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公开(公告)号：KR101248943B1
公开(公告)日：2013-03-29
申请号：KR1020070106740
申请日：2007-10-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/76885 , H01L27/10855 , H01L27/10885 , H01L27/10888
Abstract: 본 발명은 비트 라인 콘택 플러그의 접촉 신뢰성을 향상할 수 있는 콘택 플러그 구조를 가지는 반도체 장치의 제조 방법을 개시한다. 제조 방법은, 소자분리막과 제1 및 제2 활성영역이 정의된 기판 상에 형성된 게이트 구조를 덮는 제1 층간 절연막을 형성하는 단계; 제1 층간 절연막을 패터닝하여 제1 활성영역을 노출하도록 형성된 개구부를 도전 물질로 충진하여 제1 콘택 플러그를 형성하는 단계; 제1 층간 절연막 및 제1 콘택 플러그를 덮는 제2 층간 절연막을 형성하는 단계; 제2 층간 절연막을 패터닝하여 제2 활성영역을 노출하도록 형성된 개구부를 도전 물질로 충진하여, 기판으로부터 제1 콘택 플러그의 높이에 비하여 높은 제2 콘택 플러그를 형성하는 단계; 제2 콘택 플러그 상에, 도전 물질을 포함하고 제2 콘택 플러그 전기적으로 연결되는 제3 콘택 플러그 및 제3 콘택 플러그 상에 캡핑층을 형성하는 단계; 제3 콘택 플러그의 측면 상에 제1 스페이서를 형성하는 단계; 제2 층간 절연막 상에 제3 콘택 플러그를 덮는 제3 층간 절연막을 형성하는 단계; 및 제3 층간 절연막을 패터닝하여 제1 콘택 플러그를 노출하도록 형성된 제3 개구부를 제4 도전 물질로 충전하여 제1 콘택 플러그와 전기적으로 연결되는 제4 콘택 플러그를 형성하는 단계를 포함한다.
콘택 플러그, DC(direct contact), BC(buried contact), 비트라인, 배리어층-
公开(公告)号：KR1020080079501A
公开(公告)日：2008-09-01
申请号：KR1020070019768
申请日：2007-02-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박미경
IPC: H04N21/4725
CPC classification number: G06F3/00 , H04N1/00291 , H04N1/00294 , H04N2201/0039 , H04N2201/0055 , H04N2201/0067
Abstract: A method for processing a still image and a broadcast receiving apparatus applying the same are provided to enable a user to select the still image and transmit the selected still image to an external device by using a GUI window for selecting a desired still image of still images composing stored broadcasting, thereby enabling the user to use home network services conveniently. A method for processing a still image comprises the following steps of: displaying and storing received broadcasting(S215); providing a GUI(Graphical User Interface) for still image selection which enables a user to select one of still images composing the stored broadcasting; and transmitting a still image, selected by the user through the GUI for still image selection, to an external device connected by wireless(S280).
Abstract translation: 提供了一种用于处理静止图像的方法和应用该静止图像的广播接收装置，以使用户能够选择静止图像并通过使用用于选择静止图像的所需静止图像的GUI窗口将所选择的静止图像发送到外部设备 组合存储的广播，从而使得用户能够方便地使用家庭网络服务。 一种用于处理静止图像的方法包括以下步骤：显示和存储所接收的广播（S215）; 提供用于静止图像选择的GUI（图形用户界面），其使得用户能够选择构成所存储的广播的静止图像之一; 以及通过用于静态图像选择的GUI通过用户选择的静止图像发送到通过无线连接的外部设备（S280）。
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公开(公告)号：KR101640769B1
公开(公告)日：2016-07-19
申请号：KR1020090107118
申请日：2009-11-06
Applicant: 삼성전자주식회사 , 단국대학교 산학협력단
CPC classification number: G06F9/45533 , G06F9/45554
Abstract: 본발명의실시예에따른가상화시스템은, 하드웨어, 상기하드웨어를가상화시키는가상머신모니터, 상기가상화된하드웨어를이용하여운영되는사용자도메인, 및상기가상화된하드웨어를이용하여운영되고, 상기사용자도메인을관리하는루트도메인을포함하고, 상기가상머신모니터는상기사용자도메인의실행동작을실시간으로분석하고, 상기분석된실행정보를상기루트도메인에저장한다. 본발명에따른가상화시스템및 그것의명령어실행방법은, 실시간으로운영체제및 응용프로그램의실행동작을분석할수 있다. 이에따라, 분석된실행동작을근거로보다효율적으로시스템을관리할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150054373A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：KR1020130136744
申请日：2013-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F12/06
Abstract: 메모리시스템의동작방법에서는메모리컨트롤러를초기화시킨다. 메모리컨트롤러가비휘발성메모리및 휘발성메모리를포함하는하이브리드메모리장치의페일(fail) 정보영역으로부터비휘발성메모리및 휘발성메모리의페일정보를독출한다. 메모리컨트롤러가페일정보에기초하여하이브리드메모리장치중 페일정보영역및 페일영역과구분되는안전영역에데이터가저장되도록데이터와관련된논리적어드레스를안전영역의물리적어드레스에매핑한다. 메모리컨트롤러가매핑에따라데이터를안전영역에저장한다. 메모리시스템의동작방법에따르면페일정보를시스템레벨로전달할수 있고, 운영체제는페일정보를이용하여응용프로그램을하이브리드메모리장치내의안전영역에로딩할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种操作存储器系统的方法。 该方法包括：初始化存储器控制器的步骤; 存储器控制器从包括非易失性存储器和易失性存储器的混合存储器件的故障信息区域读取非易失性存储器和易失性存储器的故障信息的步骤; 存储器控制器将目标数据的逻辑地址映射到安全区域的物理地址上以将数据存储在与混合存储器件的故障信息区域分离的安全区域中的步骤和基于故障信息的故障区域 ; 以及存储器控制器根据映射操作将数据存储在安全区域中的步骤。 根据存储器系统操作方法，存储器控制器可以将故障信息传递到系统级，并且操作系统可以使用故障信息将应用程序加载到混合存储器件的安全区域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150051641A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：KR1020130133374
申请日：2013-11-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 메모리시스템의동작방법에서는메모리컨트롤러를초기화시킨다. 메모리컨트롤러가메모리장치에포함되는페일(fail) 정보영역으로부터페일정보를독출한다. 메모리컨트롤러가페일정보에기초하여메모리장치중 페일정보영역및 페일영역을제외한안전영역에프로그램이저장되도록어드레스매핑한다. 메모리컨트롤러가어드레스매핑에따라프로그램을메모리장치의안전영역에로딩한다. 메모리시스템의동작방법을사용하면, 페일정보를시스템레벨로전달할수 있고, 운영체제는페일정보를이용하여응용프로그램을메모리장치내의안전영역에로딩할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种操作存储系统的方法，包括以下步骤。 一个内存控制器被初始化。 存储器控制器从包含在存储器件中的故障信息区域读取故障信息。 存储器控制器基于故障信息映射地址，以使程序存储在包括在存储器件中的故障信息区域和故障区域之外的安全区域中。 存储器控制器根据地址映射将程序加载到存储器件的安全区域中。 根据本发明的用于操作存储器系统的方法的使用允许将故障信息传送到系统级和操作系统，以通过使用故障信息将应用程序加载到存储器设备的安全区域。
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公开(公告)号：KR101358813B1
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：KR1020070019768
申请日：2007-02-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박미경
IPC: H04N21/4725
CPC classification number: G06F3/00 , H04N1/00291 , H04N1/00294 , H04N2201/0039 , H04N2201/0055 , H04N2201/0067
Abstract: 정지화면 처리방법 및 이를 적용한 방송수신장치가 제공된다. 본 정지화면 처리방법은 저장된 방송을 구성하는 정지화면들 중 원하는 정지화면을 선택하기 위한 GUI 창을 이용하여 사용자가 선택한 정지화면을 외부기기로 전송한다. 이에 따라, 사용자의 원활한 홈네트워크 서비스 이용을 도모할 수 있게 된다.
블루투스, DTV, 정지화면, 인쇄, GUI-
公开(公告)号：KR1020150085301A
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：KR1020140005020
申请日：2014-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/0793 , G06F9/445 , G06F11/073 , G06F11/1004 , G06F11/1417
Abstract: 메모리시스템의동작방법에서는메모리장치에포함되는비휘발성메모리및 휘발성메모리중 상기비휘발성메모리에저장된부트코드및 불량정보에기초하여하드웨어를초기화시킨다. 호스트가불량정보에기초하여메모리컨트롤러에포함되는내부메모리및 메모리장치의안전영역에서데이터를처리한다. 호스트및 메모리컨트롤러가불량정보(FI)에기초하여메모리장치내의불량영역에상응하는물리적어드레스(PA)에액세스하는것을차단하여메모리시스템의오동작을방지할수 있고, 불량정보(FI)를호스트및 메모리컨트롤러가포함되는시스템레벨로전달할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种操作存储器系统的方法，该存储器系统基于包括在存储器件中的非易失性存储器和易失性存储器，基于存储在非易失性存储器中的引导代码和故障信息来初始化硬件。 主机根据故障信息处理内部存储器中的安全区域中的数据和包含在存储器控制器中的存储器件。 主机和存储器控制器通过基于故障信息（FI）阻止对对应于存储器设备中的故障区域的物理地址（PA）的访问来防止存储器系统的故障，并将故障信息（FI）发送到 系统级，包括主机和内存控制器。
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公开(公告)号：KR1020150055946A
公开(公告)日：2015-05-22
申请号：KR1020130138555
申请日：2013-11-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C29/04 , G11C29/78 , G11C29/785 , G11C29/88
Abstract: 메모리장치는부트메모리영역, 일반메모리영역및 여분메모리영역을포함한다. 메모리장치의복구방법은부트메모리영역의제1 불량메모리셀들을포함하는제1 불량메모리유닛들을배제하거나여분메모리영역의부트복구메모리유닛들로대체하여부트메모리영역을복구하는단계; 및부트메모리영역을복구한후, 일반메모리영역의제2 불량메모리셀들을포함하는제2 불량메모리유닛들을배제하거나여분메모리영역의복수의복구메모리유닛들중 부트복구메모리유닛들을제외한복구메모리유닛들로대체하여일반메모리영역을복구하는단계를포함한다.
Abstract translation: 存储装置包括：引导存储器区域; 一般记忆区; 和一个备用存储区。 在存储装置中使用的恢复方法包括以下步骤：排除包括引导存储器区域中的第一缺陷存储器单元的第一缺陷存储器单元，或者用备用存储器区域中的恢复存储器单元替换第一缺陷存储器单元，以恢复引导存储器区域 ; 并且在恢复所述引导存储器区域以恢复所述一般存储器之后，将除了所述引导恢复存储器单元之外的所述备用存储器区域中的所述恢复存储器单元替换为所述第二缺陷存储器单元， 区。
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公开(公告)号：KR1020090041167A
公开(公告)日：2009-04-28
申请号：KR1020070106740
申请日：2007-10-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/76885 , H01L27/10855 , H01L27/10885 , H01L27/10888
Abstract: A semiconductor device with a contact plug structure and a method for manufacturing the same are provided to preventing a silicide layer from being exposed due to the etchant by forming a metal silicide layer in a higher position than a lower structure of a storage contact. A first interlayer dielectric layer to cover a gate structure is formed on a substrate(100) defining an isolation layer, a first active region(102), and a second active region(104). A first contact plug(120) is formed by filling a first conductive material in a first opening to expose the first active region by patterning the first interlayer dielectric layer. A second interlayer dielectric layer(118) covering the first interlayer dielectric layer and the first contact plug is formed. A second contact plug is formed by filling a second conductive material in a second opening to expose the second active region by patterning the second interlayer dielectric layer. A third contact plug(150a) and a capping layer are formed on the second contact plug. The third interlayer dielectric layer(170) covering the third contact plug is formed on the second interlayer dielectric layer. A fourth contact plug(180) is formed by filling a fourth conductive material in a third opening to expose the first contact plug by patterning the third interlayer dielectric layer.
Abstract translation: 提供具有接触插塞结构的半导体器件及其制造方法，以通过在比存储触点的下部结构更高的位置形成金属硅化物层来防止硅化物层由于蚀刻剂而露出。 覆盖栅极结构的第一层间介质层形成在限定隔离层的衬底（100）上，第一有源区（102）和第二有源区（104）。 通过在第一开口中填充第一导电材料以形成第一层间电介质层来露出第一有源区，形成第一接触插塞（120）。 形成覆盖第一层间电介质层和第一接触插塞的第二层间介质层（118）。 通过在第二开口中填充第二导电材料以形成第二层间电介质层来形成第二有源区，形成第二接触插塞。 在第二接触插塞上形成第三接触插塞（150a）和覆盖层。 覆盖第三接触插塞的第三层间电介质层（170）形成在第二层间电介质层上。 通过在第三开口中填充第四导电材料来形成第四接触插塞（180），以通过图案化第三层间电介质层来露出第一接触插塞。
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