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公开(公告)号：KR101909204B1
公开(公告)日：2018-10-17
申请号：KR1020120067999
申请日：2012-06-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7842 , H01L21/02532 , H01L21/02587 , H01L21/02636 , H01L21/02658 , H01L29/045 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 기판상에상부표면, 제1 측면, 상기제1 측면에대향하는제2 측면, 상기상부표면, 상기제1 측면및 상기제2 측면에접촉된제3 측면을갖는활성영역이배치된다. 상기상부표면, 상기제1 측면및 상기제2 측면중 적어도하나를덮는게이트전극이형성된다. 상기활성영역의상기제3 측면에접촉된스트레인-유도패턴(strain-inducing pattern)이형성된다. 상기활성영역의상기제3 측면은두 개이상의평면들을갖는다. 상기제3 측면의제1 평면은상기제1 측면에대하여예각을이루고, 상기제3 측면의제2 평면은상기제2 측면에대하여예각을이룬다.
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公开(公告)号：KR101345623B1
公开(公告)日：2013-12-31
申请号：KR1020070098042
申请日：2007-09-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F13/42
CPC classification number: G06F13/426 , G06F13/385 , G06F2213/3814 , H04W74/04 , Y02D10/14 , Y02D10/151
Abstract: 본 발명은 무선 범용 직렬 버스(WUSB: Wireless Universal Serial Bus)에 관한 것이다.
본 발명에 따른 무선 범용 직렬 버스 시스템은 디바이스; 그리고 상기 디바이스와 무선 USB 프로토콜을 통하여 통신하는 호스트를 포함하되, 상기 호스트는 또 다른 호스트가 상기 디바이스에 상기 무선 USB 프로토콜을 통하여 액세스하고자 하는 경우 상기 무선 USB 프로토콜에 따른 MMC 헤더 내에 호스트 추가 비트를 셋팅하고, 상기 디바이스가 상기 또 다른 호스트가 추가되었음을 인식하는 경우 상기 호스트 추가 정보 비트를 리셋한다.-
公开(公告)号：KR100818994B1
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：KR1020060007380
申请日：2006-01-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04 , H01L21/203
CPC classification number: H01L21/76841 , H01L21/2855 , H01L23/5227 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 반도체 소자 제조의 방법이 제공된다. 반도체 소자의 제조 방법은 반도체 기판 상에 층간 절연막을 형성하고, 층간 절연막의 상면에 Fe, Co 및 Ni로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 원소 또는 이들의 합금과 Ti, Hf 및 B로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 원소를 포함하는 타겟과 N2 반응가스를 사용하는 스퍼터링법에 의해 제1 연자성 박막을 증착하고, 연자성 박막 상면에 금속막을 형성하고, 금속막 상면에 Fe, Co 및 Ni로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 원소 또는 이들의 합금과 Ti, Hf 및 B로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 원소를 포함하는 타겟과 N2 반응가스를 사용하는 스퍼터링법에 의해 제2 연자성 박막을 증착하고, 적층된 제 1 연자성 박막, 금속막 및 제 2 연자성 박막을 동일 마스크로 패터닝하여 인덕터를 형성하는 것을 포함한다.
인덕터, 자성, 반도체-
公开(公告)号：KR1020070117778A
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：KR1020060051849
申请日：2006-06-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04M1/72522 , G06F3/018 , G06F3/0233 , H04M1/23 , H04M2201/34 , H04M2201/38
Abstract: An apparatus and a method for inputting characters are provided to allow a user to input double consonants conveniently when characters are input by using a special function key, thereby reducing character input time. An apparatus for inputting characters includes a key pad(110), a controller(140), and a display module(150). The key pad(110) includes special functional keys in order to input character keys, a blank, and double consonants. The controller(140) displays a blank, or double consonants according to the type of characters corresponding to the input character key. The display module(150) displays corresponding characters under the control of the controller(140). The special functional key is one of functional keys allocated with * or #.
Abstract translation: 提供用于输入字符的装置和方法，以允许用户通过使用特殊功能键输入字符时方便地输入双辅音，从而减少字符输入时间。 用于输入字符的装置包括键盘（110），控制器（140）和显示模块（150）。 键盘（110）包括特殊功能键以输入字符键，空白和双辅音。 控制器（140）根据与输入的字符键对应的字符的类型显示空白或双辅音。 显示模块（150）在控制器（140）的控制下显示相应的字符。 特殊功能键是用*或＃分配的功能键之一。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070044660A
公开(公告)日：2007-04-30
申请号：KR1020050100817
申请日：2005-10-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L28/60 , H01L21/7687
Abstract: 커패시터 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 반도체 기판 상에 하부 전극을 형성하고, 상기 하부 전극이 형성된 기판의 전면에 층간절연막을 형성한다. 상기 하부 전극이 노출되도록 상기 층간절연막을 평탄화한다. 상기 하부 전극 상에 커패시터 유전막을 개재하여 상부 전극을 형성한다. 본 발명에서 상기 상부 전극의 가장자리는 상기 하부 전극 주변의 층간절연막까지 오버행되도록 형성하는 것이 특징이다. 따라서, 커패시터의 상부 전극이 하부 전극과 중첩되지 않고 하부 전극 외곽으로 그 가장자리가 오버행된 구조를 가지기 때문에 상부 전극을 패터닝하는 과정에서 커패시터 유전막에 금속 잔유물이 부착되더라도 하부 전극과 상부 전극 사이의 누설 전류 경로가 형성되지는 않는다.
MIM, 커패시터, 누설전류-
公开(公告)号：KR100621884B1
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：KR1020040008279
申请日：2004-02-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L28/10 , H01L21/764 , H01L27/08
Abstract: 보이드를 갖는 트렌치 구조 및 이를 포함하는 인덕터가 개시된다. 반도체 기판에 각기 제1 폭 및 제1 깊이를 갖는 복수 개의 제1 트렌치들을 형성한 후, 제1 트렌치들 내에 각기 절연막 패턴들을 매립하여 제1 트렌치들 내에 각기 보이드들을 형성한다. 제1 트렌치들 상에 각기 제1 폭보다 넓은 제2 폭 및 제1 깊이보다 얕은 제2 깊이를 갖는 복수 개의 제2 트렌치들을 형성한 후, 제2 트렌치들을 절연막 패턴들로 매립한다. 제1 및 제2 트렌치들을 포함하는 반도체 기판 상에 적어도 하나의 층간 절연막을 형성한 후, 층간 절연막 중 아래에 상기 제2 트렌치들이 위치하는 부분에 금속 라인을 형성한다. SEG 공정를 이용하여 반도체 기판에 약 8㎛ 이상의 깊이를 가지면서 그 내부에 넓은 보이드가 형성된 디프 트렌치를 마련할 수 있으며, 넓은 보이드를 갖는 디프 트렌치들과 쉘로우 트렌치들을 반도체 기판에 형성한 후, 그 상부에 인덕터를 구현함으로써, 인덕터의 품질 계수, 특히 고주파 대역에서 인덕터의 품질 계수를 크게 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060079805A
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：KR1020050000277
申请日：2005-01-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01F41/14
CPC classification number: H01F17/0006 , H01F27/34 , H01F41/041 , H01F2017/0046 , H01F2017/0073 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 여기에는 인덕터 형성 방법이 개시된다. 이 인덕터는 기판위에 인덕터 패턴을 형성하고 인덕터 패턴의 표면적을 증가시키기 위하여 인덕터 패턴위에 요철 구조를 갖는 도전 패턴을 더 형성한다. 이를 위하여 인덕터 패턴위에 절연막을 형성하고 인덕터 패턴이 드러나도록 절연막을 제거하여 그루브를 형성한 후 그루브와 절연막 상에 콘포멀하게 도전 패턴을 형성한다. 따라서 인덕터 패턴의 표면적 증가 뿐 아니라 인덕터의 두께도 증가하여 하이 퀄리티 팩터의 인덕터를 얻을 수 있다.
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公开(公告)号：KR3008168450000S
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：KR3020140064140
申请日：2014-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Designer： 조수영 , 프랭클러 프리드리히- 콘라드 빌헬름 게하르트 , 소광혁 , 써클링 션 프레이저 , 모은주 , 이응렬 , 정주현 , 폰홀저 아네트
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