公开(公告)号：KR1019980066459A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970002035

申请日：1997-01-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최효석

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 설비의 상황에 따라 신속한 생산대응을 취할 수 있도록 하는 반도체 제조용 설비의 관리 방법에 관한 것으로, 반도체 제조용 설비의 관리 방법에 있어서, 소정의 제어장치로 각 설비별 가동시간 및 현 가공 로트량을 입력하는 단계와; 상기 제어장치에 의해 각 설비의 실 가동시간 및 목표 로트량을 설정하는 단계와; 각 설비별 실 가동시간 대비 현 로트량 및 목표 로트량을 비교하는 단계와; 상기 비교결과, 현 로트량이 목표 로트량을 초과하는 경우 설비에 로딩되는 로트를 타 설비로 분배하는 단계와; 상기 비교결과, 현 로트량이 목표 로트량 미만인 경우 타 설비에 로딩되는 로트를 당해 설비로 추가하는 단계를 포함한다.
이러한 본 발명에서는 생산라인으로 피드백되는 수정데이터의 신뢰성이 확보되고, 작업자는 WIP의 상황에 따라 신속한 생산대응을 취할 수 있다.

公开(公告)号：KR101952119B1

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：KR1020120055543

申请日：2012-05-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신충환 ,  강상범 ,  김대용 ,  김정익 ,  김철성 ,  류제형 ,  이상우 ,  최효석

IPC: H01L21/28

公开(公告)号：KR1020160122463A

公开(公告)日：2016-10-24

申请号：KR1020150052355

申请日：2015-04-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이도선 ,  손창우 ,  김철성 ,  마에다시게노부 ,  최영문 ,  최효석 ,  현상진

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/36 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 반도체소자는기판상에, 제2 방향을따라서로인접하게배치되는에피택시얼패턴을포함하는에피택시얼구조물이구비된다. 상기에피택시얼구조물상부면전체를덮으면서상기에피택시얼구조물들을전기적으로연결시키는금속실리사이드패턴이구비된다. 상기금속실리사이드패턴의상부면일부와접촉하는콘택구조물이구비된다. 상기반도체소자는저저항을갖고기생커패시턴스가감소된다.

公开(公告)号：KR1019980004119A

公开(公告)日：1998-03-30

申请号：KR1019960023927

申请日：1996-06-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최효석

IPC: G06F17/00

公开(公告)号：KR1020160124295A

公开(公告)日：2016-10-27

申请号：KR1020150053887

申请日：2015-04-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최효석 ,  전휘찬 ,  김윤해 ,  김철성 ,  박흥식 ,  이두영

IPC: H01L29/66

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 본발명은전계효과트랜지스터를포함하는반도체소자에관한것으로, 보다구체적으로그의상부에활성패턴을포함하는기판; 상기활성패턴을가로지르는게이트전극; 상기게이트전극의일 측의상기활성패턴의상부에형성된소스/드레인, 상기소스/드레인은그의상부에형성된리세스영역을포함하고; 상기소스/드레인과전기적으로연결되는콘택, 상기콘택의하부는상기리세스영역내에배치되고; 및상기리세스영역의하부에제공되며, 상기소스/드레인과상기콘택사이에개재된실리사이드층을포함할수 있다.

Abstract translation: 提供了一种半导体器件，其包括具有有源图案的衬底，与有源图案交叉的栅电极，在栅电极侧的有源图案的上部中的源极/漏极区域，源极/漏极区域包括凹部 区域，其电连接到源极/漏极区域，触点包括设置在凹部区域中的下部，以及金属硅化物层，设置在凹部区域的下部区域和源极/漏极之间 地区和联系人。

公开(公告)号：KR1020130131755A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：KR1020120055543

申请日：2012-05-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신충환 ,  강상범 ,  김대용 ,  김정익 ,  김철성 ,  류제형 ,  이상우 ,  최효석

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7839 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/485 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/401 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Provided are a semiconductor device comprising metal silicide and a manufacturing method thereof. The semiconductor device comprises a gate formed on a substrate; an elevated source/drain formed in both sides of the gate; and the metal silicide formed on a part of the elevated source/drain.. The elevate source/drain is protruded from the surface of the substrate and comprises a protrusion unit which surrounds the both sides of the metal silicide.

Abstract translation: 提供一种包含金属硅化物的半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括形成在衬底上的栅极; 在门的两侧形成升高的源极/漏极; 以及形成在升高的源极/漏极的一部分上的金属硅化物。提升的源极/漏极从衬底的表面突出并且包括围绕金属硅化物的两侧的突出单元。

公开(公告)号：KR1020040069821A

公开(公告)日：2004-08-06

申请号：KR1020030006363

申请日：2003-01-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이승호 ,  정준 ,  최효석 ,  윤인희 ,  최재섭

IPC: H01L21/00

Abstract: PURPOSE: A production control system of a semiconductor production process is provided to enhance the productivity by controlling all process flows and all recipes. CONSTITUTION: A plurality of semiconductor production units(100) are used for producing semiconductor devices by using semiconductor substrates. A plurality of cassettes(110) are used for storing the semiconductor substrates to load the semiconductor substrate into the semiconductor production units. The cassettes have serial numbers. An ID unit(200) identifies the serial numbers of the semiconductor substrates when the cassettes are loaded. A work flow manager(300) stores and tracks the information of the cassettes, determining a processing state according to the serial numbers, transmitting a work command to one of the semiconductor production units.

Abstract translation: 目的：提供半导体生产过程的生产控制系统，以通过控制所有工艺流程和所有配方来提高生产率。 构成：通过使用半导体衬底，多个半导体制造单元（100）用于制造半导体器件。 多个盒（110）用于存储半导体衬底以将半导体衬底加载到半导体生产单元中。 盒带有序列号。 ID单元（200）在装载盒时识别半导体衬底的序列号。 工作流程管理器（300）存储和跟踪盒的信息，根据序列号确定处理状态，将工作命令发送到半导体生产单元之一。

公开(公告)号：KR1019950034648A

公开(公告)日：1995-12-28

申请号：KR1019940011408

申请日：1994-05-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장영철 ,  최효석 ,  장동희 ,  이선용

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 반도체장치의 제조방법에 관한 것으로, 현재 수행예정인 공정에서 이전에 수행된 로트들의 누적된 작업조건을 공정장베에서 누적평균하여 최적작업조건을 추출하는 단계와, 수행예정 공정 이전까지 수행된 하지층의 정렬상태에 대한 정보를 추출하여 보정조건을 추출하는 단계와, 상기 최적작업조건에다 상기 보정조건을 더하여 작업조건을 설정하는 단계를 구비함을 특징으로 한다.