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    무촉매 그래핀 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 발광소자 제조 방법
    1.
    发明公开
    무촉매 그래핀 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 발광소자 제조 방법 审中-实审
    不使用催化剂制造石墨的方法和使用相同方法制造发光二极管的方法

    公开(公告)号：KR1020140090333A

    公开(公告)日：2014-07-17

    申请号：KR1020130001595

    申请日：2013-01-07

    Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  세종대학교산학협력단

    Inventor： 윤의준 ,  여환국 ,  주기수 ,  천승현 ,  김용승 ,  정상균

    IPC: H01L33/36

    CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0008

    Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a device after a large graphene electrode grown without a catalyst is directly grown on a compound semiconductor layer made of GaN or mixed nitride of Ga and another metal. In the present invention, a graphene grown with PECVD without the catalyst at relatively low temperatures, which is able to be applied to a nitride semiconductor, is formed. According to the present invention, a graphene with a uniform property is easily grown on a large substrate of 2 inches or more as a transfer method is not required, unlike a graphene grown with a catalyst. Also, the performance of the device is easily maximized by applying various pre-processes to a graphene-combined nitride semiconductor substrate, by not distinguishing the substrate.

    Abstract translation: 本发明涉及一种在没有催化剂生长的大型石墨烯电极直接生长在由GaN或其它金属的混合氮化物构成的化合物半导体层上的器件制造方法。 在本发明中，形成能够施加到氮化物半导体上的在相对较低温度下没有催化剂的PECVD生长的石墨烯。 根据本发明，与催化剂生长的石墨烯不同，具有均匀性质的石墨烯容易在不需要转印方法的2英寸以上的大基材上生长。 此外，通过将石墨烯组合的氮化物半导体衬底的各种预处理通过不区分衬底来容易地最大化器件的性能。

    그래핀층 상의 유전막을 포함하는 전자소자 및 그래핀층 상의 유전막의 형성 방법
    3.
    发明公开
    그래핀층 상의 유전막을 포함하는 전자소자 및 그래핀층 상의 유전막의 형성 방법 有权
    在石墨层上具有介电层的电子器件和形成介电层的方法

    公开(公告)号：KR1020150068325A

    公开(公告)日：2015-06-19

    申请号：KR1020140177354

    申请日：2014-12-10

    Applicant: 세종대학교산학협력단

    Inventor： 천승현 ,  전재호 ,  정상균

    IPC: C23C16/448 ,  C23C16/22

    CPC classification number: C23C16/448 ,  C23C16/22 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4481

    Abstract: 그래핀층상의유전막을포함하는전자소자및 그래핀층상의유전막의형성방법을제공한다. 전자소자는그래핀층을포함한다. 상기그래핀층상에, 표면상에탄소를함유하는층을구비하는복수개의제1 반구형구조체들, 그리고상기제1 반구형구조체들사이에형성된제2 반구형구조체를구비하는유전막이배치된다.

    Abstract translation: 提供了一种在石墨烯层上具有电介质膜的电子器件，以及在石墨烯层上形成电介质膜的方法。 电子器件包括石墨烯层。 在石墨烯层上，电介质膜具有多个第一半球形结构，其具有在表面上含有碳的层，并且布置形成在第一半球形结构之间的第二半球形结构。

    그래핀의 제조방법
    6.
    发明授权
    그래핀의 제조방법 有权

    公开(公告)号：KR101381008B1

    公开(公告)日：2014-04-04

    申请号：KR1020120072730

    申请日：2012-07-04

    Applicant: 세종대학교산학협력단

    Inventor： 천승현 ,  김용승

    IPC: C01B31/02 ,  B01J19/12 ,  H01L21/033

    Abstract: 그래핀의 제조방법을 제공한다. 그래핀의 제조방법은 산화성 가스 플라즈마를 이용하여 기판을 전처리한 후, 탄소 소스가 포함된 공정 가스를 기판 상으로 공급하여 기판 상에 직접 그래핀을 성장시키는 방법으로 그래핀층을 형성함으로써 저온에서 촉매 없이 그래핀을 균일하게 성장시킬 수 있다. 플렉서블 기판 상에도 촉매 없이 그래핀의 직접 성장이 가능하므로, 최근 관심이 높아지고 있는 플렉서블 디스플레이 등 다양한 플렉서블 소자에 적용할 수 있다. 또한, 산화성 가스 플라즈마를 이용하여 기판을 전처리하기 이전이나 이후에, 기판 상에 마스크 패턴을 형성하고, 탄소 소스가 포함된 공정 가스를 기판 상으로 공급하여 상기 마스크에 의해 노출된 기판 표면에서만 그래핀을 성장시켜 패턴이 구비된 그래핀층을 형성함으로써 별도의 리소그래피 공정 없이 다양한 재질의 마스크를 이용하여 원-스텝(one step) 공정으로 간단하고 용이하게 패턴이 구비된 그래핀층을 형성할 수 있다.

    그래핀의 제조방법
    8.
    发明公开
    그래핀의 제조방법 有权
    制造石墨的方法

    公开(公告)号：KR1020140005470A

    公开(公告)日：2014-01-15

    申请号：KR1020120072730

    申请日：2012-07-04

    Applicant: 세종대학교산학협력단

    Inventor： 천승현 ,  김용승

    IPC: C01B31/02 ,  B01J19/12 ,  H01L21/033

    CPC classification number: C01B32/186 ,  B01J19/12 ,  C01B2204/02 ,  C01B2204/04 ,  H01L21/033

    Abstract: The present invention relates to a manufacturing method for graphene. The manufacturing method for graphene is able to uniformly grow graphene at low temperatures without a catalyst by forming a graphene layer with a method which directly grows graphene on a substrate by supplying process gas containing carbon sources to the substrate after preprocessing the substrate by oxidative gas plasma. The manufacturing method is able to directly grow graphene on a flexible substrate without a catalyst, thereby being able to be applied to various flexible devices such as a flexible display recently receiving attention. The manufacturing method for graphene forms a mask pattern on a substrate after or before preprocessing the substrate by using oxidative gas plasma, grows graphene on the surface of the substrate exposed due to the mask by supplying process gas containing carbon sources to the substrate, and forms a graphene layer equipped with the pattern, thereby being able to easily and simply form the graphene layer equipped with the pattern by using a mask made of various materials with one step process without an additional lithographic process. [Reference numerals] (AA) Oxidative gas plasma

    Abstract translation: 本发明涉及石墨烯的制造方法。 石墨烯的制造方法能够在没有催化剂的情况下在低温下均匀地生长石墨烯，通过在通过氧化气体等离子体预处理基板之后，通过向衬底提供含有碳源的工艺气体直接生长石墨烯的方法，从而在基板上直接生长石墨烯 。 该制造方法能够在没有催化剂的情况下在柔性基板上直接生长石墨烯，从而能够应用于近来受到关注的柔性显示器等各种柔性装置。 石墨烯的制造方法在通过使用氧化气体等离子体对基板进行预处理之后或之后在基板上形成掩模图案，通过向基板供给含有碳源的工艺气体，在由于掩模暴露的基板的表面上生成石墨烯，并形成 具有图案的石墨烯层，从而能够通过使用由各种材料制成的掩模，通过一步加工而不需要附加的光刻工艺，容易且简单地形成配备有图案的石墨烯层。 （附图标记）（AA）氧化气体等离子体

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