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公开(公告)号：KR1019990033249A
公开(公告)日：1999-05-15
申请号：KR1019970054558
申请日：1997-10-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 반도체기판 상의 전면(前面)에 소정의 막을 형성시킨 후, 상기 반도체기판의 전면을 세정하는 전면세정공정을 수행하는 단계; 상기 반도체기판의 후면(後面)에 존재하는 이물질 등을 제거시키는 후면세정공정을 수행하는 단계; 및 상기 반도체기판 상의 전면에 형성된 소정의 막을 패턴으로 형성시키는 사진식각공정을 수행하는 단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 반도체기판의 후면에 존재하는 이물질 등을 제거시킨 후, 사진식각공정을 수행함으로써 사진식각공정의 수행시 불량을 최소화시켜 생산성이 향상되고, 또한 반도체장치의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100542722B1
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：KR1019970059486
申请日：1997-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체장치 제조용 식각액 조성물 및 이를 이용한 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 조성물을 이용한 반도체장치의 제조방법은, 콘택홀이 형성된 반도체기판 상에 폴리막을 형성시키는 단계; 및 상기 폴리막이 소정의 두께만큼으로 제거되도록 98중량% 내지 99.5중량%의 질산 및 잔량의 불화수소가 혼합된 식각액 조성물을 이용하여 에치백공정을 수행하는 단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 웨트에치를 이용한 폴리막의 에치백공정을 수행함으로써 이로 인한 불량을 방지하여 반도체장치의 제조수율이 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100545862B1
公开(公告)日：2006-01-24
申请号：KR1020000002393
申请日：2000-01-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
Abstract: 본 발명은 반도체 커패시터 형성 공정에 있어서 웨이퍼 엣지(wafer edge)에서 질화막의 리프팅을 제어하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 일련의 반도체 제조 공정이 수행된 반도체 기판 상에 질화막을 형성하는 단계; 상기 질화막 상에 희생 산화막을 형성하는 단계; 상기 희생 산화막 상에 포토레지스트를 코팅한 후, 웨이퍼 엣지의 포토레지스트를 소정 간격만큼 제거하는 단계; 상기 잔존하는 포토레지스트를 경화시키는 단계; 상기 경화된 포토레지스트를 마스크로 하여 상기 엣지의 희생 산화막을 제거하는 단계; 상기 포토레지스트를 제거하는 단계; 및 상기 식각 후 잔존하는 희생 산화막을 마스크로 하여 상기 엣지의 질화막을 제거하는 단계로 이루어진다.
본 발명은 반도체 커패시터 형성 공정에 있어서, 질화막이 침식을 받지 않는 웨이퍼 엣지 구조를 형성함으로써, 질화막의 리프팅을 방지하여 소자의 신뢰성 및 수율을 향상시킨다.
웨이퍼, 엣지, 리프팅, 질화막, 커패시터Abstract translation: 本发明涉及一种用于在半导体电容器形成过程中控制晶片边缘处的氮化物膜的提升的方法。
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公开(公告)号：KR1020060035452A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：KR1020040084963
申请日：2004-10-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/91 , H01L21/02126 , H01L21/02129 , H01L21/31111 , H01L27/10855
Abstract: 삼중 몰드를 이용한 스토리지 전극 형성 방법이 제공된다. 이 방법은 반도체 기판상에 콘택 플러그를 구비하는 층간 절연막을 형성하고, 상기 층간 절연막상에 식각 정지막을 형성하는 것을 포함한다. 상기 결과물 상에 불순물이 도우프된 절연막으로 이루어진 하부 몰드와 불순물이 도우프되지 않은 절연막으로 이루진 제 1 상부 몰드 및 제 2 상부 몰드로 구성되고, 상기 콘택 플러그를 노출시키는 개구부를 구비하는 삼중 몰드를 형성한다.
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公开(公告)号：KR1020060030677A
公开(公告)日：2006-04-11
申请号：KR1020040079534
申请日：2004-10-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67034 , H01L21/02052
Abstract: 본 발명은 IPA 증기를 사용하여 기판을 건조하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 처리조(120) 내로 공급되는 IPA 증기량은 공정 수행시 처리조(120) 내의 표면적에 따라 상이하게 공급된다. 처리조(120) 내에서 공정이 수행되는 웨이퍼의 매수와 각 웨이퍼에 형성된 패턴의 형태를 고려하여 제어기는 IPA 증기 공급관에 설치된 유량 조절기를 제어한다. 이로 인해, 공정이 수행되는 웨이퍼의 매수에 따라 각각의 웨이퍼에 IPA 증기의 과다 공급 또는 부족 공급으로 인한 건조불량이 방지된다.
건조, IPA 증기량, 웨이퍼-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020000013442A
公开(公告)日：2000-03-06
申请号：KR1019980032303
申请日：1998-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조희강
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A back of wafer polishing method of semiconductor device is provided to improve safety of a chip for external force. CONSTITUTION: A magnetic attaching film is attached on surface of a wafer completed FAB(fabrication) process. A back of the wafer attached the magnetic attaching film is mechanically polished using a polishing wheel. The back of the wafer performed the mechanically polishing is chemically polished using a polishing liquid. The magnetic attaching film is removed from the film. The polishing liquid is consisted of nitric acid, fluoric acid, sulphuric acid, and phosphoric acid.
Abstract translation: 目的：提供半导体器件的晶片抛光方法的背面，以提高外力的芯片的安全性。 构成：将磁性附着膜附着在晶片完成的FAB（制造）工艺的表面上。 使用抛光轮对安装有磁性附着膜的晶片的背面进行机械抛光。 使用抛光液对进行了机械抛光的晶片的背面进行化学抛光。 从膜中除去磁性附着膜。 抛光液由硝酸，氟酸，硫酸，磷酸组成。
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公开(公告)号：KR1019990069660A
公开(公告)日：1999-09-06
申请号：KR1019980004051
申请日：1998-02-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명은 이디에스(EDS: Electrical Die Sorting : 이하, EDS라 함) 공정의 반도체 웨이퍼의 백사이드 그라인딩 방법에 관한 것이다.
본 발명은 웨이퍼 상에 형성된 칩의 장축방향으로 원기둥 형태의 그라인딩 드럼을 이용하여 그라인딩한다.
상기 웨이퍼의 백사이드에 형성된 그라인딩 마크(Grinding Mark)는 칩의 단축에 대하여 -45° 내지 -90° 또는 45° 내지 90° 방향으로 형성된다.
따라서, 상기 웨이퍼의 백사이드에 칩의 장축방향으로만 그라인딩 마크가 형성됨으로써 후속 공정인 조립공정에서 칩 크랙을 최소화할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100527676B1
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：KR1019980032303
申请日：1998-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조희강
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 연마휠에 의한 기계적 연마에 의하여 웨이퍼의 이면에 형성될 수 있는 스크래치를 화학적 연마에 의하여 제거하여 칩의 강도를 강화시키도록 하는 반도체장치 제조용 웨이퍼 이면연마방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체장치 제조용 웨이퍼 이면연마방법은, FAB공정이 완료된 웨이퍼의 표면에 자착성 필름을 부착하는 필름부착단계; 표면에 자착성 필름이 부착된 웨이퍼의 이면을 연마휠을 사용하여 기계적 연마를 수행하는 기계적 연마단계; 기계적 연마가 수행된 웨이퍼의 이면을 연마액을 사용하여 연마하는 화학적 연마단계; 및 필름의 표면에 부착된 자착성 필름을 제거하는 필름제거단계;를 포함하여 이루어진다.
따라서, 칩의 두께를 더 얇게 하면서도 오히려 외부충격에 대한 내파괴성은 더 증가하여 칩의 내구성이 더욱 향상되는 효과가 있으며, 그에 의하여 패키징(Packing) 후의 반도체장치의 크기를 보다 작게 줄이면서도 외력에 대한 칩의 내구성을 향상시키고, 반도체장치의 수율을 향상시키는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020010073628A
公开(公告)日：2001-08-01
申请号：KR1020000002393
申请日：2000-01-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
Abstract: PURPOSE: A method for controlling a lifting in a wafer edge is provided to improve reliability and yield of devices by forming a wafer edge structure resistible against attack and preventing a lifting of a nitride film. CONSTITUTION: A series of semiconductor manufacturing process is performed on a semiconductor substrate. A nitride film(20) is formed on the semiconductor substrate. A sacrificial oxide film(30) is formed on the nitride film. A photoresist is coated on the sacrificial oxide film and a photoresist of a wafer edge is removed by as much as a predetermined interval. The residual photoresist is hardened. The sacrificial oxide film of the edge is removed by using the hardened photoresist as a mask. The photoresist is removed. The nitride film of the edge is removed by using the residual sacrificial oxide film after an etching process as a mask. The sacrificial oxide film is formed by using a chemical vapor deposition method. The step of removing the photoresist of the edge by the predetermined interval is performed by a side rinse and/or EEW.
Abstract translation: 目的：提供一种用于控制晶片边缘中的提升的方法，以通过形成抵抗攻击并防止提升氮化物膜的晶片边缘结构来提高器件的可靠性和产量。 构成：在半导体衬底上进行一系列半导体制造工艺。 在半导体衬底上形成氮化物膜（20）。 在氮化膜上形成牺牲氧化膜（30）。 在牺牲氧化膜上涂覆光致抗蚀剂，并且以预定的间隔去除晶片边缘的光致抗蚀剂。 残留的光致抗蚀剂硬化。 通过使用硬化的光致抗蚀剂作为掩模去除边缘的牺牲氧化膜。 去除光致抗蚀剂。 在蚀刻处理之后，通过使用剩余的牺牲氧化膜作为掩模，去除边缘的氮化物膜。 通过使用化学气相沉积法形成牺牲氧化膜。 通过侧面清洗和/或EEW来进行边缘去除预定间隔的步骤。
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公开(公告)号：KR1019990039398A
公开(公告)日：1999-06-05
申请号：KR1019970059486
申请日：1997-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체장치 제조용 식각액 조성물 및 이를 이용한 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 조성물을 이용한 반도체장치의 제조방법은, 콘택홀이 형성된 반도체기판 상에 폴리막을 형성시키는 단계; 및 상기 폴리막이 소정의 두께만큼으로 제거되도록 98중량% 내지 99.5중량%의 질산 및 잔량의 불화수소가 혼합된 식각액 조성물을 이용하여 에치백공정을 수행하는 단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 웨트에치를 이용한 폴리막의 에치백공정을 수행함으로써 이로 인한 불량을 방지하여 반도체장치의 제조수율이 향상되는 효과가 있다.
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