公开(公告)号：KR101617252B1

公开(公告)日：2016-05-02

申请号：KR1020120105328

申请日：2012-09-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최두환 ,  윤정봉 ,  최창원

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10876

Abstract: 트랜지스터의형성방법에서, 기판상부를부분적으로제거하여트렌치를형성한다. 상부에보이드(void)를갖는소자분리막을상기트렌치내부에형성하여상기기판에액티브패턴을정의한다. 상기액티브패턴및 상기소자분리막상에포토레지스트패턴을형성한다. 상기포토레지스트패턴을식각마스크로사용하여상기액티브패턴및 상기소자분리막을부분적으로제거하여리세스를형성한다. 플라즈마처리공정을수행하여, 상기포토레지스트패턴을제거하고상기보이드를매립한다. 상기리세스를매립하는게이트절연막및 게이트전극을형성한다.

公开(公告)号：KR1020020072402A

公开(公告)日：2002-09-16

申请号：KR1020010012300

申请日：2001-03-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김재우 ,  장성남 ,  윤정봉

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A method for forming a contact plug of a semiconductor device is provided to form a contact plug having a projected shape by controlling an etching selection ratio between a polysilicon layer and an oxide layer. CONSTITUTION: An oxide layer as an insulating layer is formed on a semiconductor substrate(30). A contact(32) is formed by etching the oxide layer. A polysilicon layer is deposited on the oxide layer including the contact(32). A poly plug is formed within the contact(32) by performing the first etch process for the polysilicon layer. The polysilicon layer is etched by a reactive ion etching process as an anisotropic etching process under a low pressure. The second etch process is performed in order to remove poly residues. A projected poly plug(34a) is formed within the contact(32) by the second etch process.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的接触插塞的方法，以通过控制多晶硅层和氧化物层之间的蚀刻选择比来形成具有突出形状的接触插塞。 构成：在半导体衬底（30）上形成作为绝缘层的氧化物层。 通过蚀刻氧化物层形成触点（32）。 在包括触点（32）的氧化物层上沉积多晶硅层。 通过对多晶硅层进行第一蚀刻工艺，在触点（32）内形成多晶硅塞。 通过反应离子蚀刻工艺在低压下作为各向异性蚀刻工艺蚀刻多晶硅层。 执行第二蚀刻工艺以去除聚残余物。 通过第二蚀刻工艺在触点（32）内形成突出的多晶硅塞（34a）。

公开(公告)号：KR1020020009188A

公开(公告)日：2002-02-01

申请号：KR1020000042689

申请日：2000-07-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤정봉

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: An etch method in a semiconductor fabricating process is provided to etch a whole surface of a polysilicon by using an etch selection ratio of the polysilicon and an oxide layer. CONSTITUTION: An oxide layer is formed on a substrate(10). An oxide layer pattern(12) having a contact hole is formed on the substrate(10) by etching a part of the oxide layer and exposing the substrate(10) between gate electrodes. An etching gas such as CHF3 and CF4 is used in the etch process of the oxide layer. A source and a drain are formed on a bottom portion of the substrate(10) by implanting dopants. A gate electrode is formed on an upper portion of the substrate(10). The gate electrode is formed by etching a polysilicon layer and a tungsten silicon layer formed on the substrate(10). A polysilicon(16) is formed on the substrate(10) by using a CVD(Chemical Vapor Deposition) method. The polysilicon(16) is etched by using the etch gas.

Abstract translation: 目的：提供半导体制造工艺中的蚀刻方法，以通过使用多晶硅和氧化物层的蚀刻选择比来蚀刻多晶硅的整个表面。 构成：在基板（10）上形成氧化物层。 通过蚀刻氧化物层的一部分并在基板（10）之间露出基板（10），形成具有接触孔的氧化物层图案（12）。 在氧化物层的蚀刻工艺中使用诸如CHF 3和CF 4的蚀刻气体。 源极和漏极通过注入掺杂剂形成在衬底（10）的底部上。 栅电极形成在基板（10）的上部。 通过蚀刻形成在基板（10）上的多晶硅层和钨硅层形成栅电极。 通过使用CVD（化学气相沉积）方法在基板（10）上形成多晶硅（16）。 通过使用蚀刻气体来蚀刻多晶硅（16）。

公开(公告)号：KR1020010026859A

公开(公告)日：2001-04-06

申请号：KR1019990038349

申请日：1999-09-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 석종욱 ,  윤정봉

IPC: H01L21/283

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor device is provided to prevent the occurrence of a leakage current from a gate electrode to an adjacent conductive layer. CONSTITUTION: In the method, a polysilicon layer(64), a tungsten silicide layer(66) and a nitride layer(68) are sequentially formed on a semiconductor substrate(50) and then anisotropically etched to form a gate electrode(70) by using a mixed gas of sulfur fluoride such as SF6 and chlorine having a higher etch rate to the tungsten silicide layer(66) than the polysilicon layer(64) and the nitride layer(68). Therefore, the tungsten silicide layer(66) is overetched so that a recess(80) is formed on sides thereof. Then, a spacer(72) is formed on sides of the gate electrode(70), allowing a relatively increased thickness thereof on the sides of the tungsten silicide layer(66), and thus preventing the leakage current from the tungsten silicide layer(66) to an adjacent contact formed in a subsequent process.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，以防止从栅电极到相邻导电层的漏电流的发生。 构成：在该方法中，在半导体衬底（50）上依次形成多晶硅层（64），硅化钨层（66）和氮化物层（68），然后各向异性蚀刻以形成栅电极（70），由 使用比多晶硅层（64）和氮化物层（68）对硅化钨层（66）具有较高蚀刻速率的硫化氟如SF 6和氯的混合气体。 因此，硅化钨层（66）被过蚀刻，使得在其侧面上形成有凹部（80）。 然后，在栅电极（70）的侧面上形成间隔物（72），使其在硅化钨层（66）的侧面具有相对增加的厚度，从而防止来自硅化钨层（66）的漏电流 ）到在后续过程中形成的相邻接触。

公开(公告)号：KR1020000025418A

公开(公告)日：2000-05-06

申请号：KR1019980042499

申请日：1998-10-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 문경진 ,  김성모 ,  윤정봉 ,  이종현

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A method for forming a gate spacer is provided to prevent a bridge between contact pads by forming the gate spacer having thick thickness and slow stepped spacer profile. CONSTITUTION: An insulator(108) for forming gate spacer is deposited on entire surface of a semiconductor substrate(100) having a gate line(106). An etch-back process is performed, so that the insulator(108) has a slow stepped profile. And then a gate spacer is formed by etching the slow stepped insulator(108) using dry etching, wherein the etch-back process is performed in conditions of relatively high power compared to the dry etching process.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成栅极间隔物的方法，以通过形成具有厚厚度的栅极隔离物和缓慢的阶梯式间隔物轮廓来防止接触焊盘之间的桥接。 构成：用于形成栅极间隔物的绝缘体（108）沉积在具有栅极线（106）的半导体衬底（100）的整个表面上。 执行回蚀处理，使得绝缘体（108）具有缓慢的阶梯轮廓。 然后通过使用干蚀刻蚀刻慢阶梯绝缘体（108）形成栅极间隔物，其中与干法蚀刻工艺相比，在相对较高功率的条件下执行回蚀工艺。

公开(公告)号：KR1019990073893A

公开(公告)日：1999-10-05

申请号：KR1019980007132

申请日：1998-03-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이호영 ,  윤정봉

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 플랫폼에 구비되는 캐리어를 안정적으로 지지할 수 있는 지지부를 구비시킨 반도체소자 제조장치에 관한 것이다.
본 발명은 캐리어에 적재된 웨이퍼의 이송이 이루어지는 플랫폼에 상기 캐리어를 지지할 수 있는 지지부가 구비되는 반도체소자 제조장치에 있어서, 상기 지지부는 상기 캐리어의 외측면을 지지할 수 있는 방향으로 상기 지지부의 외측의 양측부를 연장시킨 외측지지부를 일체로 구비시켜 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 플랫폼에 구비되는 캐리어를 안정적으로 고정시켜 반도체소자의 제조에 따른 이송의 수행시 캐리어가 유동되는 것을 방지함으로써 수율의 증가 및 생산성 등이 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100164501B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019950067536

申请日：1995-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서기일 ,  윤정봉 ,  이종성

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 반도체소자의 제조공정에서 공정장비와 공정장비 사이에 웨이퍼를 이송하는 이송장비에 관한 것으로 특히 웨이퍼의 이송동작시 캐리어를 일정간격으로 정렬하여 주는 캐리어 가이드에 대한 것이다.
종래의 캐리어 가이드는 캐리어의 변형이나 크기의 오차가 심하면 웨이퍼 캐리어 슬롯의 위치와 캐리어 슬롯의 위치가 틀어지게 되어, 이 상태에서 웨이퍼를 차져로 반송하게 되면 슬롯의 정렬미스로 인하여 웨이퍼가 파손되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점들을 극복하기 위한 것으로, 캐리어 가이드의 일측에 유동이 가능하도록 슬라이드 블록을 삽입하고 캐리어가 장착되는 부위에 일측으로 캐리어를 밀착시켜 주는 고정수단을 통하여 캐리어의 유동을 방지하고 캐리어와 캐리어 사이의 간격을 조절하므로서 웨이퍼의 반송시 정렬미스에 의한 웨이퍼의 파손을 방지하도록 하였다.

公开(公告)号：KR1019970053334A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950067536

申请日：1995-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서기일 ,  윤정봉 ,  이종성

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 반도체소자의 제조공정에서 공정장비와 공정장비 사이에 웨이퍼를 이송하는 이송장비에 관한 것으로 특히 웨이퍼의 이송동작시 캐리어를 일정간격으로 정렬하여 주는 캐리어 가이드에 대한 것이다.
종래의 캐리어 가이드는 캐리어의 변형이나 크기의 오차가 심하면 웨이퍼 캐리어 슬롯의 위치와 캐리어 슬롯의 위치가 틀어지게 되어, 이 상태에서 웨이퍼를 차져로 반송하게 되면 슬롯의 정렬미스로 인하여 웨이퍼가 파손되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점들을 극복하기 위한 것으로, 캐리어 가이드의 일측에 유동이 가능하도록 슬라이드 블록을 삽입하고 캐리어가 장착되는 부위에 일측으로 캐리어를 밀착시켜 주는 고정수단을 통하여 캐리어의 유동을 방지하고 캐리어와 캐리어 사이의 간격을 조절하므로서 웨이퍼의 반송시 정렬미스에 의한 웨이퍼의 파손을 방지하도록 하였다.

公开(公告)号：KR101682473B1

公开(公告)日：2016-12-05

申请号：KR1020130124310

申请日：2013-10-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최현선 ,  김태훈 ,  윤정봉 ,  최병욱

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/673

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/6732

Abstract: 오염물을제거하는사이드스토리지및 이를구비하는반도체소자제조설비에있어서, 사이드스토리지는내부에기판을수용하는수용공간을갖고, 기판을세정하는퍼지가스를공급하는가스공급부및 외부와연통되어기판으로부터분리된오염물(fume)과퍼지가스를배출하는다수의배기용개구를구비하는챔버, 챔버의내측벽을따라일정한간격으로배치되어기판을개별적으로적재하는다수의기판지지부재및 각기판지지부재에배치되어가스공급부와개별적으로연결되고기판의상면으로퍼지가스를분사하는적어도하나의가스분사구를구비하는기판지지부재및 배기용개구와연결되어오염물을외부로방출하는배기유닛을포함한다. 적재된각 기판사이의이격공간으로퍼지가스를분사하여오염물을효과적으로배출할수 있다.

Abstract translation: 提供一种侧存储单元，其包括用于容纳多个基板的清洁室，所述清洁室具有供应器，用于从其中提供用于从基板除去烟雾的清洁气体，以及多个排出口， 烟气和清洁气体; 多个衬底保持器，布置在清洁室的内侧壁上，并将衬底支撑在清洁室中，每个衬底保持器具有连接到气体供应器的至少一个气体注射器，以将清洁气体供应到衬底的表面上 ; 以及排出组件，其连接到排放口以排出烟雾和清洁气体的混合物。

公开(公告)号：KR1020150045083A

公开(公告)日：2015-04-28

申请号：KR1020130124310

申请日：2013-10-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최현선 ,  김태훈 ,  윤정봉 ,  최병욱

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/673

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/6732 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/67389

Abstract: 오염물을제거하는사이드스토리지및 이를구비하는반도체소자제조설비에있어서, 사이드스토리지는내부에기판을수용하는수용공간을갖고, 기판을세정하는퍼지가스를공급하는가스공급부및 외부와연통되어기판으로부터분리된오염물(fume)과퍼지가스를배출하는다수의배기홀을구비하는챔버, 챔버의내측벽을따라일정한간격으로배치되어기판을개별적으로적재하는다수의슬롯및 각슬롯에배치되어가스공급부와개별적으로연결되고기판의상면으로퍼지가스를분사하는적어도하나의가스분사구를구비하는기판지지부재및 배기홀과연결되어오염물을외부로방출하는배기유닛을포함한다. 적재된각 기판사이의이격공간으로퍼지가스를분사하여오염물을효과적으로배출할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于除去烟雾的侧面存储器以及包括其的半导体制造设备。 侧储存器包括：包括存储基板的存储空间的室，供给净化气体以清洗基板的气体供给单元和与外部连通以排出与基板分离的烟雾的多个排气孔 以及吹扫气体; 衬底支撑构件，其包括沿着所述腔的内侧壁放置的多个狭槽，以分别装载衬底;以及至少一个气体喷射孔，其分别放置在每个所述槽中，以分别与所述气体供应单元连接， 将吹扫气体喷射到衬底的顶表面; 以及与排气孔连接以将烟雾排放到外部的排气单元。 因此，侧面储存可以通过将吹扫气体喷射到装载的基板之间的分离空间来有效地排出烟雾。