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公开(公告)号：KR20210034726A
公开(公告)日：2021-03-31
申请号：KR1020190116041A
申请日：2019-09-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/1068 , G06F11/1012 , G06F1/08 , G06F11/076 , G06F11/1016 , G06F11/1044 , G06F11/1072 , G06F11/1679 , G06F3/0619
Abstract: 본 발명에 따른 메모리 모듈은, 제 1 입출력 폭을 갖고, 데이터를 저장하는 제 1 메모리 칩들, 제 2 입출력 폭을 갖고, 상기 데이터의 에러를 정정하기 위한 에러 정정 코드를 저장하는 제 2 메모리 칩, 및 메모리 제어기로부터 클록, 명령어, 및 어드레스를 수신하고, 상기 제 1 메모리 칩들 및 상기 제 2 메모리 칩에 상기 클록, 상기 명령어, 및 상기 어드레스를 전송하는 드라이버 회로를 포함하고, 상기 제 1 메모리 칩들의 각각의 어드레스 뎁쓰와 상기 제 2 메모리 칩의 어드레스 뎁쓰는 서로 다른 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：WO2022075649A1
公开(公告)日：2022-04-14
申请号：PCT/KR2021/013225
申请日：2021-09-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 전자 장치가 개시된다. 전자 장치는 카메라 및 프로세서를 포함한다. 프로세서는 카메라에 의해 획득된 이미지에서 관심 오브젝트를 포함하는 임계 크기의 제1 영역을 식별하고, 관심 오브젝트의 뎁스 정보 및 제1 영역에서 관심 오브젝트를 제외한 영역에 포함된 복수의 배경 오브젝트들의 뎁스 정보를 식별하고, 관심 오브젝트의 뎁스 정보 및 복수의 배경 오브젝트들의 각각의 뎁스 정보 간 차이에 기초하여 복수의 배경 오브젝트들 중 관심 오브젝트가 위치한 배경 오브젝트를 식별할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2022025458A1
公开(公告)日：2022-02-03
申请号：PCT/KR2021/008433
申请日：2021-07-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 전자 장치가 개시된다. 전자 장치는 제1 이미지 센서, 제2 이미지 센서 및 프로세서를 포함하고, 프로세서는, 제1 이미지 센서를 이용하여 제1 뎁스 이미지 및 컨피던스 맵(confidence map)을 획득하고, 제2 이미지 센서를 이용하여 RGB 이미지를 획득하고, 컨피던스 맵 및 RGB 이미지를 바탕으로 제2 뎁스 이미지를 획득하고, 컨피던스 맵의 픽셀값을 바탕으로 제1 뎁스 이미지 및 제2 뎁스 이미지를 합성하여 제3 뎁스 이미지를 획득할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020120037747A
公开(公告)日：2012-04-20
申请号：KR1020100099393
申请日：2010-10-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/28132 , H01L21/28114 , H01L29/42376 , H01L29/4966 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/42312
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to improve the reliability of the semiconductor device by preventing a gate insulation layer pattern from being damaged. CONSTITUTION: A sacrificial gate electrode is formed on a substrate(1). A gate spacer(11) is formed on the substrate near the sacrificial gate electrode. A first recess is formed by simultaneously removing a part of the sacrificial gate electrode and a part of the gate spacer. A second recess is formed by removing the sacrificial gate electrode. A metal gate electrode(43) is formed by depositing metal to fill the first recess and the second recess.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，以通过防止栅极绝缘层图案被损坏来提高半导体器件的可靠性。 构成：在基板（1）上形成牺牲栅电极。 在牺牲栅极附近的基板上形成栅极间隔物（11）。 通过同时去除牺牲栅电极的一部分和栅极间隔物的一部分来形成第一凹部。 通过去除牺牲栅电极形成第二凹陷。 通过沉积金属以填充第一凹部和第二凹部来形成金属栅电极（43）。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020170076476A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：KR1020150186777
申请日：2015-12-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/2094 , G06F2201/805 , G06F2201/82 , G11C5/025 , G11C7/12 , G11C8/08 , G11C29/785 , G11C29/84
Abstract: 포스트패키지리페어(PPR) 동작을수행하는메모리장치가개시된다. 메모리장치는메모리콘트롤러로부터포스트패키지리페어(PPR) 커맨드와불량로우어드레스를수신하고, PPR 커맨드에따라불량로우어드레스를비휘발성메모리또는휘발성메모리에저장하고, 불량로우어드레스에의해선택되는불량워드라인을대체하는리던던시워드라인에연결되는리던던시메모리셀들에데이터를기입하는 PPR 동작을수행한다. 리던던시메모리셀들에는불량워드라인에연결된메모리셀들의데이터가기입되거나데이터 `0` 또는데이터 `1`이기입된다.
Abstract translation: 公开了一种用于执行封装后修复（PPR）操作的存储设备。 所述存储器装置是接收根据所述PPR命令到所述非易失性存储器或易失性存储器，并且通过有缺陷的行地址选择的封装后修复（PPR）命令和从存储器控制器有缺陷的行地址，并存储有缺陷的行地址的有缺陷的字线 并且执行PPR操作以将数据写入连接到要被替换的冗余字线的冗余存储单元。 在冗余存储单元中，连接到缺陷字线的存储单元的数据被写入或输入数据'0'或数据'1'。
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公开(公告)号：KR101675392B1
公开(公告)日：2016-11-14
申请号：KR1020100099393
申请日：2010-10-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/28132 , H01L21/28114 , H01L29/42376 , H01L29/4966 , H01L29/66545 , H01L29/6656
Abstract: 하부에보이드없이금속게이트전극을형성할수 있는반도체장치의제조방법이제공된다. 상기반도체장치의제조방법은기판을제공하고, 상기기판상에희생게이트전극을형성하고, 상기희생게이트전극에인접하도록상기기판상에게이트스페이서를형성하고, 상기희생게이트전극을제거하여리세스를형성하고, 상기게이트스페이서의측벽을식각하여상기리세스의하부에서상부로갈수록폭이점차적으로넓어지도록하고, 상기리세스를채우도록금속을증착하여금속게이트전극을형성하는것을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150043849A
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：KR1020130122778
申请日：2013-10-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명은이동통신시스템에서기지국의캐리어어그리게이션(Carrier Aggregation: CA) 기술운용제어방법에있어서, 사용자단말기(User Equipment: UE)에대해서무선베어러가설정됨을검출하는과정과, 상기무선베어러에해당하는서비스품질(Quality of Service: QoS) 클래스지시자(QoS Class Indicator: QCI)와상기무선베어러를통해송신될데이터트래픽의크기를검출하는과정과, 상기검출된 QCI 와데이터트래픽크기를기반으로상기 UE에대해 CA 기술을적용할지여부를결정하는과정을포함함을특징으로한다.
Abstract translation: 一种用于控制移动通信系统中的基站的载波聚合（CA）技术的使用的方法，包括：检测对于用户设备（UE）的无线承载的设置; 检测与无线承载对应的业务等级指示符（QCI）和通过无线承载发送的数据业务的大小; 以及基于检测到的QCI和数据业务量来确定是否将所述CA技术应用于所述UE。
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公开(公告)号：KR101908980B1
公开(公告)日：2018-10-17
申请号：KR1020120042194
申请日：2012-04-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/7851
Abstract: 전계효과트랜지스터가제공된다. 기판상의소스영역및 드레인영역및 상기기판의상면으로부터돌출된핀 베이스가제공된다. 상기핀 베이스로부터위로연장되고상기소스영역과상기드레인영역을연결하는복수의핀 부분들및 상기핀 부분들상의게이트전극이제공된다. 상기핀 부분들과상기게이트전극사이에게이트유전막이제공된다.
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