公开(公告)号：KR1020100098146A

公开(公告)日：2010-09-06

申请号：KR1020090017169

申请日：2009-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영석 ,  백종선 ,  김영남 ,  조형석 ,  강선진 ,  유버들

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L22/12

Abstract: PURPOSE: An apparatus for measuring a semiconductor device and a method for measuring the semiconductor device are provided to improve the reliability of a CD value by analyzing reflection value of a semiconductor device. CONSTITUTION: A beam projection unit project electronic beam on a sample. The whole-area is comprised of a CD region and a normal region. An analysis section(200) is electrically connected to the beam projection unit. The analysis section is comprised of a recognition part(220) and a controller(210). The recognition part recognizes the reflected light from the surface of the sample to transmit it to the controller.

Abstract translation: 目的：提供一种用于测量半导体器件的装置和用于测量半导体器件的方法，以通过分析半导体器件的反射值来提高CD值的可靠性。 规定：光束投影单元将电子束投射在样品上。 整个区域由CD区域和正常区域组成。 分析部分（200）电连接到光束投影单元。 分析部分由识别部分（220）和控制器（210）组成。 识别部件识别来自样品表面的反射光以将其发送到控制器。

公开(公告)号：KR101493048B1

公开(公告)日：2015-02-13

申请号：KR1020090017169

申请日：2009-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영석 ,  백종선 ,  김영남 ,  조형석 ,  강선진 ,  유버들

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L22/12

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 측정 장치를 제공한다. 상기 반도체 소자 측정 장치는 식각 및 성장되는 CD 영역과 상기 CD 영역과 연결되는 정상 영역으로 이루어지는 전체 영역을 갖는 시료로 전자 빔을 조사하는 빔 출사부; 및 상기 빔 출사부와 전기적으로 연결되며, 상기 시료의 표면으로부터 반사되는 전자 빔으로부터 반사도 값을 상기 전자 빔의 파장에 따라 취득한 이후에 상기 CD 영역과 상기 정상 영역의 사이에서의 반사도 값의 차이가 발생되는 영역의 파장 범위를 선택하여 설정하는 분석부를 포함한다. 또한, 본 발명은 상기 반도체 소자 측정 장치를 사용한 반도체 소자 측정 방법도 제공한다. 따라서, 본 발명은 반도체 소자에 대한 두께 및 물성에 따는 반사도 변화를 최소화하고, 특정 파장을 모니터링 할 수 있도록 파장 범위를 설정하여 반도체 소자의 측정 부분에 대한 CD 값을 정확하게 측정 및 분석할 수 있다.