公开(公告)号：KR1020130108704A

公开(公告)日：2013-10-07

申请号：KR1020120030330

申请日：2012-03-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한학승 ,  박진백 ,  신인균

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/68

CPC classification number: G06T7/001 ,  G06T7/337 ,  G06T2207/20224 ,  G06T2207/30148 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/681

Abstract: PURPOSE: A method for aligning an object without using an alignment key and an apparatus for performing the same are provided to accurately display the misalignment of a real pattern by obtaining the difference of absolute position values from real images. CONSTITUTION: An image acquisition unit obtains the real images of patterns. An image comparison unit (120) sets at least one among the real images as a reference image. The image comparison unit compares the reference image with at least one among the real images except the reference image. The image comparison unit obtains the difference of the relative position values of the real images to the reference image. A calculation unit (130) changes the difference of the relative position values into the difference of the absolute position values based on the set reference point of the object. [Reference numerals] (120) Image comparison unit; (122) Overlapping element; (123) Contrast obtaining unit; (124) Filter unit; (126) Shift element; (130) Calculation unit; (150) Image obtaining unit

Abstract translation: 目的：提供一种用于对准不使用对准键的对象的方法和用于执行对象的设备的方法，以通过从真实图像获得绝对位置值的差异来精确地显示实际图案的未对准。 构成：图像获取单元获得图案的真实图像。 图像比较单元（120）将真实图像中的至少一个设置为参考图像。 图像比较单元将参考图像与参考图像之外的实际图像中的至少一个进行比较。 图像比较单元获得实际图像的相对位置值与参考图像的差异。 计算单元（130）基于对象的设定基准点将相对位置值的差值改变为绝对位置值的差值。 （附图标记）（120）图像比较单元; （122）重叠元件; （123）对比获取单位; （124）过滤单元; （126）移位元素; （130）计算单位; （150）图像获取单元

公开(公告)号：KR100734287B1

公开(公告)日：2007-07-02

申请号：KR1020050109036

申请日：2005-11-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김보혜 ,  한학승 ,  최성운 ,  김도영

IPC: H01L21/027

Abstract: 블랭크 마스크의 가용성을 향상시킬 수 있는 블랭크 마스크 검사 장치, 이를 이용한 블랭크 마스크의 키 패턴 형성 방법, 그리고 이들을 이용한 마스크 패턴 형성 방법에 관하여 개시한다. 블랭크 마스크 검사 장치를 이용하여 블랭크 마스크의 결점을 검사하고 그 위치를 파악하여 형성하고자 하는 마스크 패턴의 위치와 비교한 다음 블랭크 마스크의 결점들이 마스크 패턴 위치를 벗어나는 경우에 블랭크 마스크에 노광하여 마스크 패턴을 구현함으로써 블랭크 마스크의 가용성을 높인다. 블랭크 마스크의 결점을 검사하기 전에 블랭크 마스크 검사 장치 내에서 블랭크 마스크 상에 키 패턴을 형성한다.
블랭크 마스크, 결점, 키 패턴, 가용성, 고조파 발생기

公开(公告)号：KR1020060041098A

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：KR1020040090579

申请日：2004-11-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유상용 ,  한학승

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/3014 ,  G03F7/3085

Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조용 현상장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체소자 제조용 현상장치는, 현상액이 담긴 배스 내부에 현상용 기판을 투입하여 현상공정을 수행하는 수행하는 반도체소자 제조용 현상장치에 있어서, 상기 배스 내부 저면에 복수의 진동소자가 소정의 어레이(Array)로 배열되어 구비되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 현상액이 저장된 배스 내부에 진동소자를 구비하여 현상액의 반응을 촉진함으로써 현상 공정 후의 포토레지스트 패턴의 선폭(Critical Dimension)의 글로벌 균일도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
포토리소그래피, 포토레지스트, 현상, 진동소자

公开(公告)号：KR1020170024768A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：KR1020150120195

申请日：2015-08-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한학승 ,  이동근 ,  정동훈

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/033 ,  H01L27/146

CPC classification number: G03F7/70783 ,  G03F1/84

Abstract: 마스크오차측정장치및 그의동작방법이제공된다. 마스크오차측정장치는, 상면상에형성된기준패턴을포함하는기준마스크(reference mask), 상기기준마스크와인접하게배치되고, 상면상에형성된마스크패턴을포함하는대상마스크, 제1 광을생성하고, 상기제1 광을상기기준마스크및 상기대상마스크에조사하는광원부, 이미지센서를포함하되, 상기기준패턴으로부터생성된제1 이미지와, 상기마스크패턴으로부터생성된제2 이미지를상기이미지센서에각각제공하는수광부로, 상기이미지센서는상기제1 이미지와상기제2 이미지로부터제3 이미지를생성하는수광부, 및상기제3 이미지로부터상기마스크패턴의오차를측정하는측정부를포함한다.

Abstract translation: 提供了一种用于测量掩模误差的装置和用于测量掩模误差的方法。 用于测量掩模误差的装置包括被配置为容纳具有参考图案的参考掩模的台和与参考掩模相邻的目标掩模，使得目标掩模的掩模图案面向参考图案，被配置为照射 第一光束到参考掩模和目标掩模上，光接收单元包括图像传感器，并且图像传感器被配置为接收包括从参考图案生成的第一图像和从掩模图案生成的第二图像的合成图像， 并从第一图像和第二图像生成第三图像，以及测量单元，被配置为从第三图像测量掩模图案的误差。

公开(公告)号：KR101703745B1

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：KR1020100129997

申请日：2010-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤영근 ,  김희범 ,  이명수 ,  전찬욱 ,  한학승

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/68 ,  G03F1/76

CPC classification number: G03F1/70

Abstract: 본발명은, 기판상에원하는패턴을정확하게전사할수 있는캘리브레이션패턴을이용한포토마스크형성방법을제공한다. 본발명의일실시예에따른포토마스크형성방법은, 제1 설계치수를각각가지는 1차원캘리브레이션설계패턴들및 제2 설계치수를각각가지는 2차원캘리브레이션설계패턴들을제공하는단계; 1차원캘리브레이션설계패턴들로부터 1차원캘리브레이션측정패턴들을취득하고, 2차원캘리브레이션설계패턴들로부터 2차원캘리브레이션측정패턴들을취득하는단계; 1차원캘리브레이션측정패턴들의제1 측정치수들을취득하고, 2차원캘리브레이션측정패턴들의제2 측정치수들취득하는단계; 제1 측정치수들과제2 측정치수들사이의상관관계를수립하는단계; 및상관관계를이용하여, 주패턴의주 측정치수를제1 측정치수로변환하는단계;를포함한다.

Abstract translation: 使用可以将期望图案精确地转印到基板的校准图案形成光掩模的方法。 该方法包括提供一维校准设计图案，每个具有第一设计措施并提供每个具有第二设计措施的二维校准设计图案; 使用一维校准设计图案获得一维校准测量图案，并使用二维校准设计图案获得二维校准测量图案; 获得一维校准测量图案的第一测量度量，并获得二维校准测量图案的第二测量度量; 建立第一测量措施与第二测量措施之间的相关性; 以及使用所述相关性将主模式的主测量度量转换为所述第一测量测量值中的对应的一个。

公开(公告)号：KR1020130108875A

公开(公告)日：2013-10-07

申请号：KR1020120030691

申请日：2012-03-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한학승 ,  신인균 ,  윤영근

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/027

CPC classification number: G01N21/956 ,  G01N21/21 ,  G01N2021/95676 ,  H01L22/24 ,  H01L22/26

Abstract: PURPOSE: A device of inspecting and measuring a reflective photomask using light accurately measure the line width of a pattern of the reflective photomask by using deep ultra violet (DUV) light. CONSTITUTION: A light irradiation unit (100A) has a light source (110) generating light and a beam forming unit (120). The light irradiation unit includes transmission lens (L1-L3) installed between the light source and the beam forming unit. A reflective photomask (210) is mounted on the lower surface of a photomask stage (200). The reflective photomask includes optical patterns formed on the front surface of a mask substrate (220). A light receiving unit (700) receives optical image information of the reflective photomask mounted on the photomask stage. An image analyzing unit (800) receives digital information from the light receiving unit and analyzes the image information of the patterns of the reflective photomask.

Abstract translation: 目的：使用光检测和测量反光光掩模的装置通过使用深紫外（DUV）光精确地测量反射光掩模图案的线宽。 构成：光照射单元（100A）具有产生光的光源（110）和光束形成单元（120）。 光照射单元包括安装在光源和光束形成单元之间的透射透镜（L1-L3）。 反光光掩模（210）安装在光掩模台（200）的下表面上。 反射光掩模包括形成在掩模基板（220）的前表面上的光学图案。 光接收单元（700）接收安装在光掩模台上的反射光掩模的光学图像信息。 图像分析单元（800）从光接收单元接收数字信息并分析反射光掩模的图案的图像信息。

公开(公告)号：KR1020060122192A

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：KR1020050044245

申请日：2005-05-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한학승 ,  최성운 ,  김병국 ,  문세건

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/28 ,  G03F1/36 ,  G03F7/095 ,  G03F7/70558 ,  H01J37/3174

Abstract: A method for manufacturing a phase shifting mask is provided to reduce manufacture cost and turn around time by using negative and positive resist layers. A dual layer made of a negative resist lower layer(120) and a positive resist upper layer(130) is formed on a transparent substrate(100). A mask pattern for patterning the dual layer is converted into GDS data(140). The dual layer is exposed by using the GDS data with at least two different doses(D,D+) of an electron beam. The exposed dual layer is developed to form a dual layer pattern having lower layer regions with different thickness according to the doses. The transparent substrate is etched by using the dual layer pattern as a protective layer to form phase shifting regions corresponding to the respective lower layer regions on the transparent substrate. The dual layer pattern remained on the transparent substrate is removed.

Abstract translation: 提供一种用于制造相移掩模的方法，以通过使用负的和正的抗蚀剂层来降低制造成本和转向时间。 在透明基板（100）上形成由负的抗蚀剂下层（120）和正性抗蚀剂上层（130）构成的双层。 用于图案化双层的掩模图案被转换为GDS数据（140）。 通过使用电子束的至少两个不同剂量（D，D +）的GDS数据来暴露双层。 曝光的双层被开发成根据剂量形成具有不同厚度的较低层区域的双层图案。 通过使用双层图案作为保护层来蚀刻透明基板，以形成对应于透明基板上的各个下层区域的相移区域。 去除保留在透明基板上的双层图案。

公开(公告)号：KR1020120081659A

公开(公告)日：2012-07-20

申请号：KR1020100129997

申请日：2010-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤영근 ,  김희범 ,  이명수 ,  전찬욱 ,  한학승

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/68 ,  G03F1/76

CPC classification number: G03F1/70 ,  H01L21/0274 ,  G03F1/68 ,  G03F1/76 ,  H01L21/0337

Abstract: PURPOSE: A photo-mask and a method for manufacturing the same are provided to precisely produce an MTT(Mean-To-Target) dimension and uniformity of a two-dimensional pattern at the same time by accurately transferring a desire pattern on a substrate. CONSTITUTION: One-dimensional calibration measured patterns are obtained from one-dimensional calibration design patterns and two-dimensional calibration measured patterns are obtained from two-dimensional calibration design patterns(S20). First measured dimensions of the one-dimensional calibration measured patterns are obtained and second measured dimensions of the two-dimensional calibration measured patterns are obtained(S30). A correlation between the first measured dimensions and the second measured dimensions is established(S40). A main measured dimension of a main pattern is changed into the first measured dimension by using the correlation(S50).

Abstract translation: 目的：提供一种光掩模及其制造方法，通过在基板上精确地传送期望图案，同时精确地产生二维图案的MTT（平均对目标）尺寸和均匀性。 构成：从一维校准设计图案获得一维校准测量图案，并且从二维校准设计图案获得二维校准测量图案（S20）。 获得一维校准测量图案的第一测量尺寸，并获得二维校准测量图案的第二测量尺寸（S30）。 建立第一测量尺寸与第二测量尺寸之间的相关性（S40）。 通过使用相关性将主图案的主要测量尺寸改变为第一测量尺寸（S50）。

公开(公告)号：KR1020110109563A

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：KR1020100029349

申请日：2010-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한학승 ,  남동석 ,  우상균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G03F1/36 ,  G03F1/74 ,  H01L21/0337 ,  G03F1/0092 ,  G03F1/144 ,  H01L21/0274

Abstract: 본 발명에 의한 포토 마스크의 광학 파라미터 보정 방법은 포토 마스크를 제공하고, 포토 마스크를 노광하여 에어리얼 이미지를 검출하여 포토 마스크를 평가하고, 평가 결과에 따라 포토 마스크에 가스 클러스터 이온빔을 조사하여 에어리얼 이미지와 관련된 포토 마스크의 광학 파라미터를 보정하는 것을 포함한다. 가스 클러스터 이온빔은 마스크 패턴이 형성된 포토 마스크의 앞면 또는 마스크 패턴이 형성되지 않은 포토 마스크의 뒷면에 조사할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020070063779A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：KR1020050123988

申请日：2005-12-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한학승 ,  최성운 ,  문성용 ,  김병국

IPC: H01L21/027

Abstract: A method for fabricating a mask for double exposure is provided to minimize amplification of conformation errors by extracting a circuit pattern formed on a main mask into first and second masks. A main mask including a main pattern formed on a glass substrate and a first region(2) and a second region is prepared. The main mask is aligned on a first mask having an etch stop film(7) and a photosensitive film(8). The first region is transferred on the first mask to form a first mask pattern. The main mask is aligned on a second mask having an etching stop film and a photosensitive film. The second region is transferred on the second mask to form a second mask pattern.

Abstract translation: 提供一种用于制造用于双重曝光的掩模的方法，以通过将形成在主掩模上的电路图案提取为第一和第二掩模来最小化构象误差的放大。 制备包括形成在玻璃基板上的主图案和第一区域（2）和第二区域的主掩模。 主掩模在具有蚀刻停止膜（7）和感光膜（8）的第一掩模上对准。 第一区域被传送在第一掩模上以形成第一掩模图案。 主掩模在具有蚀刻停止膜和感光膜的第二掩模上对准。 第二区域被传送到第二掩模上以形成第二掩模图案。