公开(公告)号：KR1020170039430A

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：KR1020150138538

申请日：2015-10-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오정익 ,  김종규 ,  박종철 ,  백광현 ,  변경래 ,  양현우

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 반도체소자및 그의형성방법이제공된다. 상기반도체소자는자기터널접합구조체, 상기자기터널접합구조체상에위치하는중간전극및 상기중간전극상에위치하는상부전극을포함할수 있다. 상기중간전극은상기자기터널접합구조체와동일한측면프로파일을갖는하부영역및 상기상부전극과동일한측면프로파일을갖는상부영역을포함할수 있다.

Abstract translation: 提供了一种半导体器件及其形成方法。 半导体器件可以包括磁隧道结结构，位于磁隧道结结构上的中间电极以及位于中间电极上的上电极。 中间电极可以包括具有与磁隧道结结构相同的侧面轮廓的下部区域和具有与上部电极相同的侧面轮廓的上部区域。

公开(公告)号：KR1020150124534A

公开(公告)日：2015-11-06

申请号：KR1020140050870

申请日：2014-04-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최영석 ,  서재훈 ,  양현우 ,  박종철

IPC: H01L43/08 ,  H01L21/31 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 메모리장치가개시된다. 장치는기판상의메모리소자, 메모리소자의측면을덮고메모리소자의상부면을노출하는보호절연패턴, 메모리소자및 보호절연패턴상의상부몰드막, 및메모리소자상에제1 방향으로연장하고메모리소자에연결되는비트라인을포함한다. 보호절연패턴은메모리소자의측면의하부를덮는제1 보호절연패턴, 및메모리소자의측면의상부를덮고제1 보호절연패턴과다른물질의제2 보호절연패턴을포함한다.

Abstract translation: 公开了一种存储器件。 该装置包括在基板上的存储元件; 保护绝缘图案，其覆盖存储元件的侧面，并且暴露存储元件的上侧; 存储元件上的上模层和保护绝缘图案; 以及在存储元件上沿第一方向延伸的位线，并连接到存储元件。 保护绝缘图案包括覆盖存储元件的侧面的上部的第一绝缘图案和由与第一绝缘图案不同的材料制成的第二绝缘图案。

公开(公告)号：KR1020170045083A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：KR1020150177265

申请日：2015-12-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서재훈 ,  김종규 ,  오정익 ,  김인호 ,  박종철 ,  백광현 ,  양현우

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01B13/00

Abstract: 자기기억소자의제조방법은, 기판상에자기터널접합패턴들을형성하는것, 상기기판상에상기자기터널접합패턴들을덮는층간절연막을형성하는것, 상기층간절연막상에도전막을형성하는것, 상기도전막을패터닝하여, 상기자기터널접합패턴들에전기적으로연결되는배선패턴들을형성하는것, 및상기배선패턴들을형성한후, 서로다른물질을포함하는제1 가스및 제2 가스의혼합가스를이용하여세정공정을수행하는것을포함한다. 상기제1 가스는수소원소(H)를포함한다.

Abstract translation: 制造磁存储器元件，在基板上haneungeot形成磁性隧道结图案，haneungeot形成层间绝缘膜覆盖在基板上的磁性隧道结图案的方法，在层间绝缘haneungeot在薄膜上形成导电膜，图案化导电膜， 形成电连接到磁隧道结图案的布线图案，并通过使用包含不同材料的第一气体和第二气体的混合气体形成布线图案， 它包括执行。 第一种气体包括氢元素（H）。