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公开(公告)号：KR1020150142374A
公开(公告)日：2015-12-22
申请号：KR1020140071069
申请日：2014-06-11
Applicant: 삼성전자주식회사 , 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606 , H01L29/78618
Abstract: 산화물층및 양자점층으로이루어진채널을포함하는트랜지스터가개시된다. 개시된트랜지스터는백 게이트기판과, 상기기판상의게이트절연층과, 상기게이트절연층상에서산화물층과, 반도체나노층으로이루어진적층구조의채널층과, 상기채널층의양단과각각연결된소스전극및 드레인전극을포함한다. 상기반도체나노층은양자점층또는반도체나노와이어층일수 있다.
Abstract translation: 公开了包括包含氧化物层和量子点层的沟道的晶体管。 所公开的晶体管包括：背栅基板; 基板上的栅极绝缘层; 在所述栅绝缘层上具有包括所述氧化物层和半导体纳米层的叠层结构的沟道层; 以及分别与沟道层的两端连接的源电极和漏电极。 半导体纳米层可以是量子点层或半导体纳米线层。
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公开(公告)号：KR101223406B1
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：KR1020100068578
申请日：2010-07-15
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: B60R11/02
Abstract: 본 발명은, 차량의 외측으로 운전자의 사각 영역을 포함하는 영역의 영상을 취득하는 영상 입력부와, 차량에 배치되는 디스플레이를 포함하는 디스플레이부와, 상기 영상 입력부로부터 입력된 영상 정보를 신호 처리하고 상기 디스플레이부로 출력하도록 제어하는 제어부와, 상기 제어부와 연결되어 상기 제어부의 저장 신호에 따라 상기 영상 입력부로부터의 영상 정보를 저장하는 저장부와, 상기 제어부와 연결되어 상기 제어부의 연산 신호에 따라 상기 영상 입력부로부터의 영상 정보를 영상 처리하는 연산부를 구비하는 차량 영상 실내 디스플레이 장치 및 이의 제어 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020120007834A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：KR1020100068578
申请日：2010-07-15
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: B60R11/02
Abstract: PURPOSE: An indoor display device for a vehicle and a control method thereof are provided to display precise sight of dead zones by acquiring information about driving environment of a vehicle. CONSTITUTION: An indoor display device for a vehicle comprises an imaging input unit(100), a display unit(700), a controller unit(400), a storage unit(500), and a computation unit(600). The imaging input unit acquires image of dead zones for driver. The display unit includes a monitor device(710) in the vehicle. The controller unit processes imagery intelligence from the imaging input unit and outputs signal into the display unit. The storage unit and the computation unit are connected to the controller unit. The storage unit saves the imagery intelligence of the imaging input unit based on the saved signal in the controller unit. The computation unit processes the imagery intelligence of the imaging input unit into image based on the computed signal of the controller unit.
Abstract translation: 目的：提供一种用于车辆的室内显示装置及其控制方法，用于通过获取关于车辆的驾驶环境的信息来显示死区的精确视野。 构成：车辆用室内显示装置，具备成像输入部（100），显示部（700），控制部（400），存储部（500），运算部（600）。 成像输入单元获取驾驶员的死区图像。 显示单元包括车辆中的监视器装置（710）。 控制器单元从成像输入单元处理图像智能并将信号输出到显示单元中。 存储单元和计算单元连接到控制器单元。 存储单元基于控制器单元中保存的信号来保存成像输入单元的图像智能。 计算单元根据控制器单元的计算信号将成像输入单元的图像智能处理成图像。
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公开(公告)号：KR1020040024154A
公开(公告)日：2004-03-20
申请号：KR1020020055679
申请日：2002-09-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 허근
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: High density plasma chemical vapor deposition(CVD) equipment capable of controlling generation of particles on the edge of a semiconductor wafer is provided to control a defect on the edge of a semiconductor wafer due to plasma and reaction gas by installing a clamp between the wafer and the plasma so that the clamp overlaps the edge of the wafer. CONSTITUTION: An inner space of a predetermined size is defined by the outer wall(310) of a chamber. The semiconductor wafer(200) is placed on a susceptor(320) in the chamber. A gas supply unit is so disposed to confront the upper surface of the semiconductor wafer. The clamp(360) is so disposed between the plasma on the semiconductor wafer and the semiconductor wafer to overlap the edge of the semiconductor wafer.
Abstract translation: 目的：提供能够控制半导体晶片边缘产生颗粒的高密度等离子体化学气相沉积（CVD）设备，以通过在等离子体和反应气体之间安装夹具来控制由于等离子体和反应气体导致的半导体晶片边缘的缺陷 晶片和等离子体，使得钳位件与晶片的边缘重叠。 构成：预定尺寸的内部空间由腔室的外壁（310）限定。 半导体晶片（200）被放置在腔室中的基座（320）上。 气体供给单元被设置为面对半导体晶片的上表面。 夹具（360）设置在半导体晶片上的等离子体和半导体晶片之间以与半导体晶片的边缘重叠。
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公开(公告)号：KR1020060037563A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040086557
申请日：2004-10-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02252 , H01L21/02274 , H01L21/3065
Abstract: 본 발명은 고밀도 플라즈마 절연막을 형성시 플라즈마 충격에 의한 금속이온의 발생을 방지할 수 있는 고밀도 플라즈마 절연막의 형성방법을 제공한다. 그 방법은 반응챔버 내의 반도체 기판 상으로 공급된 반응가스를 리모트 플라즈마 발생기를 이용하여 플라즈마화시키고, 플라즈마화된 반응가스를 반도체 기판에 접촉시켜 제1 절연막을 형성한 다음, 상기 반응챔버 내로 공급된 스퍼터용 식각가스를 상기 리모트 플라즈마 발생기를 이용하여 플라즈마화 시킨 후 상기 반도체 기판의 표면을 스퍼터 식각하여 상기 제1 절연막을 소정 두께만큼 제거한다.
고밀도 플라즈마, 리모트, 절연막, 스퍼터 식각-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020020018476A
公开(公告)日：2002-03-08
申请号：KR1020000051801
申请日：2000-09-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
Abstract: PURPOSE: A method for forming an isolation region of a semiconductor device is provided to shorten an interval of time for forming the isolation region, by reducing processes for forming a trench oxide layer and annealing an insulation material to one process. CONSTITUTION: A silicon oxide layer(120) is formed on a semiconductor substrate(100). A predetermined portion of the silicon oxide layer and the semiconductor substrate under the predetermined portion are continuously etched to form a trench. An insulation material(160) is filled in the trench. The semiconductor substrate of the sidewall and bottom of the trench filled with the insulation material is oxidized to form a trench oxide layer(180) on the sidewall and bottom of the trench. The insulation material and the silicon oxide layer remaining on the semiconductor substrate are continuously polished by a mechanical polishing method until the surface of the semiconductor substrate is exposed, so that the isolation region is formed.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的隔离区域的方法，通过减少用于形成沟槽氧化物层的工艺和将绝缘材料退火到一个工艺来缩短用于形成隔离区域的时间间隔。 构成：在半导体衬底（100）上形成氧化硅层（120）。 氧化硅层和预定部分下方的半导体衬底的预定部分被连续蚀刻以形成沟槽。 绝缘材料（160）填充在沟槽中。 填充有绝缘材料的沟槽的侧壁和底部的半导体衬底被氧化以在沟槽的侧壁和底部上形成沟槽氧化物层（180）。 残留在半导体基板上的绝缘材料和氧化硅层通过机械抛光法连续抛光，直到半导体衬底的表面露出，从而形成隔离区。
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公开(公告)号：KR1020000065321A
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：KR1019990011469
申请日：1999-04-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A method for preventing a lifting of a photoresist pattern is provided to increase an adhesion between a photoresist pattern and a material layer and to prevent the photoresist pattern from being lifted in a subsequent wet etch process by forming a thin nitride layer on a hydrophilic material layer. CONSTITUTION: In a method for preventing a lifting of a photoresist pattern when a material layer(100) having a hydrophilic property is wet-etched by using a photoresist pattern(106) as a mask, a thin material layer(104) is formed on the material layer to increase an adhesion between the photoresist pattern and the material layer.
Abstract translation: 目的：提供防止光致抗蚀剂图案提升的方法以增加光致抗蚀剂图案和材料层之间的粘附性，并且防止光致抗蚀剂图案在随后的湿法蚀刻工艺中被提升，通过在亲水层上形成薄的氮化物层 材料层。 构成：在通过使用光致抗蚀剂图案（106）作为掩模对具有亲水性的材料层（100）进行湿式蚀刻时，防止光致抗蚀剂图案的提升的方法中，将薄材料层（104）形成在 材料层以增加光致抗蚀剂图案和材料层之间的粘合力。
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公开(公告)号：KR102220445B1
公开(公告)日：2021-02-25
申请号：KR1020190078909
申请日：2019-07-01
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: 실시예의반도체소자는기판과, 상기기판상에배치된절연층과, 상기절연층상에배치된문턱전압조절층과, 상기문턱전압조절층상에배치된제1 반도체층과, 상기문턱전압조절층상에배치되어상기제1 반도체층의일부를덮는제2 반도체층을포함할수 있다. 실시예에따른부성미분저항소자는문턱전압조절층을형성함으로써, 게이트전압으로피크전압을소자의동작범위내에서자유롭게조절할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020210005333A
公开(公告)日：2021-01-14
申请号：KR1020190078909
申请日：2019-07-01
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: 실시예의반도체소자는기판과, 상기기판상에배치된절연층과, 상기절연층상에배치된문턱전압조절층과, 상기문턱전압조절층상에배치된제1 반도체층과, 상기문턱전압조절층상에배치되어상기제1 반도체층의일부를덮는제2 반도체층을포함할수 있다. 실시예에따른부성미분저항소자는문턱전압조절층을형성함으로써, 게이트전압으로피크전압을소자의동작범위내에서자유롭게조절할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020060019106A
公开(公告)日：2006-03-03
申请号：KR1020040067588
申请日：2004-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 허근
IPC: H01L21/205
Abstract: 고밀도 플라즈마 증착막의 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 반도체기판 상에 제 1 물질막 패턴들을 형성하고, 상기 제 1 물질막 패턴들이 형성된 반도체기판을 고밀도 플라즈마 공정 챔버로 로딩한 후, 상기 고밀도 플라즈마 공정 챔버에 제 1 소스 가스 및 제 2 소스 가스를 함께 공급하면서 상기 제 1 물질막 패턴들이 형성된 반도체기판 상에 제 2 물질막을 증착하는 단계를 포함한다.
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