公开(公告)号：KR1020170091965A

公开(公告)日：2017-08-10

申请号：KR1020160012916

申请日：2016-02-02

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 신인수 ,  윤의준 ,  박용조 ,  이동현 ,  김종명

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/203 ,  H01L21/324

Abstract: 상온과같은저온에서도스퍼터링과같은 PVD 방법을이용해단결정 AlN을성장시킬수 있는방법을제공한다. 본발명에따른단결정 AlN 성장방법은기판위에상기기판과 AlN 사이의격자상수차이를줄여주는금속층을형성하는단계; 및상기금속층위에 PVD 방법으로단결정 AlN을성장시키는단계를포함한다.

Abstract translation: 提供了即使在低温如室温下也使用诸如溅射的PVD方法生长单晶AlN的方法。 根据本发明的另一方面，提供了一种生长单晶AlN的方法，包括：在衬底上形成金属层以减小衬底和AlN之间的晶格常数的差异; 并通过PVD在金属层上生长单晶AlN。

公开(公告)号：KR1020120102340A

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：KR1020110020443

申请日：2011-03-08

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 윤의준 ,  이건훈 ,  신인수 ,  윤석호 ,  김기성 ,  김성태 ,  김영선

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve luminous efficiency by minimizing stress applied to a semiconductor layer on a heterogeneous substrate. CONSTITUTION: An AlxInyGa1-x-yN layer(102) is formed on a substrate(101). A first conductive semiconductor layer(103) is formed on the AlxInyGa1-x-yN layer. An active layer(104) is formed on the first conductive semiconductor layer. A second conductive semiconductor layer(105) is formed on the active layer. An ohmic electrode layer(106) is formed on the second conductive semiconductor layer. A second electrode(107b) is formed on the ohmic electrode layer.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件及其制造方法，以通过使施加到异质衬底上的半导体层的应力最小化来提高发光效率。 构成：在衬底（101）上形成Al x In y Ga 1-x-y N层（102）。 在Al x In y Ga 1-x-y N层上形成第一导电半导体层（103）。 在第一导电半导体层上形成有源层（104）。 在有源层上形成第二导电半导体层（105）。 在第二导电半导体层上形成欧姆电极层（106）。 第二电极（107b）形成在欧姆电极层上。

公开(公告)号：KR1020170021974A

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：KR1020150116301

申请日：2015-08-18

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 김정섭 ,  이동현 ,  이진섭 ,  황경욱 ,  신인수 ,  윤의준 ,  이건도 ,  장정환

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/04

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: 본발명의일 실시예는, 기판과, 상기기판상에배열된복수의나노로드를갖는제1 AlN 층과, 복수의나노로드사이에보이드가존재하도록제1 AlN 층상에배치된제2 AlN 층과, 상기제2 AlN 층상에배치되며, 제1 도전형 AlGaN 층을갖는제1 도전형질화물층과, 상기제1 도전형질화물층상에배치되며, AlInGaN(0≤x+y≤1, 0≤y

Abstract translation: 一种半导体紫外线发射装置，包括：基板; 缓冲层，其设置在所述基板上并且包括多个纳米棒，在所述多个纳米棒之间形成有多个空隙; 第一导电氮化物层，设置在所述缓冲层上并具有第一导电AlGaN层; 设置在第一导电氮化物层上并具有包括Al x In y Ga 1-x-y N（0≤x+y≤1,0≤y<0.15）的量子阱的有源层）。 以及设置在所述有源层上并具有第二导电AlGaN层的第二导电氮化物层，其中所述多个纳米棒满足3.5≤n（λ）×D /λ≤5.0，其中λ表示由所述活性物质产生的光的波长 层，n（λ）表示波长为λ的多个纳米棒的折射率，D表示多个纳米棒的直径。