公开(公告)号：KR1020010084007A

公开(公告)日：2001-09-06

申请号：KR1020000008740

申请日：2000-02-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임광신 ,  임흥빈 ,  고용균

IPC: H01L21/3063

Abstract: PURPOSE: A close type etching chamber is provided to prevent a density change of an etching solution by condensing vapor of an etching solution. CONSTITUTION: An etching bath(32) stores an etching solution. A cover(34) is installed at an upper opening of the etching bath(32). The cover(34) has a trap structure for collecting the evaporated etching solution in an etching process. A heater(42) is installed within the etching bath(32) to heat the etching solution. A thermometer(46) measures a temperature of the etching solution. A temperature controller(44) heats the etching solution to a predetermined temperature by controlling the heater(42). A stirrer(52) stirs the etching solution within the etching bath(32). A bubbler(54) bubbles the etching solution to an inert gas. A condenser(62) condenses vapor of the etching solution.

Abstract translation: 目的：提供一种紧密型蚀刻室，以通过冷凝蚀刻溶液的蒸气来防止蚀刻溶液的密度变化。 构成：蚀刻槽（32）存储蚀刻溶液。 盖（34）安装在蚀刻槽（32）的上部开口处。 盖（34）具有用于在蚀刻工艺中收集蒸发的蚀刻溶液的捕获结构。 加热器（42）安装在蚀刻槽（32）内以加热蚀刻溶液。 温度计（46）测量蚀刻溶液的温度。 温度控制器（44）通过控制加热器（42）将蚀刻溶液加热至预定温度。 搅拌器（52）搅拌蚀刻槽（32）内的蚀刻溶液。 起泡器（54）将蚀刻溶液气泡至惰性气体。 冷凝器（62）冷凝蚀刻溶液的蒸汽。

公开(公告)号：KR100211672B1

公开(公告)日：1999-08-02

申请号：KR1019960060024

申请日：1996-11-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허용우 ,  임흥빈 ,  손병우 ,  이미경

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67017 ,  B01D3/346

Abstract: 본 발명은 통상의 화학분석기기를 사용하여 반도체용 화학물질들을 분석하기 전에 효율적인 분석을 가능하게 하도록 시료를 전처리하는데 사용될 수 있는 반도체용 화학물질 농축장치 및 농축방법에 관한 것이다.
본 발명은, 가스인입관(45)과 증기인출관(46)이 연결된 시료용기(11)와, 상기 시료용기(11)의 상방에 위치하여 상기 시료용기(11)내의 화학물질을 가열하는 히터(15)와, 상기 시료용기(11)의 가스인입관(45)에 연결된 가스히터(44)를 통하여 운반가스를 공급하는 가스공급원(43)과, 상기 증기인출관(46)에 연결된 응축기(21)를 통하여 응축되어 액화된 화학물질을 수집하는 수집용기(12)로 이루어진 반도체용 화학물질 농축장치와, 이를 이용하여 반도체용 화학물질을 농축하는 방법으로 이루어진다.
따라서, 반도체 제조공정 중 습식세정공정 등과 같은 공정에서 사용되는 화학물질의 오염의 정도를 정성분석 및 정량분석하기 위한 시료의 전처리로서 매우 유용하게 시료를 농축시킬 수 있도록 함으로써 반도체 장치의 제조공정을 효율적으로 관리토록 하는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100327342B1

公开(公告)日：2002-03-06

申请号：KR1019990046910

申请日：1999-10-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허용우 ,  임흥빈 ,  길준잉 ,  배은미

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/31111

Abstract: 반도체소자제조용질화막의식각조성물및 이식각조성물을이용한식각방법을제공한다. 이에의하면인산및 불산의혼합수용액으로서인산의농도가 50~70중량%인식각조성물을담고있는식각조내에질화막이형성된웨이퍼를투입하여상기식각조성물에의하여질화막이식각되도록한다. 이식각조성물을 130℃이하의저온으로가열한경우에도매우빠른속도로식각하는것이가능하다. 불산의농도가 0.005~0.05 중량%인경우, 질화막자체의식각율을상승시킬뿐 아니라산화막에대한질화막의선택비를매우높게유지시킨다.

公开(公告)号：KR100292953B1

公开(公告)日：2001-11-30

申请号：KR1019980023773

申请日：1998-06-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허용우 ,  임흥빈

IPC: H01L21/302

Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조용 식각장치 및 이를 이용한 식각방법에 관한 것이다.
본 발명의 식각장치는, 탈이온수에 희석시킨 반도체소자 식각용 케미컬을 수용할 수 있는 배스; 상기 배스에 수용된 케미컬을 소정의 온도로 가열시킬 수 있는 히터; 및 상기 케미컬의 가열시 상기 케미컬을 희석시킨 탈이온수가 상기 배스의 외부로 증발하는 것을 차단시킬 수 있도록 상기 배스의 상부 전면을 밀폐시킬 수 있는 커버를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
본 발명의 식각방법은, 탈이온수에 희석시킨 반도체소자 식각용 케미컬이 수용된 배스의 상부 전면을 밀폐시키고, 상기 케미컬이 소정의 온도가 유지되도록 가열시킴과 동시에 상기 케미컬을 소정의 온도로 가열시킨 가스로 버블링시켜 반도체소자를 식각시키는 것을 특징으로 한다.
따라서, 식각공정의 수행시 소망하는 공정조건으로 용이하게 제어함으로써 반도체소자의 제조에 따른 신뢰도 및 생산성이 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020010038794A

公开(公告)日：2001-05-15

申请号：KR1019990046910

申请日：1999-10-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허용우 ,  임흥빈 ,  길준잉 ,  배은미

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/31111

Abstract: PURPOSE: An etching method using an etching composition for manufacturing semiconductor device is provided to etch a silicon nitride layer at a high rate and to etch the silicon nitride layer even at a high rate when the silicon nitride layer is heated to a low temperature of 130 deg.C, by adding hydrofluoric acid to a phosphorous aqueous solution. CONSTITUTION: A mixed aqueous solution composed of phosphorous acid and hydrofluoric acid is contained in an etching bath, wherein the density of the phosphorous acid is 50-70 wt%. A wafer having a nitride layer is put to the etching bath to make the nitride layer etched by an etching composition.

Abstract translation: 目的：提供使用用于制造半导体器件的蚀刻组合物的蚀刻方法以高速蚀刻氮化硅层，并且即使在将氮化硅层加热至130℃的低温时也以高速率蚀刻氮化硅层 通过向磷酸水溶液中加入氢氟酸。 构成：由磷酸和氢氟酸组成的混合水溶液包含在蚀刻浴中，其中亚磷酸的密度为50-70重量％。 将具有氮化物层的晶片放入蚀刻槽中，以通过蚀刻组合物蚀刻氮化物层。

公开(公告)号：KR1020010027001A

公开(公告)日：2001-04-06

申请号：KR1019990038556

申请日：1999-09-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허용우 ,  임흥빈 ,  길준잉

IPC: H01L21/306

Abstract: PURPOSE: Chemicals for wet etch are to provide good repeatability of an etch process by preventing variation of a density caused by volatility of the chemicals, and to improve productivity of the etch process by increasing an etch rate while having good selectivity. CONSTITUTION: Etching liquid is used in a process for wet-etching a silicon nitride layer in a closed chamber by using an oxide layer as a mask, wherein the etching liquid is composed of 85 H3PO4, 0.01-0.1 HF and 1 hydrogen peroxide. In the etching liquid, an etch rate of the silicon nitride layer is from 60 to 74 angstrom/minute and an etch selectivity of a nitride layer and an oxide layer is not lower than 20, at a temperature of 120 deg.C.

Abstract translation: 目的：用于湿蚀刻的化学品是通过防止由化学品的挥发性引起的密度变化而提供蚀刻工艺的良好重复性，并且通过提高蚀刻速率同时具有良好的选择性来提高蚀刻工艺的生产率。 构成：蚀刻液用于通过使用氧化物层作为掩模在封闭室中湿法蚀刻氮化硅层的工艺中，其中蚀刻液由85H 3 PO 4，0.01-0.1 HF和1过氧化氢组成。 在蚀刻液中，在120℃的温度下，氮化硅层的蚀刻速率为60〜74埃/分钟，氮化物层和氧化物层的蚀刻选择性为20以上。

公开(公告)号：KR1019980005730A

公开(公告)日：1998-03-30

申请号：KR1019960023546

申请日：1996-06-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허용우 ,  임흥빈 ,  고복순 ,  손병우

IPC: H01L21/304

公开(公告)号：KR100187448B1

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019960023546

申请日：1996-06-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허용우 ,  임흥빈 ,  고복순 ,  손병우

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B01D1/0029 ,  B01D1/14 ,  Y10S159/06 ,  Y10S159/15 ,  Y10S159/21 ,  Y10S159/35 ,  Y10S203/11

Abstract: 반도체용 케미칼의 정량 분석을 위해 시료 전처리 과정으로서 수행되는 반도체용 케미칼의 농축방법 및 장치가 개시되어 있다.
본 발명의 반도체용 케미칼 농축방법은, 케미칼을 증발시켜 농축하는 반도체용 케미칼 농축방법에 있어서, 시료용기로부터 이격된 고에너지 광원을 사용하여 케미칼이 들어 있는 상기 시료용기를 가열하고 상기 시료용기에 형성된 가스주입구를 통해 고온의 가스를 주입하여 상기 케미칼을 증발시키며, 상기 가스의 압력으로 상기 증발된 케미칼을 상기 시료용기에 형성된 가스배출구를 통해 배출하여 응측시키는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명은 케미칼의 정량분석을 위한 시료의 농축시 시료의 손실을 방지하여 시료 속에 포함된 극미량 불순물의 회수율을 극대화할 수 있고, 실험실 주위의 환경오염을 줄일 수 있으며, 높은 증기압을 가진 케미칼을 포함한 반도체용 케미칼의 농축을 단시간에 수행할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100801708B1

公开(公告)日：2008-02-11

申请号：KR1020060132919

申请日：2006-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  단국대학교 산학협력단

Inventor： 이재석 ,  임흥빈 ,  류원경 ,  채승기 ,  이양구 ,  이헌정

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/94 ,  G01N21/718 ,  G01N21/9501 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68785

Abstract: Equipment for analyzing contaminants of a wafer is provided to save the time for fabricating a sample for analyzing the contaminants of a wafer by immediately detecting and analyzing the contaminants at a wafer level. A wafer holder(160) holds a wafer(W) for analyzing contaminants. A laser ablation apparatus(110) irradiates laser(L) to the wafer to gather a sample from the wafer. An analysis cell(170) locally isolates a sample gathered portion from the outside wherein the laser is irradiated to the sample gathered portion among the entire surface of the wafer and the sample is gathered from the sample gathered portion. An analysis apparatus(190) analyzes the contaminants from the gathered sample, connected to the analysis cell. The wafer holder can include a plate on which the wafer is placed, and a plurality of vacuum holes on which vacuum pressure acts are formed in the plate to adsorb the wafer.

Abstract translation: 提供用于分析晶片污染物的设备，以通过立即检测和分析晶片级的污染物来节省制造用于分析晶片污染物的样品的时间。 晶片保持器（160）保持用于分析污染物的晶片（W）。 激光烧蚀装置（110）将激光（L）照射到晶片以从晶片收集样品。 分析单元（170）将来自外部的样本收集部分局部地隔离，其中在晶片的整个表面中激光照射到样品聚集部分，并且样品从样品收集部分收集。 分析装置（190）分析来自收集的样品的污染物，其连接到分析单元。 晶片保持器可以包括其上放置晶片的板，并且在板中形成真空压力的多个真空孔以吸附晶片。

公开(公告)号：KR1020010027004A

公开(公告)日：2001-04-06

申请号：KR1019990038559

申请日：1999-09-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허용우 ,  임흥빈 ,  길준잉

IPC: H01L21/302

Abstract: PURPOSE: A system for controlling a density of chemicals is provided to improve yield and productivity by increasing precision of a process, and to reduce delay time of the process as compared with a conventional method of artificially measuring the density of the chemicals to adjust the density. CONSTITUTION: A pipe-type flow cell(40) made of a light transparent material is installed on a chemical circulation line(24) formed in a chemical bath(20). A density detecting sensor(50) detects a density of wet chemicals(22) flowing in the flow cell as an electrical signal by using light of a specific wavelength for detecting the density of the chemicals. A controller(60) calculates the density of the chemicals by comparing a signal outputted from the density detecting sensor with density data of previously-stored reference chemicals, and outputs a signal for controlling the density of the chemicals by an established density. Respective solenoid valves control a quantity of high density chemicals and deionized water induced into the chemical bath, and opens/shuts according to an output signal of the controller.

Abstract translation: 目的：提供一种用于控制化学品浓度的系统，通过提高工艺精度来提高产量和生产率，并且与传统的人工测量化学品密度以调节密度相比，缩短了工艺的延迟时间 。 构成：在由化学浴（20）形成的化学循环管线（24）上安装有由透光材料制成的管式流通池（40）。 密度检测传感器（50）通过使用用于检测化学品浓度的特定波长的光来检测作为电信号在流通池中流动的湿化学物质（22）的密度。 控制器（60）通过将从密度检测传感器输出的信号与先前存储的参考化学品的浓度数据进行比较来计算化学品的浓度，并输出用于控制化学品浓度的信号，并建立密度。 各电磁阀控制一定量的高浓度化学物质和去离子水引入化学浴液，并根据控制器的输出信号打开/关闭。