에서 제품 평가를 수행하는 시스템은, 제품의 설계안에 따라 제작된 제품 데이터를 기초로 제품 컨텐츠를 생성하고, 소정의 입력 장치로부터 발생된 이벤트 동작을 상기 제품 컨텐츠에 적용하여 동작시키는 컨텐츠 관리 장치와, 상기 컨텐츠 관리 장치로부터 전송된 제품 컨텐츠를 3차원 영상으로 디스플레이 하고, 상기 입력 장치로부터 발생된 이벤트를 분석하여 컨텐츠 관리 장치로 전송하는 VR 뷰어 장치를 포함한다.
VR 뷰어 장치, 제품 평가, 이벤트 적용-
公开(公告)号：KR1020000020066A
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019980038491
申请日：1998-09-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 양경모
IPC: H01L21/00
Abstract: PURPOSE: An image of pattern to be formed in measuring chip is registered in advance, and then a coordinate of a test pattern is inputted. So SEM measures the line breadth after recognizing the pattern to decrease the measuring time. CONSTITUTION: Wafer is transferred to the stage of SEM.(S20) A flat zone of transferred wafer is arranged.(S22) A specific patterned image to be formed in chip is registered at a program.(S24) A position i.e. a coordinate of a specific pattern is inputted by micrometer unit or nanometer unit.(S26) A tip recognizes the coordinate, moves to that position and measures the line breadth of test pattern.(S28)
Abstract translation: 目的：预先记录在测量芯片中形成的图案的图像，然后输入测试图案的坐标。 因此，SEM在识别图案以减少测量时间后测量线宽。 （S20）布置转移晶片的平坦区域（S22）在程序中登记要形成芯片的特定图案化图像（S24）位置，即位置 （S26）尖端识别坐标，移动到该位置并测量测试图形的线宽（S28）
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公开(公告)号：KR100191347B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960033274
申请日：1996-08-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12 , H01J37/28 , H01J2237/2826 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 반도체 공정에서 미세선폭(CD: Critical Dimension) 관리에 사용되는 주사전자현미경(SEM: Scanning Electron Microscopy)의 정밀도를 관리하기 위한 미세선폭 관리시료에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 공정에서 사용되는 주사전자현미경 관리용 미세선폭 관리시료는 웨이퍼의 반도체기판 위에 절연물질층을 형성한 후, 상기 절연물질층에 발생된 전하가 빠져나갈 수 있도록 콘택(contact)을 형성하고, 상기 웨이퍼 전면에 전기도체막을 형성하고, 다시 상기 전기도체막 위에 특정 물질로 일정 크기 일정 패턴을 형성하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
따라서, 미세선폭 관리시료에 의한 주사전자현미경의 관리를 더욱 정밀하고 높은 수준에서 이루어지게 하며, 결과적으로 주사전자현미경을 사용하는 공정의 질적 향상을 이루게 되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980078435A
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019970015960
申请日：1997-04-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 양경모
IPC: H01L21/027
Abstract: 반도체장치에 형성되어 있는 소정 패턴의 미세선폭을 측정하기 위하여 주사전자현미경의 커서(Cursor)를 분할가변하여 미세선폭을 정확하게 측정하는 주사전자현미경의 미세선폭 측정방법에 관한 것이다.
본 발명은 반도체장치에 형성된 소정 패턴의 선폭을 주사전자현미경으로 측정하는 주사전자현미경의 미세선폭 측정방법에 있어서, 상기 측정하고자 하는 패턴의 양단에지 부분을 포함하는 각각의 분할된 커서를 형성시켜서 상기 각 커서에 포함된 영역으로부터 검출되는 신호를 이용하여 대상 패턴의 선폭을 검출하도록 구성된다.
따라서, 본 발명에 의하면 주사전자현미경의 커서를 분할하여 패턴의 에지에 놓고 미세선폭을 측정함으로써 노이즈발생을 줄여 정확하게 선폭을 측정하는 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
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7.发明公开
公开(公告)号：KR1020020022424A
公开(公告)日：2002-03-27
申请号：KR1020000055205
申请日：2000-09-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
CPC classification number: B24B37/013 , B24B37/042 , B24B49/02
Abstract: PURPOSE: A method for controlling polishing time of a wafer by using an algorithm of a sample skip method is provided to effectively reduce a variation of an elimination rate occurring between heads, by forming a plurality of heads so that a variation scope between lots is minimized. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing(CMP) process is performed regarding a plurality of wafers constituting the n-th lot among a plurality of lots for an interval of delta t(n) so that delta ToxP(n), the eliminated quantity of a polishing layer is obtained. RRb(n), the elimination rate of the polishing layer regarding a blanket wafer is obtained from delta ToxP(n). The CMP time, delta(n+1) regarding a wafer in the (n+1)-th lot is obtained from delta ToxT(n+1), the target quantity of the polishing layer eliminated from the wafer in the (n+1)-th lot while using a relational expression, delta t(n+1)=(delta ToxT(n+1)+A)/RRb(n) where A is a constant.
Abstract translation: 目的：通过使用样本跳过方法的算法来提供用于控制晶片抛光时间的方法，通过形成多个头来有效地减少头部之间发生的消除速率的变化，使得批次之间的变化范围最小化 。 构成：以三角洲t（n）的间隔对多个批次中的构成第n批次的多个晶片执行化学机械抛光（CMP）处理，使得ΔToxP（n），消除量 得到抛光层。 RRb（n），从ΔToxP（n）获得抛光层关于覆盖晶片的消除速率。 关于第（n + 1）批次中的晶片的CMP时间，δ（n + 1）是从ΔToxT（n + 1）获得的，抛光层的目标量从第（n + 1） 在使用关系表达式的第1列中，Δt（n + 1）=（Delta ToxT（n + 1）+ A）/ RRb（n）其中A是常数。
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公开(公告)号：KR100217327B1
公开(公告)日：1999-10-01
申请号：KR1019960031389
申请日：1996-07-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/20 , G01R31/307 , H01L22/12
Abstract: 본 발명은 콘택(contact)을 형성 및 상부 막질 형성공정 중에 각각의 공정을 수행한 후 매번 인-라인 주사전자현미경(in-line Scanning Electron Microscopy)으로 콘택홀 오픈 상태를 검사하고 콘택홀 낫오픈(Contact Hole Not Open)을 조기에 발견하고 이에 적절하게 대처할 수 있도록 개선시킨 반도체장치 콘택 오픈 검사방법에 관한 것으로, 이는 인-라인 주사전자현미경으로 상기 웨이퍼의 표면을 스캐닝하여 디스플레이되는 상기 콘택 부분의 콘트라스트를 확인하여 상기 콘택의 오픈 상태를 검사하도록 이루어진다.
따라서, 반도체 제조 공정 중 콘택홀의 낫오픈이 발생되지 않고 콘택홀 낫오픈에 대한 피드백 기간이 단기화되므로 효율적인 공정관리 및 수율관리가 이루어지는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980066451A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970002027
申请日：1997-01-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 양경모
IPC: H01J37/28
Abstract: 본 발명은 시료의 전하축적 정도를 확인하여 측정정밀도를 향상시키고 집적회로 제조공정의 신뢰성을 향상시키도록 한 전자현미경의 전하축적 정도 측정방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 전자현미경에서 발생하는 시료의 전하축적 정도를 평가하여 측정 정밀도를 향상시키도록 한 전자현미경의 전하축적 정도 측정방법을 제공하는데 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 전자현미경의 전하축적 정도 측정방법은 시료의 중앙 일부영역에만 고배율로 전자를 주사한 후 시료의 전영역에 전자를 저배율로 주사하고 두 영역의 밝기 차이를 비교하여 전하축적의 정도를 정확하게 평가하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1020090054490A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：KR1020070121179
申请日：2007-11-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A connection structure of a connecting pipe for an air conditioner and a connecting method thereof are provided to improve the durability by preventing the galvanic corrosion. A connection structure of a connecting pipe for an air conditioner comprises a connection pipe(30), a combining member(50) and a metal ring(40). The connection pipe is installed at both end of an indoor unit and an outdoor unit with the combining member to guide the refrigerant. The metal ring is inserted between a connecting pipe and one of pipe connection parts to prevent the refrigerant leakage. A sealant(60) is injected in the combining member to prevent the foreign material penetrating into the metal ring.
Abstract translation: 提供一种用于空调的连接管的连接结构及其连接方法，以通过防止电偶腐蚀来提高耐久性。 用于空调的连接管的连接结构包括连接管（30），组合部件（50）和金属环（40）。 连接管安装在室内机的两端和具有组合部件的室外机构，以引导制冷剂。 金属环插入连接管和管连接部之一，以防止制冷剂泄漏。 将密封剂（60）注入到组合构件中以防止异物渗入金属环。
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