반도체 장치 및 그 제조 방법
    1.
    发明公开
    반도체 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020150038808A

    公开(公告)日:2015-04-09

    申请号:KR1020130116462

    申请日:2013-09-30

    CPC classification number: H01L28/75 H01L27/10855 H01L28/65 H01L28/91

    Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 상기반도체장치는, 기판, 상기기판상에형성된하부전극, 상기하부전극상에형성된유전막, 상기유전막상에형성된접착막, 및상기접착막상에형성된상부전극을포함하되, 상기접착막은상기유전막과상기상부전극에접촉하고, 도전성물질을포함한다.

    Abstract translation: 提供一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括衬底; 形成在所述基板上的下电极; 形成在下电极上的电介质膜; 形成在电介质膜上的粘合膜; 以及形成在所述粘合膜上的上电极,其中所述粘合膜附着到所述电介质膜和所述上电极,并且包含导电材料。

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