公开(公告)号：KR1019990058999A

公开(公告)日：1999-07-26

申请号：KR1019970079194

申请日：1997-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조성범 ,  김학필 ,  신은희 ,  최백순

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본 발명은 RGA-QMS(Residual Gas Analyzer - Quadrupole Mass Spectrometer)을 사용하여 폴리실리콘 플라즈마 식각공정 및 식각공정 수행 후 인시튜(in-situ)로 식각챔버내를 세정하는 공정 레시피 최적화에 관한 것이다.
본 발명의 식각장치는, 플라즈마를 이용한 식각챔버; 공정가스 공급수단; 폐가스를 펌핑수단에 의해 제거하는 폐가스 배기수단; 식각챔버에 연결되어 식각챔버내의 가스를 차압을 이용하여 샘플링하는 샘플링 매니폴드; 및 상기 샘플링 매니폴드로부터의 샘플링가스를 분석하는 가스분석기를 구비하며, 상기 샘플링 매니폴드로부터 가스를 인라인으로 샘플링하여 식각공정 및 세정공정의 공정레시피를 최적화한다.
따라서, 공정시간의 단축과 설비의 수명연장 및 생산성 향상의 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020010056698A

公开(公告)日：2001-07-04

申请号：KR1019990058275

申请日：1999-12-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신은희 ,  김정주 ,  태기영 ,  박희정

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A method for processing plasma is provided to efficiently remove reaction by-products while minimizing generation of contaminant particles caused in a cleaning process during a plasma process. CONSTITUTION: A method for processing plasma etches a silicon film quality on a wafer within a reaction chamber using plasma generated from a halogen-group element-containing gas while supplying RF electric field to the reaction chamber. The interior of the reaction chamber is cleaned using plasma generated from gas containing O2 gas while reducing the power of the RF electric field applied to the reaction chamber by a given ramping rate.

Abstract translation: 目的：提供一种处理等离子体的方法，以有效地除去反应副产物，同时最小化在等离子体处理过程中清洗过程中产生的污染物颗粒。 构成：用于处理等离子体的方法利用从含卤素元素的气体产生的等离子体在反应室内的晶片上蚀刻硅膜质量，同时向反应室供应RF电场。 使用由含有O 2气体的气体产生的等离子体来清洁反应室的内部，同时以给定的斜坡率降低施加到反应室的RF电场的功率。

公开(公告)号：KR100291898B1

公开(公告)日：2001-06-01

申请号：KR1019990012530

申请日：1999-04-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신은희 ,  김진만 ,  최백순 ,  차훈

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/321

Abstract: 본발명의절연창의스파터오염원을제거하기위한차폐판의제조방법은차폐판이없는상태의플라즈마식각장치에서식각공정을수행한후, 절연창에형성된식각영역을샘플링하고, 이샘플링된식각영역과대응되는차폐막을형성하여차폐판을구성한다. 또한, 본발명의플라즈마식각장치는코일의형상과대응되는차폐막이형성되고코일사이의틈새와대응되는오프닝을갖는차폐판이설치된다. 이차폐판은공정챔버의일면에위치된절연창과이 절연창의외부면에위치되는코일사이에접지되어설치된다.

公开(公告)号：KR1020000012948A

公开(公告)日：2000-03-06

申请号：KR1019980031543

申请日：1998-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신은희 ,  조성범 ,  최백순 ,  이영구

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32477

Abstract: PURPOSE: A dielectric window of an etching apparatus for fabricating a semiconductor device is provided to improve productivity of semiconductor devices by suppressing attachment of a polymer to the insulating window. CONSTITUTION: The window covers a top of a process chamber to fix a boundary between the process chamber and an induction coil for disposing an electric field on an outside top of the process chamber to supply the electric field for forming a plasma in the process chamber. On the basis of distribution of plasma formed in the process chamber, a dielectric window disposed on a low-concentrated position is thinner than on a high-concentrated position.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的蚀刻装置的电介质窗口，以通过抑制聚合物与绝缘窗的附着来提高半导体器件的生产率。 构成：窗口覆盖处理室的顶部，以固定处理室和感应线圈之间的边界，用于在处理室的外部顶部设置电场，以提供用于在处理室中形成等离子体的电场。 基于在处理室中形成的等离子体的分布，设置在低浓度位置的介质窗比在高浓度位置上更薄。

公开(公告)号：KR1019990074455A

公开(公告)日：1999-10-05

申请号：KR1019980008058

申请日：1998-03-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조성범 ,  신은희 ,  최백순 ,  김진성

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명에 의한 반응로의 반응 (in-line) 모니터링장치는 반응로와 RGA(residual gas analyzer) 사이에 설치된 가스샘플링매니폴더(gas sampling manifolder)의 오염을 최소화하기 가스라인에 제 1, 2 오리피스(orifice)를 병렬 설치하고 반응로의 압력에 따라 제 1, 2 오리피스를 선택적으로 사용하기 위해 3웨이밸브를 상기 제 1, 2 오리피스의 양단에 설치하고, 상기 가스라인 내의 압력을 낮추어 RGA의 효율적인 분석을 이룩하도록 보조펌프를 사용하며, 상기 보조펌프로서 로터리베인펌프(rotary vane pump)를 사용할 때 오일트랩을 설치한다.
따라서, 본 발명은 가스샘플링매니폴더의 오염을 최소화하여 RGA의 분석 신뢰성을 향상시킨다.

公开(公告)号：KR100297552B1

公开(公告)日：2001-11-30

申请号：KR1019980031543

申请日：1998-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신은희 ,  조성범 ,  최백순 ,  이영구

IPC: H01L21/306

Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조용 식각장치의 절연창에 관한 것이다.
본 발명은, 공정챔버의 외측 상부에 위치시키는 유도코일을 상기 공정챔버와 경계지우기 위하여 상기 공정챔버의 상부를 커버링시키는 반도체소자 제조용 식각장치의 절연창에 있어서, 상기 절연창은 상기 공정챔버 내에 형성되는 플라즈마의 분포를 기준으로 상기 플라즈마의 밀도가 낮은 부분에 위치하는 절연창의 두께보다 상기 플라즈마의 밀도가 높은 부분에 위치하는 절연창의 두께가 얇게 이루어지도록 형성시키거나, 또는 상기 공정챔버 내로 위치하는 절연창의 내면과 상기 공정챔버 내에 위치하는 웨이퍼와의 이격거리가 상기 공정챔버 내에 형성되는 플라즈마의 분포를 기준으로 상기 플라즈마의 밀도가 높은 부분이 상기 플라즈마의 밀도가 낮은 부분보다 더 이격되도록 상기 절연창을 형성시키는 것을 특징으로 한다.
따라서, 공정수행시 폴리머 등과 같은 부산물이 절연창에 흡착되어 발생하는 불량 등을 최소화시킴으로써 반도체소자의 제조에 따른 생산성이 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100283425B1

公开(公告)日：2001-04-02

申请号：KR1019980039667

申请日：1998-09-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최백순 ,  이재생 ,  신은희 ,  조성범

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 알루미늄 배선라인에서 발생되는 부식(corrosion) 불량을 억제할 수 있는 반도체소자의 금속배선 형성공정 및 시스템에 관한 것으로, 포토레지스트패턴이 금속배선물질층상에 형성되어 있는 반도체 웨이퍼를 식각챔버내로 로딩하는 단계; 식각챔버 내의 분위기를 안정화시키는 단계; 식각챔버 내로 클로라인(Chlorine)을 함유한 식각가스를 공급하여 상기 포토레지스트패턴을 식각마스크로 하여 상기 금속배선물질층을 식각종말점까지 주식각하는 단계; 상기 식각종말점을 지나 소정의 시간만큼 과식각하여 금속배선패턴을 형성하는 단계; 상기 과식각단계 후 상기 식각챔버내를 퍼지하는 단계; 및 식각공정이 수행된 상기 웨이퍼를 식각챔버로부터 언로딩하는 단계를 구비하여 이루어지며, 웨이퍼를 이송시키는 트랜스퍼모듈의 압력을 최적화시켰으며, 웨이퍼의 대기장소인 로드락챔버를 계속적으로 퍼지시킨다.
따라서, 부식불량의 유발요인이 전 시스템에서 억제되어 반도체소자의 수율향상 및 생산성의 향상효과를 가져온다.

公开(公告)号：KR1019980039935A

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019960059053

申请日：1996-11-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신은희 ,  박달

IPC: H01L21/48

Abstract: 자동으로 챔버 내부의 온도와 압력을 체크하여 일정 수준이 되면 자동으로 분석을 수행하도록 개선시킨 열탈착 스펙트로스코피의 구동장치에 관한 것이다.
본 발명은, 챔버 내부에 온도센서와 진공게이지가 설치되고 상기 챔버를 히팅하도록 적외선 히팅 유니트와 상기 적외선 히팅 유니트를 제어하는 컨틀로러가 구성되는 열탈착 스펙트로스코프의 구동장치에 있어서, 상기 온도센서와 진공게이지로부터 소정 치 이상의 값 도달여부에 대한 신호를 인가받아서 앤드조합하는 논리조합수단 및 상기 논리조합수단의 판별신호 출력에 따라 스위칭되는 스위칭신호를 상기 컨트롤러로 인가하도록 구성되어서 상기 챔버내부의 샘플 가열을 제어하도록 스위칭되는 스위칭수단을 구비하여 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면 분석공정의 자동시작이 가능하여 번거로운 온도와 진공도의 확인없이 공정이 수행되므로, 작업성이 극대화되고, 분석기능이 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100272253B1

公开(公告)日：2000-12-01

申请号：KR1019970001834

申请日：1997-01-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박달 ,  신은희

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: An apparatus for estimating a quartz tube using a non-destructive test is provided to reduce errors in measuring an external dimension, by generating and detecting resonance sound in the quartz tube by a predetermined oscillation source, and by analyzing the resonance sound by the non-destructive test method. CONSTITUTION: A supporting unit(201) supports a quartz tube where an inlet is connected to an outlet, exposed to the atmosphere. The supporting unit is composed of a material for intercepting leakage of oscillation to prevent oscillation generated at the quartz tube from being absorbed to the ground. A sound source applies a sound wafer of a predetermined frequency in a direction of the tube axis of the quartz tube, disposed in the inlet portion of the quartz tube and located in the tube axis of the quartz tube. The quartz tube generates resonance by a sound wave transferred from the sound source. A resonance sound detection unit(202) directly detects resonance sound if the resonance sound is outputted in the direction of the tube axis of the quartz tube, disposed in the outlet portion of the quarts tube and located in the tube axis of the quartz tube. An analysing unit(203) receives a signal outputted from the resonance sound detection unit and analyzes the signal into a predetermined value.

Abstract translation: 目的：提供一种使用非破坏性测试来估算石英管的装置，通过产生和检测石英管中的预定振荡源的共振声，并通过分析共振声来减少测量外部尺寸的误差 无损检测方法。 构成：支撑单元（201）支撑石英管，其中入口连接到暴露于大气的出口。 支撑单元由用于拦截振荡泄漏的材料组成，以防止在石英管产生的振荡被吸收到地面。 声源在石英管的入口部分设置在石英管的管轴上，在石英管的管轴方向上施加预定频率的声晶片。 石英管通过从声源传输的声波产生谐振。 如果在石英管的管轴的方向上输出谐振声，则谐振声检测单元（202）直接检测谐振声，该谐振声设置在石英管的出口部分并且位于石英管的管轴上。 分析单元（203）接收从共振声音检测单元输出的信号，并将该信号分析成预定值。

公开(公告)号：KR100257903B1

公开(公告)日：2000-08-01

申请号：KR1019970079194

申请日：1997-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조성범 ,  김학필 ,  신은희 ,  최백순

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/32963 ,  Y10S438/905

Abstract: PURPOSE: A plasma etching device, its in-situ monitoring method and the in-situ cleaning method are provided to optimize the process recipe for performing the polysilicon plasma etching process by using a residual gas analyzer - quadrupole mass spectrometer and cleaning the etching chamber by in-situ after the etching step. CONSTITUTION: From a sampling manifold, the gas in the etching chamber is sampled. In order to decrease the initial grounding value of the gas analyzer below a predetermined level, the gas is baked and outgassed. With respect to the semiconductor wafer received in the etching chamber, the etching process for forming a polysilicon storage electrode is performed to monitor the react mechanism of the process gas. After the etching process is completed, the wafer is unloaded and the waste gas in the etching chamber is discharged. As the cleaning gas is supplied into the etching chamber with in-situ, the reaction mechanism of the cleaning gas is monitored. In addition, in order to perform the residual cleaning step, the semiconductor wafer is unloaded in the etching chamber. SF6 + Cl2 gas is supplied to the etching chamber to clean the etching residuals in the etching chamber. The residuals cleaned is pumped to be removed.

Abstract translation: 目的：提供等离子体蚀刻装置，其原位监测方法和原位清洗方法，通过使用残留气体分析仪 - 四极质谱仪优化用于执行多晶硅等离子体蚀刻工艺的工艺配方，并通过 在蚀刻步骤之后的原位。 构成：从采样歧管中，对蚀刻室中的气体进行采样。 为了将气体分析仪的初始接地值降低到预定水平以下，将气体进行烘烤除气。 对于接收在蚀刻室中的半导体晶片，进行用于形成多晶硅存储电极的蚀刻工艺，以监测处理气体的反应机理。 蚀刻处理完成后，晶片被卸载，并且蚀刻室中的废气被排出。 当清洗气体被原位供给到蚀刻室中时，监测清洁气体的反应机理。 此外，为了进行残留清洗工序，半导体晶片在蚀刻室中被卸载。 SF6 + Cl2气体被供应到蚀刻室以清洁蚀刻室中的蚀刻残留物。 清洗的残余物被泵送以除去。