公开(公告)号：KR1020170091965A

公开(公告)日：2017-08-10

申请号：KR1020160012916

申请日：2016-02-02

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 신인수 ,  윤의준 ,  박용조 ,  이동현 ,  김종명

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/203 ,  H01L21/324

Abstract: 상온과같은저온에서도스퍼터링과같은 PVD 방법을이용해단결정 AlN을성장시킬수 있는방법을제공한다. 본발명에따른단결정 AlN 성장방법은기판위에상기기판과 AlN 사이의격자상수차이를줄여주는금속층을형성하는단계; 및상기금속층위에 PVD 방법으로단결정 AlN을성장시키는단계를포함한다.

Abstract translation: 提供了即使在低温如室温下也使用诸如溅射的PVD方法生长单晶AlN的方法。 根据本发明的另一方面，提供了一种生长单晶AlN的方法，包括：在衬底上形成金属层以减小衬底和AlN之间的晶格常数的差异; 并通过PVD在金属层上生长单晶AlN。

公开(公告)号：KR102136579B1

公开(公告)日：2020-07-22

申请号：KR1020180087962

申请日：2018-07-27

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 윤의준 ,  이승민 ,  김종명

IPC: H01L27/15 ,  H01L23/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/10 ,  H01L33/62