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    컴퓨팅 시스템 및 그것의 하이버네이션 방법
    1.
    发明授权
    컴퓨팅 시스템 및 그것의 하이버네이션 방법 有权
    计算系统及其自动化方法

    公开(公告)号：KR101691091B1

    公开(公告)日：2016-12-30

    申请号：KR1020100110516

    申请日：2010-11-08

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김규동 ,  김도근 ,  김성철

    IPC: G06F12/16

    CPC classification number: G06F1/3275 ,  G06F9/4418 ,  Y02D10/13 ,  Y02D10/14

    Abstract: 본발명은컴퓨팅시스템의동작방법에관한것으로서, 구체적으로하이버네이션방법에관한것이다. 본발명의실시예에따르면, 하이버네이션요청에응답하여, 컴퓨팅시스템에서실행중인데이터에기반한백업데이터및 쓰기어드레스들이발생된다. 그리고, 쓰기어드레스들이플래시메모리에대응될때, 하드디스크드라이브에대응하는변환어드레스들이발생된다. 변환어드레스들에따라, 백업데이터는상기하드디스크드라이브에저장될것이다.

    Abstract translation: 一种计算系统的休眠方法，其包括根据所述计算系统在休眠请求中使用的数据的至少一部分生成备份数据和写入地址，当所述写入地址对应于所述第二非易失性存储器时，生成对应于第一非易失性存储器的转换地址 第二非易失性存储器，并且根据写入地址或转换地址将备份数据存储在第一非易失性存储器中。

    메모리 장치의 복구 방법 및 메모리 장치를 구비하는 시스템의 부팅 방법
    2.
    发明公开
    메모리 장치의 복구 방법 및 메모리 장치를 구비하는 시스템의 부팅 방법 审中-实审
    用于重新记录存储器装置和打包包括存储器件的系统的方法

    公开(公告)号：KR1020150055946A

    公开(公告)日：2015-05-22

    申请号：KR1020130138555

    申请日：2013-11-14

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 추민엽 ,  정부일 ,  김도근 ,  박미경 ,  이동양 ,  임선영 ,  정주연 ,  한혁

    IPC: G06F11/16 ,  G06F12/00 ,  G06F9/24

    CPC classification number: G11C29/04 ,  G11C29/78 ,  G11C29/785 ,  G11C29/88

    Abstract: 메모리장치는부트메모리영역, 일반메모리영역및 여분메모리영역을포함한다. 메모리장치의복구방법은부트메모리영역의제1 불량메모리셀들을포함하는제1 불량메모리유닛들을배제하거나여분메모리영역의부트복구메모리유닛들로대체하여부트메모리영역을복구하는단계; 및부트메모리영역을복구한후, 일반메모리영역의제2 불량메모리셀들을포함하는제2 불량메모리유닛들을배제하거나여분메모리영역의복수의복구메모리유닛들중 부트복구메모리유닛들을제외한복구메모리유닛들로대체하여일반메모리영역을복구하는단계를포함한다.

    Abstract translation: 存储装置包括：引导存储器区域; 一般记忆区; 和一个备用存储区。 在存储装置中使用的恢复方法包括以下步骤：排除包括引导存储器区域中的第一缺陷存储器单元的第一缺陷存储器单元，或者用备用存储器区域中的恢复存储器单元替换第一缺陷存储器单元，以恢复引导存储器区域 ; 并且在恢复所述引导存储器区域以恢复所述一般存储器之后，将除了所述引导恢复存储器单元之外的所述备用存储器区域中的所述恢复存储器单元替换为所述第二缺陷存储器单元， 区。

    메모리 시스템 및 이를 포함하는 컴퓨팅 시스템
    4.
    发明公开
    메모리 시스템 및 이를 포함하는 컴퓨팅 시스템 审中-实审
    包括其的存储系统和计算系统

    公开(公告)号：KR1020150068679A

    公开(公告)日：2015-06-22

    申请号：KR1020130154622

    申请日：2013-12-12

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 정부일 ,  정주연 ,  김도근 ,  이동양 ,  추민엽

    IPC: G06F12/00 ,  G06F9/24

    CPC classification number: G11C29/44 ,  G06F9/4401 ,  G11C2029/0407 ,  G11C2029/4402

    Abstract: 메모리시스템은바이오스를저장하는롬, 메인메모리및 프로세서를포함한다. 상기메인메모리는적어도하나의결함셀을구비하는메모리셀 로우를지정하는적어도하나의페일어드레스를저장하는페일어드레스테이블을구비한다. 상기프로세서는상기메모리시스템에전원이인가되는파워-온시에상기메인메모리로부터상기적어도하나의페일어드레스에관한페일정보를제공받고, 스토리지디바이스에저장되며상기메모리시스템의부팅동작과관련된데이터를상기적어도하나의페일어드레스에상응하는페일영역을회피하여상기메인메모리의안전영역에로딩시킨다.

    Abstract translation: 存储器系统包括用于存储BIOS的ROM，主存储器和处理器。 主存储器设置有失败地址表，用于存储指定具有至少一个有缺陷单元的存储单元行的至少一个故障地址。 处理器在其中存储系统被供电的上电时被提供关于来自主存储器的至少一个故障地址的失败信息，并加载存储在存储设备中并且与引导相关的数据 通过避免与至少一个故障地址相对应的故障区域，将存储器系统的操作移动到主存储器的安全区域。

    컴퓨팅 시스템 및 그것의 하이버네이션 방법
    6.
    发明公开
    컴퓨팅 시스템 및 그것의 하이버네이션 방법 有权
    计算系统及其自动化方法

    公开(公告)号：KR1020120048986A

    公开(公告)日：2012-05-16

    申请号：KR1020100110516

    申请日：2010-11-08

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김규동 ,  김도근 ,  김성철

    IPC: G06F12/16

    CPC classification number: G06F1/3275 ,  G06F9/4418 ,  Y02D10/13 ,  Y02D10/14

    Abstract: PURPOSE: A computing system and a hibernating method thereof are provided to increase the reliability of data in a flash memory without programming memory cells in a flash memory. CONSTITUTION: A computing system generates backup data and write addresses based on operating data(S140). Conversion addresses are generated in HDD when the write addresses are matched with a flash memory(S160). The backup data is stored in the HDD according to the conversion addresses(S180). The backup data is stored according to the conversion addresses.

    Abstract translation: 目的：提供一种计算系统及其休眠方法，以提高闪速存储器中数据的可靠性，而无需对闪速存储器中的存储单元进行编程。 规定：计算系统根据操作数据生成备份数据和写入地址（S140）。 当写入地址与闪速存储器匹配时，在HDD中产生转换地址（S160）。 备份数据根据转换地址存储在HDD中（S180）。 备份数据根据转换地址存储。

    메모리슬롯별 서로 다른 기준전압을 갖는 반도체 메모리장치
    8.
    发明公开
    메모리슬롯별 서로 다른 기준전압을 갖는 반도체 메모리장치 失效
    具有每个存储槽不同参考电压的半导体存储器件

    公开(公告)号：KR1020020066019A

    公开(公告)日：2002-08-14

    申请号：KR1020010006188

    申请日：2001-02-08

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김도근 ,  김명호 ,  조성래 ,  김희동

    IPC: G11C5/02

    CPC classification number: G06F12/00 ,  G06F13/16 ,  G11C5/02 ,  G11C5/14

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor memory device having a different reference voltage per memory slot is provided, which improves a reliability by minimizing the influence of noise generated on a Rambus channel, and reads data accurately without regard to the noise, and also increases a noise immunity. CONSTITUTION: The memory device comprises a number of reference voltage sources(85-1,85-2) in correspondence to a number of memory modules. The reference voltage sources apply reference voltages(Vref1,Vref2) of different voltage levels respectively to a corresponding memory module among the memory modules respectively. The first reference voltage source(85-1) comprises serial resistors(R81,R82) connected to a termination voltage(Vterm) and a ground, and provides the first reference voltage to the first memory module, and therefore an equal reference voltage(Vref1) is applied to Rambus DRAMs(82-1,82-2) on the first memory module. And the second reference voltage source comprises serial resistors(R83,R84) connected to the termination voltage and the ground, and provides the second reference voltage to the second memory module, and therefore an equal reference voltage(Vref2) is applied to Rambus DRAMs(83-1,83-1) on the second memory module.

    Abstract translation: 目的：提供每个存储器槽具有不同参考电压的半导体存储器件，其通过最小化在Rambus通道上产生的噪声的影响来提高可靠性，并且不考虑噪声来准确地读取数据，并且还增加了抗噪声性。 构成：存储器件包括对应于多个存储器模块的多个参考电压源（85-1,85-2）。 参考电压源分别将不同电压电平的参考电压（Vref1，Vref2）分别施加到存储器模块中的相应存储器模块。 第一参考电压源（85-1）包括连接到终端电压（Vterm）和接地的串联电阻器（R81，R82），并将第一参考电压提供给第一存储器模块，因此提供相等的参考电压（Vref1 ）应用于第一存储器模块上的Rambus DRAM（82-1,82-2）。 并且第二参考电压源包括连接到终端电压和地的串联电阻器（R83，R84），并将第二参考电压提供给第二存储器模块，因此相等的参考电压（Vref2）被施加到Rambus DRAM 83-1,83-1）。

    온도에 따라 차별화된 리드 동작 및 라이트 동작을 갖는 반도체 메모리 장치
    9.
    发明公开
    온도에 따라 차별화된 리드 동작 및 라이트 동작을 갖는 반도체 메모리 장치 审中-实审
    具有根据温度进行识别读取和写入操作的半导体存储器件

    公开(公告)号：KR1020140045792A

    公开(公告)日：2014-04-17

    申请号：KR1020120111982

    申请日：2012-10-09

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김진현 ,  김도근

    IPC: G11C7/10 ,  G11C7/22 ,  G11C11/16

    CPC classification number: G11C11/1673 ,  G11C7/04 ,  G11C11/165 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1695 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004

    Abstract: Disclosed is a semiconductor device having a differentiated read operation and write operation depending on temperatures. The semiconductor memory device comprises a memory cell array in which columns and rows of magnetic memory cells connected to a bit line and a source line are arranged in a plurality of matrix forms; and a temperature sensing unit which generates a temperature sensing signal by detecting a temperature of the memory cell array. A memory controller, constituting a memory system together with the semiconductor memory device, can differentially control the read and write operations of the semiconductor memory device according to the temperature sensing signal of the temperature sensing unit.

    Abstract translation: 公开了具有根据温度的差分读取操作和写入操作的半导体器件。 半导体存储器件包括存储单元阵列，其中连接到位线和源极线的磁存储单元的列和行排列成多个矩阵形式; 以及温度检测单元，其通过检测存储单元阵列的温度来产生温度感测信号。 与半导体存储器件一起构成存储器系统的存储器控​​制器可以根据温度感测单元的温度感测信号差分地控制半导体存储器件的读取和写入操作。

    데이터 읽기 및 쓰기 속도 정보가 저장되는 메모리 카드및 이를 포함하는 시스템
    10.
    发明授权
    데이터 읽기 및 쓰기 속도 정보가 저장되는 메모리 카드및 이를 포함하는 시스템 失效
    其中存储数据读取和写入速度信息的存储卡以及包括存储卡的系统

    公开(公告)号：KR100634452B1

    公开(公告)日：2006-10-16

    申请号：KR1020050002614

    申请日：2005-01-11

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김도근 ,  최영준 ,  고영위 ,  박태하

    IPC: G06K19/07 ,  G06F1/00

    Abstract: 본 발명의 시스템은 하나 이상의 데이터 읽기 및 쓰기 속도 정보를 저장하는 멀티 레지스터를 포함하는 메모리 카드와 상기 멀티 레지스터에 저장된 상기 데이터 읽기 및 쓰기 속도 정보를 읽어와서 자신의 동작 요구 성능에 만족하는지 여부를 판별하는 호스트를 포함하는 것을 특징으로 한다.
    메모리 카드, 호스트, 멀티 레지스터, 데이터 읽기 속도, 데이터 쓰기 속도

    Abstract translation: 用于存储本发明的系统确定是否读出存储在存储卡和包含所述多寄存器中的数据读取和写入速度信息多寄存器的至少一个数据读出和写入速度信息是满意他们的所需的操作的性能 并且连接到网络的主机。

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