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公开(公告)号：KR101809252B1
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：KR1020170024938
申请日：2017-02-24
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 주식회사 헥사솔루션
Abstract: 본발명에따른반도체적층구조는질화물반도체와이종인단결정기판, 기판과의사이에빈 공간(cavity)이정의되도록기판상에형성되고기판과같은결정구조로적어도일부결정화된무기물박막, 및빈 공간위의결정화된무기물박막상에서부터성장된질화물반도체층을포함한다. 본발명에따른질화물반도체층분리방법및 장치는기판과질화물반도체층사이를기계적으로분리시킨다. 기계적인분리는기판과질화물반도체층에수직방향힘을주어분리하는방법, 수평방향의힘을주어분리하는방법, 상대적인원운동의힘을주어분리하는방법, 또는그 조합의방법으로수행할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明，上述氮化物半导体和Lee，钟单晶衬底，一个形成在基板上的半导体层叠结构，使得至少部分所述衬底双峰福利之间的空的空间（腔）在晶体结构中结晶，例如衬底，无机薄膜，mitbin空间 并且从结晶的无机薄膜生长氮化物半导体层。 根据本发明的用于分离氮化物半导体层的方法和设备将衬底与氮化物半导体层机械分离。 机械分离可以在基板和分离给定的垂直力施加到所述半导体层中，给定的分离力在水平方向上的方法，用于分离给定的相对圆周运动的力，或方法的组合的方法中的氮化物的方法来进行。
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公开(公告)号：KR1020170091965A
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：KR1020160012916
申请日：2016-02-02
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/203 , H01L21/324
Abstract: 상온과같은저온에서도스퍼터링과같은 PVD 방법을이용해단결정 AlN을성장시킬수 있는방법을제공한다. 본발명에따른단결정 AlN 성장방법은기판위에상기기판과 AlN 사이의격자상수차이를줄여주는금속층을형성하는단계; 및상기금속층위에 PVD 방법으로단결정 AlN을성장시키는단계를포함한다.
Abstract translation: 提供了即使在低温如室温下也使用诸如溅射的PVD方法生长单晶AlN的方法。 根据本发明的另一方面，提供了一种生长单晶AlN的方法，包括：在衬底上形成金属层以减小衬底和AlN之间的晶格常数的差异; 并通过PVD在金属层上生长单晶AlN。
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公开(公告)号：KR1020170023920A
公开(公告)日：2017-03-06
申请号：KR1020170024938
申请日：2017-02-24
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 주식회사 헥사솔루션
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/32
Abstract: 본발명에따른반도체적층구조는질화물반도체와이종인단결정기판, 기판과의사이에빈 공간(cavity)이정의되도록기판상에형성되고기판과같은결정구조로적어도일부결정화된무기물박막, 및빈 공간위의결정화된무기물박막상에서부터성장된질화물반도체층을포함한다. 본발명에따른질화물반도체층분리방법및 장치는기판과질화물반도체층사이를기계적으로분리시킨다. 기계적인분리는기판과질화물반도체층에수직방향힘을주어분리하는방법, 수평방향의힘을주어분리하는방법, 상대적인원운동의힘을주어분리하는방법, 및그 조합의방법으로수행할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160008382A
公开(公告)日：2016-01-22
申请号：KR1020140088503
申请日：2014-07-14
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 주식회사 헥사솔루션
CPC classification number: H01L33/12 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02488 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L21/67092 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: 본발명에따른반도체적층구조는질화물반도체와이종인단결정기판, 기판과의사이에빈 공간(cavity)이정의되도록기판상에형성되고기판과같은결정구조로적어도일부결정화된무기물박막, 및빈 공간위의결정화된무기물박막상에서부터성장된질화물반도체층을포함한다. 본발명에따른질화물반도체층분리방법및 장치는기판과질화물반도체층사이를기계적으로분리시킨다. 기계적인분리는기판과질화물반도체층에수직방향힘을주어분리하는방법, 수평방향의힘을주어분리하는방법, 상대적인원운동의힘을주어분리하는방법, 및그 조합의방법으로수행할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的衬底叠层结构包括不同于氮化物半导体的单晶衬底; 以及无机薄膜，其被限定在基板上以限定在基板之间形成的空腔，并且以与基板相同的晶体结构部分结晶，并且从无机薄膜生长的氮化物半导体层在空腔上结晶化。 根据本发明的用于分离氮化物半导体层的方法和装置将衬底与氮化物半导体层机械分离。 机械分离可以通过施加垂直力来分离衬底和氮化物半导体层的方法，通过施加水平力来分离衬底和氮化物半导体层的方法，分离衬底和氮化物的方法 通过施加相对圆周运动的力的半导体层及其组合方法。
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