公开(公告)号：KR1020140090333A

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：KR1020130001595

申请日：2013-01-07

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  세종대학교산학협력단

Inventor： 윤의준 ,  여환국 ,  주기수 ,  천승현 ,  김용승 ,  정상균

IPC: H01L33/36

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0008

Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a device after a large graphene electrode grown without a catalyst is directly grown on a compound semiconductor layer made of GaN or mixed nitride of Ga and another metal. In the present invention, a graphene grown with PECVD without the catalyst at relatively low temperatures, which is able to be applied to a nitride semiconductor, is formed. According to the present invention, a graphene with a uniform property is easily grown on a large substrate of 2 inches or more as a transfer method is not required, unlike a graphene grown with a catalyst. Also, the performance of the device is easily maximized by applying various pre-processes to a graphene-combined nitride semiconductor substrate, by not distinguishing the substrate.

Abstract translation: 本发明涉及一种在没有催化剂生长的大型石墨烯电极直接生长在由GaN或其它金属的混合氮化物构成的化合物半导体层上的器件制造方法。 在本发明中，形成能够施加到氮化物半导体上的在相对较低温度下没有催化剂的PECVD生长的石墨烯。 根据本发明，与催化剂生长的石墨烯不同，具有均匀性质的石墨烯容易在不需要转印方法的2英寸以上的大基材上生长。 此外，通过将石墨烯组合的氮化物半导体衬底的各种预处理通过不区分衬底来容易地最大化器件的性能。

公开(公告)号：KR102000974B1

公开(公告)日：2019-07-17

申请号：KR1020170172455

申请日：2017-12-14

Applicant: 세종대학교산학협력단

Inventor： 천승현 ,  산집로이 ,  정상균

IPC: C25B11/04 ,  C25B1/04 ,  C23C16/02 ,  C23C16/26 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06

公开(公告)号：KR101653463B1

公开(公告)日：2016-09-02

申请号：KR1020140177354

申请日：2014-12-10

Applicant: 세종대학교산학협력단

Inventor： 천승현 ,  전재호 ,  정상균

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/22

Abstract: 그래핀층상의유전막을포함하는전자소자및 그래핀층상의유전막의형성방법을제공한다. 전자소자는그래핀층을포함한다. 상기그래핀층상에, 표면상에탄소를함유하는층을구비하는복수개의제1 반구형구조체들, 그리고상기제1 반구형구조체들사이에형성된제2 반구형구조체를구비하는유전막이배치된다.

公开(公告)号：KR102080501B1

公开(公告)日：2020-02-24

申请号：KR1020180064458

申请日：2018-06-04

Applicant: 세종대학교산학협력단

Inventor： 천승현 ,  정상균

IPC: C01B32/182 ,  A61K47/02

公开(公告)号：KR1020150068325A

公开(公告)日：2015-06-19

申请号：KR1020140177354

申请日：2014-12-10

Applicant: 세종대학교산학협력단

Inventor： 천승현 ,  전재호 ,  정상균

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/22

CPC classification number: C23C16/448 ,  C23C16/22 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4481

Abstract: 그래핀층상의유전막을포함하는전자소자및 그래핀층상의유전막의형성방법을제공한다. 전자소자는그래핀층을포함한다. 상기그래핀층상에, 표면상에탄소를함유하는층을구비하는복수개의제1 반구형구조체들, 그리고상기제1 반구형구조체들사이에형성된제2 반구형구조체를구비하는유전막이배치된다.

Abstract translation: 提供了一种在石墨烯层上具有电介质膜的电子器件，以及在石墨烯层上形成电介质膜的方法。 电子器件包括石墨烯层。 在石墨烯层上，电介质膜具有多个第一半球形结构，其具有在表面上含有碳的层，并且布置形成在第一半球形结构之间的第二半球形结构。