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1.发明专利
公开(公告)号：KR20210034990A
公开(公告)日：2021-03-31
申请号：KR1020190117078A
申请日：2019-09-23
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01Q5/335 , H04B1/0458 , H03H11/28 , H04B17/102
Abstract: 본 발명의 다양한 실시예들은 전자 장치에서 안테나 임피던스를 매칭하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 전자 장치는, 안테나, 무선 통신 모듈, 상기 안테나 및 상기 무선 통신 모듈과 전기적으로 연결되는 임피던스 매칭 모듈, 및 상기 임피던스 매칭 모듈 및 상기 무선 통신 모듈과 작동적으로 연결되는 적어도 하나의 프로세서를 포함하며, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 임피던스 매칭 모듈의 튜닝 코드가 기준 코드로 설정된 제 1 측정을 통해, 다수 개의 샘플링된 인덱스들 중 상기 안테나의 임피던스에 대응하는 제 1 인덱스를 선택하고, 상기 제 1 인덱스에 대응하는 사용 환경을 확인하고, 상기 임피던스 매칭 모듈의 튜닝 코드가 상기 기준 코드로 설정되고 상기 사용 환경에 대응하는 그라운드 코드로 설정된 제 2 측정을 통해, 상기 다수 개의 샘플링된 인덱스들 중 상기 안테나의 임피던스에 대응하는 제 2 인덱스를 선택하고, 상기 제 2 인덱스에 대응하는 튜닝 코드에 기반하여 상기 안테나의 임피던스를 조절할 수 있다. 다른 실시예들도 가능할 수 있다.
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公开(公告)号：KR20210027601A
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190106335A
申请日：2019-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 주식회사 뉴파워 프라즈마
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32522 , H01J37/32449 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32633 , H01J37/32733 , H01J37/32834 , H01J37/3497 , H01J2237/002 , H01L21/67017
Abstract: 플라즈마 표면처리 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템을 개시한다. 플라즈마 표면처리 장치는 표면처리용 처리 라디칼을 생성하는 플라즈마 생성기, 플라즈마 생성기와 이격되고 공급덕트를 통하여 공급된 처리 라디칼을 이용하여 처리대상 기판에 대한 표면처리 공정을 수행하는 공정챔버, 공급덕트에 배치되어 공정챔버로 공급되는 처리 라디칼의 온도를 저하시키는 냉각기, 및 처리 라디칼을 배출하는 배출덕트에 배치되어 공정챔버로부터 처리 라디칼을 배출하고 공정챔버 내부에서 처리 라디칼의 유동방향을 단일하게 유지하는 유동 제어기를 포함한다. 충분한 양의 처리 라디칼을 저온으로 공급하여 기판에 대한 손상없이 표면처리 공정을 수행할 수 있다.
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公开(公告)号：KR20210033102A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：KR1020190114081A
申请日：2019-09-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/02 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L27/0922 , H01L21/02172 , H01L21/02532 , H01L21/8238 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L21/823857 , H01L21/823871 , H01L27/0924 , H01L29/0653 , H01L29/0673 , H01L29/0847 , H01L29/1054 , H01L29/161 , H01L29/41791 , H01L29/42392 , H01L29/4908 , H01L29/4966 , H01L29/516 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/7848 , H01L29/7849 , H01L29/78696
Abstract: 본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 제1 활성 영역 및 제2 활성 영역을 포함하는 기판; 상기 제1 및 제2 활성 영역들 상에 각각 제공된 제1 활성 패턴 및 제2 활성 패턴; 상기 제1 활성 패턴의 상부에 제공된 한 쌍의 제1 소스/드레인 패턴들, 및 상기 한 쌍의 제1 소스/드레인 패턴들 사이에 개재된 제1 채널 패턴; 상기 제2 활성 패턴의 상부에 제공된 한 쌍의 제2 소스/드레인 패턴들, 및 상기 한 쌍의 제2 소스/드레인 패턴들 사이에 개재된 제2 채널 패턴; 및 상기 제1 및 제2 채널 패턴들을 각각 가로지르는 제1 및 제2 게이트 전극들을 포함한다. 상기 제1 및 제2 게이트 전극들 각각은, 상기 제1 및 제2 채널 패턴들 중 그 아래의 하나에 인접하는 제1 금속 패턴을 포함하고, 상기 제1 및 제2 채널 패턴들은 실리콘-게르마늄(SiGe)을 포함하며, 상기 제2 채널 패턴의 게르마늄(Ge)의 농도는, 상기 제1 채널 패턴의 게르마늄(Ge)의 농도보다 크고, 상기 제2 게이트 전극의 상기 제1 금속 패턴의 두께는, 상기 제1 게이트 전극의 상기 제1 금속 패턴의 두께보다 크다.
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公开(公告)号：WO2019146914A1
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：PCT/KR2018/016089
申请日：2018-12-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 신규 자기열 물질 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 하기 화학식 1로 표현되는 신규 자기열 물질: [화학식 1] (Gd 1-x A x ) 3 SnC (여기서, A는 La 또는 Ce이고, x는 소수이며 0 3 SnC 대비 효율이 현저히 높아서 저가, 고효율의 자기냉각장치 구현과 자기열 효과의 적용 온도 범위의 확장과 제어에 유용하게 사용될 수 있다.
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公开(公告)号：WO2018164479A1
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：PCT/KR2018/002708
申请日：2018-03-07
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 전자화물과 유기구리화합물을 이용하여 제조한 저온 소결 가능한 구리입자 물질 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 입자 크기가 작고 분산성이 높아 전도성 구리잉크 재료로서 유용하게 사용될 수 있 구리 나노입자, 및 전자화물을 환원제로 사용하여 유기구리화합물을 환원시켜 상기 구리 나노입자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 구리의 산화가 억제되고, 평균 입자 직경이 5 nm 내외로, 융점의 강하를 일으킬 수 있으며, 분산성이 높고, 간단한 초음파처리 공정으로서 전자화물을 제거할 수 있어, 전도성 구리 나노 잉크 재료에 적합하게 사용할 수 있는 구리 나노입자를 제공하며, 제조된 구리나노 입자는 입자 크기가 작고 분산성이 높은 산화방지 보호체 또는 전도성 구리잉크 재료로서의 유용하게 사용될 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2019013446A1
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：PCT/KR2018/005944
申请日：2018-05-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 개시(disclosure)는 LTE(Long Term Evolution)와 같은 4G(4 th generation) 통신 시스템 이후 보다 높은 데이터 전송률을 지원하기 위한 5G(5 th generation) 또는 pre-5G 통신 시스템에 관련된 것이다. 본 개시의 다양한 실시 예들에 따를 때, 무선 통신 시스템에서 단말의 장치는 적어도 하나의 송수신기와, 상기 적어도 하나의 송수신기와 동작적으로 결합되는 적어도 하나의 프로세서를 포함할 수 있다. 적어도 하나의 프로세서는, 제1 RAT(radio access technology)에 대한 제1 네트워크 노드(network node)로부터 설정 정보를 수신하고, 상기 수신된 설정 정보에 기반하여, 상기 제1 RAT의 제1 신호에 대한 제1 품질과 제2 RAT의 제2 신호에 대한 제2 품질을 측정하고, 상기 측정된 제1 품질 또는 상기 측정된 제2 품질에 기반하여, 상기 제2 RAT에 대한 제2 네트워크 노드로의 핸드오버(handover) 여부를 결정할 수 있다. 설정 정보는, 상기 제1 RAT 및 상기 제2 RAT 간 핸드오버를 위한 파라미터들을 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020090020953A
公开(公告)日：2009-02-27
申请号：KR1020070085614
申请日：2007-08-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H04B7/26
CPC classification number: H04W16/12 , H04W72/0453 , H04W72/0493
Abstract: A method for allocating frequency band in a wireless communication system is provided to assign data transmission frequency bandwidth to the terminal attempting communication with a base station in frequency-divided cell. A total frequency band is divided to a central frequency band and a plurality of outer frequency bands which do not overlap(S110). A first outer frequency band and the central frequency band are allocated in the central region of a first cell(S130). The first outer frequency band is allocated in the outer region of the first cell(S140). The second outer frequency band and the central frequency band are allocated in the central region of the second cell(S150). The second outer frequency band is allocated in the outer region of the second cell(S160).
Abstract translation: 提供了一种用于在无线通信系统中分配频带的方法，用于向尝试与分频小区中的基站进行通信的终端分配数据传输频率带宽。 总频带被划分为不重叠的中心频带和多个外频带（S110）。 第一外频带和中心频带被分配在第一小区的中心区域（S130）。 第一外频带被分配在第一小区的外部区域（S140）。 第二外频带和中心频带被分配在第二小区的中心区域（S150）。 第二外频带被分配在第二小区的外部区域（S160）。
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公开(公告)号：KR101335363B1
公开(公告)日：2013-12-03
申请号：KR1020070085614
申请日：2007-08-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H04B7/26
Abstract: 본 발명은 다중 셀 방식의 무선 통신 시스템에서 통신 시스템에 허용된 주파수 대역을 다중 셀 통신 시스템을 구성하는 각 셀에 할당하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 셀간 간섭(ICI : Inter Cell Interference)을 감소 시키기 위하여 이용되는, 부분 주파수 재사용(Fractional Frequency Reuse) 방법을 사용하기에 용이한 주파수 분할 및 주파수 할당 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 다중 셀 통신 시스템의 주파수 대역 할당 방법에 있어서, 전체 주파수 대역을 서로 중첩하지 않는 중심 주파수 대역과 복수의 외곽 주파수 대역들로 분할하는 단계, 제1 셀의 중심 지역에 상기 복수의 외곽 주파수 대역들 중에서 적어도 하나 이상의 제1 외곽 주파수 대역 및 상기 중심 주파수 대역을 할당하는 단계, 및 상기 제1 셀의 외곽 지역에 상기 적어도 하나 이상의 제1 외곽 주파수 대역을 할당하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 주파수 대역 할당 방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 부분 주파수 재사용 방법을 사용하는 이동 통신 시스템에서 전체 셀에 주파수 대역을 다시 할당하지 않고도 각각의 셀에 할당된 주파수 대역을 변경하여 셀 내의 단말기의 분포 변화 또는 셀 내의 데이터 전송 대역폭 변화에 능동적으로 대응할 수 있다.
부분 주파수 재활용, 주파수 대역 분할, 주파수 할당, Fractional Frequency Reuse, 셀간 간섭-
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公开(公告)号：KR101870830B1
公开(公告)日：2018-06-25
申请号：KR1020170030194
申请日：2017-03-09
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은신규자기열물질및 그제조방법에관한것이다. 본발명은하기화학식 1로표현되는것을특징으로하는자기열물질을제공한다. GdSnC 본발명의자기열물질은증대된자기열효과를보여줌과동시에동 부피의원료물질인금속 Gd 대비효율이높아저가, 고효율의자기냉각장치구현에유용하게사용될수 있다.
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