公开(公告)号：KR20210032894A

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：KR1020200086969A

申请日：2020-07-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김석훈 ,  김한영 ,  김준형 ,  최창민

IPC: H01L27/11573 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

CPC classification number: H01L27/11573 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는, 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 배치되고, 게이트 스택 및 상기 게이트 스택 양측에 배치된 스페이서층을 포함하는 회로 소자를 포함하는 주변 회로 영역 및 상기 제1 기판의 상부에 배치되는 제2 기판 및 상기 제2 기판 상에 수직하게 연장되는 채널 구조물을 포함하는 메모리 셀 영역을 포함하고, 상기 게이트 스택은 게이트 절연층, 다결정 실리콘을 포함하는 제1 게이트 전극층, 상기 제1 게이트 전극층 상에 배치되는 배리어 금속층, 및 상기 배리어 금속층 상에 배치되며 금속을 포함하는 제2 게이트 전극층을 포함한다.

公开(公告)号：WO2023013894A1

公开(公告)日：2023-02-09

申请号：PCT/KR2022/009615

申请日：2022-07-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이영대 ,  이영균 ,  임현균 ,  최창민 ,  황제윤 ,  김병환 ,  박세종 ,  박지환 ,  장준혁 ,  최용훈

IPC: H04N5/232 ,  H04N5/265 ,  H04N21/431 ,  H04N21/41 ,  G06T7/20 ,  G06T7/11

Abstract: 일 실시예에 따른 전자 장치는, 카메라 모듈, 전자 장치로부터 미리 결정된 거리에 위치되는 적어도 하나의 무선 통신 장치를 감지하고, 감지된 적어도 하나의 무선 통신 장치 각각에 설정된 ID(identification) 코드를 감지된 적어도 하나의 무선 통신 장치로부터 수신하는 통신 모듈, 및 미리 저장된 태그 데이터베이스로부터 검색된 적어도 하나의 무선 통신 장치 중 해당하는 무선 통신 장치의 ID 코드에 응답하여, 해당하는 무선 통신 장치로부터 사용자 프로필(profile)을 수신하고, 수신된 사용자 프로필을 이용하여 카메라 모듈에 의해 촬영된 영상에 시각 효과(visual effect)를 적용하는 프로세서를 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020170049886A

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：KR1020150150764

申请日：2015-10-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최창민 ,  임주영 ,  안수진

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575

Abstract: 수직형메모리장치는기판, 기판의상면에대해수직방향으로연장하는복수의채널들, 각각복수의채널들중 소정의개수의채널들을감싸며수직방향및 수평방향을따라서로이격되도록배열되는복수의게이트라인들, 게이트라인들중 동일레벨의게이트라인들과전기적으로연결되는공통배선들, 및공통배선들을통해게이트라인들에전기적으로연결되는신호배선들을포함한다.

Abstract translation: 垂直型存储器装置包括多个被布置沿所述多个信道来间隔开门，多个每个周围的方向上延伸的通道的一预定数目的信道的垂直和水平方向垂直于所述衬底的上表面上， 与栅极线中的相同电平的栅极线电连接的公共布线以及通过公共布线电连接到栅极线的信号布线。

公开(公告)号：KR1020170085776A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：KR1020160005322

申请日：2016-01-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최창민 ,  김동찬 ,  안수진 ,  이봉용

IPC: G11C16/34 ,  G11C29/44 ,  G11C16/30

Abstract: 본발명에따른비휘발성메모리장치의프로그램방법은, 선택된워드라인의메모리셀들에적어도둘 이상의프로그램루프들을수행하는단계, 상기프로그램루프들각각을수행한결과를이용하여페일비트트렌드(Fail Bit Trend)를생성하는단계, 상기페일비트트렌드를이용하여상기메모리셀들에마지막으로수행될제 N 프로그램루프를포함하는복수의프로그램루프들을예측하는단계및 상기예측결과를기반으로상기제 N 프로그램루프수행시에상기메모리셀들에제공되는제 N 프로그램전압레벨을변경하는단계를포함한다.

Abstract translation: 根据本发明的用于对非易失性存储器件进行编程的方法包括以下步骤：在选定的字线的存储器单元中执行至少两个编程循环;生成失败位趋势 使用故障位趋势估计包括要在存储器单元中最后执行的第N个编程循环的多个编程循环，并且基于预测结果执行第N编程循环 并且第二次改变提供给存储器单元的第N编程电压电平。