-
公开(公告)号：KR1020100072428A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080130837
申请日：2008-12-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01R19/15 , G01R1/06 , G01R31/304
Abstract: PURPOSE: A substrate inspecting method and a device thereof are provided to accurately distinguish the change of a current due to variation of a matter property and topographic. CONSTITUTION: A first probe(110) and a second probe(120) are arranged on the top of a substrate. The first probe measures a first current between the first area and the second area of the substrate. A second probe measures a second current between the first area and the second area of the substrate.
Abstract translation: 目的：提供基板检查方法及其装置，以准确地区分由于物质和地形变化引起的电流变化。 构成：第一探针（110）和第二探针（120）布置在基底的顶部。 第一探针测量衬底的第一区域和第二区域之间的第一电流。 第二探针测量衬底的第一区域和第二区域之间的第二电流。
-
公开(公告)号：KR1020060006172A
公开(公告)日：2006-01-19
申请号：KR1020040055062
申请日：2004-07-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01R31/02
CPC classification number: G01R31/1263 , Y10T29/41
Abstract: 반도체 기판의 셀 어레이 영역 내에서 선택된 셀 블록 상에 형성된 유전막의 누설 전류 특성을 검사하기 위한 방법 및 장치에서, 코로나 차저(corona charger)는 상기 선택된 셀 블록 상에 코로나 이온 전하를 도포하고, 다수의 측정 프로브 들 중에서 선택된 측정 프로브는 상기 유전막의 표면 전압 변화를 측정한다. 프로브 제어부는 상기 셀 블록의 크기에 따라 상기 다수의 측정 프로브들 중에서 하나를 선택하며, 상기 반도체 기판의 이미지 데이터를 이용하여 상기 선택된 측정 프로브를 상기 선택된 셀 블록 상에 정렬시킨다. 데이터 처리 유닛은 상기 측정된 표면 전압 변화를 나타내는 측정 스펙트럼과 기 설정된 기준 데이터를 비교하여 상기 유전막의 누설 전류 특성을 결정한다. 따라서, 개개의 셀 블록에 대한 유전막의 누설 전류 특성을 용이하게 검사할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020060005680A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：KR1020040054562
申请日：2004-07-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G21K7/00
Abstract: 반도체 제조공정 중에 나타나는 패턴의 3차원 프로파일을 형성할 수 있는 방법에서, 기준시료부터 주사깊이를 따라 연속하는 X-선 세기함수를 구하고, 세기함수를 미분한다. 미분한 세기함수의 수직 형상함수를 치환하고 다시 적분하여 수정된 X-선 세기함수를 구한다. 측정된 대상물의 검사용 X-선과 기준시료의 기준용 X-선을 비교하여 오차범위 내에서 일치하는 수직 형상함수를 최적 수직 형상함수로 결정한다. 패턴의 평면형상과 최적 수직 형상함수를 결합하여 검사대상 패턴에 대한 3차원 이미지를 형성한다.
-
公开(公告)号：KR100657789B1
公开(公告)日：2006-12-14
申请号：KR1020040055062
申请日：2004-07-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01R31/02
CPC classification number: G01R31/1263 , Y10T29/41
Abstract: 반도체 기판의 셀 어레이 영역 내에서 선택된 셀 블록 상에 형성된 유전막의 누설 전류 특성을 검사하기 위한 방법 및 장치에서, 코로나 차저(corona charger)는 상기 선택된 셀 블록 상에 코로나 이온 전하를 도포하고, 다수의 측정 프로브 들 중에서 선택된 측정 프로브는 상기 유전막의 표면 전압 변화를 측정한다. 프로브 제어부는 상기 셀 블록의 크기에 따라 상기 다수의 측정 프로브들 중에서 하나를 선택하며, 상기 반도체 기판의 이미지 데이터를 이용하여 상기 선택된 측정 프로브를 상기 선택된 셀 블록 상에 정렬시킨다. 데이터 처리 유닛은 상기 측정된 표면 전압 변화를 나타내는 측정 스펙트럼과 기 설정된 기준 데이터를 비교하여 상기 유전막의 누설 전류 특성을 결정한다. 따라서, 개개의 셀 블록에 대한 유전막의 누설 전류 특성을 용이하게 검사할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020060123968A
公开(公告)日：2006-12-05
申请号：KR1020050045643
申请日：2005-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: An apparatus for cushioning an impact of exhaust pressure and an apparatus for analyzing a sample having the same are provided to prevent a change of flow rate of X-ray detection gas by buffering a floating state of exhaust pressure. A buffer chamber(202) is installed between a first exhaust tube(312) for exhausting residual gas from a process chamber(310) and a second exhaust tube(314) connected with an exhaust pump(350) disposed outside a process chamber. The buffer chamber includes a first region for storing the gas and a second region for storing a predetermined liquid. An auxiliary tube(210) is connected with the first exhaust tube and is extended from the first exhaust tube to the inside of the predetermined liquid in order to bubble the gas within the predetermined liquid.
Abstract translation: 提供一种用于缓冲排气压力的冲击的装置和用于分析其的试样的装置，以通过缓冲排气压力的浮动状态来防止X射线检测气体的流量的变化。 缓冲室（202）安装在用于排出来自处理室（310）的残余气体的第一排气管（312）和与设置在处理室外部的排气泵（350）连接的第二排气管（314）之间。 缓冲室包括用于储存气体的第一区域和用于储存预定液体的第二区域。 辅助管（210）与第一排气管连接并从第一排气管延伸到预定液体的内部，以便使预定液体内的气体气泡。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100593654B1
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：KR1020040054562
申请日：2004-07-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G21K7/00
Abstract: 반도체 제조공정 중에 나타나는 패턴의 3차원 프로파일을 형성할 수 있는 방법에서, 기준시료부터 주사깊이를 따라 연속하는 X-선 세기함수를 구하고, 세기함수를 미분한다. 미분한 세기함수의 수직 형상함수를 치환하고 다시 적분하여 수정된 X-선 세기함수를 구한다. 측정된 대상물의 검사용 X-선과 기준시료의 기준용 X-선을 비교하여 오차범위 내에서 일치하는 수직 형상함수를 최적 수직 형상함수로 결정한다. 패턴의 평면형상과 최적 수직 형상함수를 결합하여 검사대상 패턴에 대한 3차원 이미지를 형성한다.
Abstract translation: 在用于形成出现在半导体制造过程中，从参考样品，以获得沿扫描深度连续地，和区分强度函数的X射线强度函数的三维轮廓的图案的方法。 导数函数的垂直形函数被替换并重新整合以获得修改后的X射线强度函数。 将用于检查被测物体的X射线与参考样本的参考X射线进行比较，并且在误差范围内的相应垂直形状函数被确定为最佳垂直形状函数。 通过组合图案的平面形状和最佳垂直形状函数，形成待检查图案的三维图像。
-
公开(公告)号：KR1020170143069A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：KR1020160075906
申请日：2016-06-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01B11/06 , G01B9/02001 , G01B9/02021 , G01B11/0616 , G01B11/0625 , G01B11/0675 , G01B2210/56
Abstract: 본발명의실시예에따른두께측정장치는, 펨토초레이저를방출하는광원, 상기방출된펨토초레이저의일부를타겟으로입사시키고, 다른일부를기준거울로입사시키는광 커플러, 상기기준거울에서반사된반사신호및 상기타겟에서발생된샘플신호가입사되고, 상기반사신호와상기샘플신호간의간섭신호로부터상기타겟의두께를측정하는검출기및 상기광원, 상기광 커플러, 그리고상기검출기를연결하는광 파이버를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的厚度测量装置，光源，其发射飞秒激光入射到发射飞秒激光的到目标的部分和从所述光电耦合器，反射所述参考反射镜的入射另一部分到参考反射镜反射 信号并且入射从目标，反射信号和所述检测器和所述光源产生的取样信号，从采样信号之间的干扰信号的光耦合器，以测量目标的厚度，并包括光纤连接所述检测器 的。
-
公开(公告)号：KR100659158B1
公开(公告)日：2006-12-19
申请号：KR1020050045643
申请日：2005-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 공정 챔버의 배기 압력을 완충시킬 수 있는 배기압 완충 장치에 있어서, 버퍼 챔버는 공정 챔버로부터 잔류 가스를 배기시키기 위한 제1배기 배관 및 공정 챔버 외부에 배치된 배기 펌프와 연결되는 제2배기 배관 사이에 구비되고, 소정의 액체를 수용함으로써 잔류 가스가 수용되는 제1영역 및 액체가 수용되는 제2영역으로 분리된다. 버퍼 챔버 내부에 배치되는 보조 배관은 제1배기 배관과 연결되고, 제1배기 배관으로부터 액체 내부로 연장되며, 상기 가스를 상기 액체 내에서 버블링시킨다. 상기와 같은 구성을 갖는 배기압 완충 장치는 배기 펌프의 배기 압력이 변동하더라도 공정 챔버 내의 잔류 가스를 일정한 압력으로 배기시킬 수 있다.
-
公开(公告)号：KR100538092B1
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：KR1020030012425
申请日：2003-02-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/9501
Abstract: 반도체 기판상의 박막에 포함된 불순물의 수직 농도분포를 모니터링 할 수 있는 방법 및 장치가 개시된다. 모니터링 위치에 대응하는 박막의 단면을 노출시키기 위해 단면 노출부를 이동시킨다. 이어서, 박막의 국소위치에 습식에칭을 시행하여 에칭영역외의 부분에는 영향을 끼치지 않도록 박막의 단면을 노출시킨다. 노출된 국소영역으로 광을 조사한 후 반사광을 분석하여 단면형상을 검출한다. 저장된 데이터베이스와 비교하여 단면형상에 대응하는 불순물의 농도를 개별적으로 구함으로써 단면전체에 대한 불순물의 수직 농도분포를 모니터링 한다. 이에 따라, 반도체 기판 전체를 파괴하지 않고서도 불순물의 수직 농도분포를 구할 수 있으며, 각 불순물의 부분적인 농도분포도 측정할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR100524194B1
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：KR1020030043232
申请日：2003-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N21/47 , G01N21/55 , G01N2021/556
Abstract: 검사대상이 되는 웨이퍼에 대한 위치제어를 수행한 후, 표면검사를 수행하는 웨이퍼의 검사방법 및 이를 수행하기 위한 장치가 개시되어 있다. 검사위치의 위치분석을 위해 제1 광을 조사하며, 이를 감지하여 웨이퍼의 높낮이를 보정하고 보정된 위치에 제2 광을 조사하여 표면검사를 실시한다. 또한, 적어도 하나의 제1 광을 검사예정위치에 조사하여 위치분석을 수행하면서 제1 광과 다른 파장을 가진 제2 광을 검사위치에 조사하여 표면검사를 실시한다. 웨이퍼의 표면검사는 일정한 스폿사이즈를 가진 입사광을 검사위치에 조사하고, 반사되는 광을 검출하여 이미지 프로세싱 단계를 거쳐 검사예정위치에 대한 위치정보를 예측하는 방법을 통해 실시될 수도 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.021 seconds)
