公开(公告)号：KR1020140090333A

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：KR1020130001595

申请日：2013-01-07

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  세종대학교산학협력단

Inventor： 윤의준 ,  여환국 ,  주기수 ,  천승현 ,  김용승 ,  정상균

IPC: H01L33/36

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0008

Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a device after a large graphene electrode grown without a catalyst is directly grown on a compound semiconductor layer made of GaN or mixed nitride of Ga and another metal. In the present invention, a graphene grown with PECVD without the catalyst at relatively low temperatures, which is able to be applied to a nitride semiconductor, is formed. According to the present invention, a graphene with a uniform property is easily grown on a large substrate of 2 inches or more as a transfer method is not required, unlike a graphene grown with a catalyst. Also, the performance of the device is easily maximized by applying various pre-processes to a graphene-combined nitride semiconductor substrate, by not distinguishing the substrate.

Abstract translation: 本发明涉及一种在没有催化剂生长的大型石墨烯电极直接生长在由GaN或其它金属的混合氮化物构成的化合物半导体层上的器件制造方法。 在本发明中，形成能够施加到氮化物半导体上的在相对较低温度下没有催化剂的PECVD生长的石墨烯。 根据本发明，与催化剂生长的石墨烯不同，具有均匀性质的石墨烯容易在不需要转印方法的2英寸以上的大基材上生长。 此外，通过将石墨烯组合的氮化物半导体衬底的各种预处理通过不区分衬底来容易地最大化器件的性能。

公开(公告)号：WO2009119975A2

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：PCT/KR2009/000598

申请日：2009-02-09

Applicant: 에스케이에너지 주식회사 ,  서울대학교산학협력단 ,  정영민 ,  권용탁 ,  김태진 ,  이성준 ,  김용승 ,  오승훈 ,  송인규 ,  김희수 ,  정지철 ,  이호원

Inventor： 정영민 ,  권용탁 ,  김태진 ,  이성준 ,  김용승 ,  오승훈 ,  송인규 ,  김희수 ,  정지철 ,  이호원

IPC: C07C5/32

CPC classification number: C07C5/42 ,  C07C2523/80 ,  C07C2523/887 ,  C07C11/167

Abstract: 본 발명은 고정층 반응기에 두 종의 촉매가 충진되고, 두 촉매 층이 물리적으로 섞이지 않도록 설계한 연속 흐름식 2중 촉매 반응 장치를 이용하여 노르말-부텐의 산화적 탈수소화 반응에 의해 1,3-부타디엔을 제조하는 방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로는, 노르말-부텐의 이성질체(1-부텐, 트랜스-2-부텐, 시스-2-부텐)들의 산화적 탈수소화 반응에 대해 활성이 다른 다성분계 비스무스 몰리브데이트 계 촉매와 페라이트 계 촉매를 사용한 연속 흐름식 2중 촉매 반응 장치를 이용하여 노르말-부텐과 노르말-부탄이 포함된 C4 혼합물을 반응물로 사용하여 노르말-부텐의 산화적 탈수소화 반응을 통해 1,3-부타디엔을 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.

Abstract translation:

本发明中填充有两种催化剂在固定床反应器中，两个催化剂层通过使用式连续流动式设计成在物理上混合正丁烯的正氧化脱水的催化反应装置 丁二烯经消化反应。 更具体地，正丁烯异构体（1-丁烯，反式-2-丁烯，顺式-2-丁烯）的铁素体和氧化脱水是活动的类型的消化反应催化剂的其它多组分钼酸铋 使用具有正丁烯和正丁烷的连续流动的双催化剂的催化反应装置通过使用C4混合物的包括通过正丁烯的氧化脱氢正制备1,3-丁二烯的反应产物 这是关于你如何做到的。

公开(公告)号：KR1020140005470A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：KR1020120072730

申请日：2012-07-04

Applicant: 세종대학교산학협력단

Inventor： 천승현 ,  김용승

IPC: C01B31/02 ,  B01J19/12 ,  H01L21/033

CPC classification number: C01B32/186 ,  B01J19/12 ,  C01B2204/02 ,  C01B2204/04 ,  H01L21/033

Abstract: The present invention relates to a manufacturing method for graphene. The manufacturing method for graphene is able to uniformly grow graphene at low temperatures without a catalyst by forming a graphene layer with a method which directly grows graphene on a substrate by supplying process gas containing carbon sources to the substrate after preprocessing the substrate by oxidative gas plasma. The manufacturing method is able to directly grow graphene on a flexible substrate without a catalyst, thereby being able to be applied to various flexible devices such as a flexible display recently receiving attention. The manufacturing method for graphene forms a mask pattern on a substrate after or before preprocessing the substrate by using oxidative gas plasma, grows graphene on the surface of the substrate exposed due to the mask by supplying process gas containing carbon sources to the substrate, and forms a graphene layer equipped with the pattern, thereby being able to easily and simply form the graphene layer equipped with the pattern by using a mask made of various materials with one step process without an additional lithographic process. [Reference numerals] (AA) Oxidative gas plasma

Abstract translation: 本发明涉及石墨烯的制造方法。 石墨烯的制造方法能够在没有催化剂的情况下在低温下均匀地生长石墨烯，通过在通过氧化气体等离子体预处理基板之后，通过向衬底提供含有碳源的工艺气体直接生长石墨烯的方法，从而在基板上直接生长石墨烯 。 该制造方法能够在没有催化剂的情况下在柔性基板上直接生长石墨烯，从而能够应用于近来受到关注的柔性显示器等各种柔性装置。 石墨烯的制造方法在通过使用氧化气体等离子体对基板进行预处理之后或之后在基板上形成掩模图案，通过向基板供给含有碳源的工艺气体，在由于掩模暴露的基板的表面上生成石墨烯，并形成 具有图案的石墨烯层，从而能够通过使用由各种材料制成的掩模，通过一步加工而不需要附加的光刻工艺，容易且简单地形成配备有图案的石墨烯层。 （附图标记）（AA）氧化气体等离子体

公开(公告)号：KR101381008B1

公开(公告)日：2014-04-04

申请号：KR1020120072730

申请日：2012-07-04

Applicant: 세종대학교산학협력단

Inventor： 천승현 ,  김용승

IPC: C01B31/02 ,  B01J19/12 ,  H01L21/033

Abstract: 그래핀의 제조방법을 제공한다. 그래핀의 제조방법은 산화성 가스 플라즈마를 이용하여 기판을 전처리한 후, 탄소 소스가 포함된 공정 가스를 기판 상으로 공급하여 기판 상에 직접 그래핀을 성장시키는 방법으로 그래핀층을 형성함으로써 저온에서 촉매 없이 그래핀을 균일하게 성장시킬 수 있다. 플렉서블 기판 상에도 촉매 없이 그래핀의 직접 성장이 가능하므로, 최근 관심이 높아지고 있는 플렉서블 디스플레이 등 다양한 플렉서블 소자에 적용할 수 있다. 또한, 산화성 가스 플라즈마를 이용하여 기판을 전처리하기 이전이나 이후에, 기판 상에 마스크 패턴을 형성하고, 탄소 소스가 포함된 공정 가스를 기판 상으로 공급하여 상기 마스크에 의해 노출된 기판 표면에서만 그래핀을 성장시켜 패턴이 구비된 그래핀층을 형성함으로써 별도의 리소그래피 공정 없이 다양한 재질의 마스크를 이용하여 원-스텝(one step) 공정으로 간단하고 용이하게 패턴이 구비된 그래핀층을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020090103424A

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：KR1020080029032

申请日：2008-03-28

Applicant: 에스케이이노베이션 주식회사 ,  에스케이종합화학 주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 정영민 ,  권용탁 ,  김태진 ,  이성준 ,  김용승 ,  오승훈 ,  송인규 ,  김희수 ,  정지철 ,  이호원

IPC: C07C5/32 ,  C07C5/327 ,  C07C11/167

CPC classification number: C07C5/42 ,  C07C2523/80 ,  C07C2523/887 ,  C07C11/167

Abstract: PURPOSE: A method for producing 1,3-butadiene from n-butene using continuous-flow dual-bed reactor with excellent catalyst reproducibility is provided to obtain 1,3-butadiene at high yield by maximizing activity of oxidation-dehydrogenation of n-butene. CONSTITUTION: A method for producing 1,3-butadiene from n-butene using continuous-flow dual-bed reactor comprises the steps of: laminating and filling a bismuth molybdate-based first catalyst and a ferrite-based second catalyst, which are a catalyst-fixed layer on a reactor by a quartz layer so that a separated laminated layer is formed; performing oxidation-dehydrogenation while consecutively passing a C4 mixture including normal butane and a reactant containing air and steam through a catalyst layer of the reactor; and obtaining 1,3-butadiene.

Abstract translation: 目的：提供使用具有优异催化剂再现性的连续流动双床反应器从正丁烯生产1,3-丁二烯的方法，通过使正丁烯氧化脱氢的活性最大化，以高产率获得1,3-丁二烯 。 构成：使用连续流动双床反应器从正丁烯生产1,3-丁二烯的方法包括以下步骤：层压和填充钼酸铋基第一催化剂和作为催化剂的铁酸盐基第二催化剂 - 混合层，通过石英层在反应器上形成分离的层压层; 进行氧化脱氢，同时使含有正丁烷的C4混合物和含有空气和蒸汽的反应物通过反应器的催化剂层; 并得到1,3-丁二烯。

公开(公告)号：KR101508776B1

公开(公告)日：2015-04-10

申请号：KR1020080029032

申请日：2008-03-28

Applicant: 에스케이이노베이션 주식회사 ,  에스케이종합화학 주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 정영민 ,  권용탁 ,  김태진 ,  이성준 ,  김용승 ,  오승훈 ,  송인규 ,  김희수 ,  정지철 ,  이호원

IPC: C07C5/32 ,  C07C5/327 ,  C07C11/167

CPC classification number: C07C5/42 ,  C07C2523/80 ,  C07C2523/887 ,  C07C11/167

Abstract: 본발명은고정층반응기에두 종의촉매가충진되고, 두촉매층이물리적으로섞이지않도록설계한연속흐름식 2중촉매반응장치를이용하여노르말-부텐의산화적탈수소화반응에의해 1,3-부타디엔을제조하는방법에관한것이다. 좀더 구체적으로는, 노르말-부텐의이성질체(1-부텐, 트랜스-2-부텐, 시스-2-부텐)들의산화적탈수소화반응에대해활성이다른다성분계비스무스몰리브데이트계 촉매와페라이트계 촉매를사용한연속흐름식 2중촉매반응장치를이용하여노르말-부텐과노르말-부탄이포함된 C4 혼합물을반응물로사용하여노르말-부텐의산화적탈수소화반응을통해 1,3-부타디엔을제조할수 있는방법에관한것이다.