公开(公告)号：KR101529788B1

公开(公告)日：2015-06-29

申请号：KR1020130152849

申请日：2013-12-10

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김태성 ,  안치성 ,  이창구 ,  김형우 ,  이진환 ,  그리쉬아라베일

IPC: C23C28/00 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C14/542 ,  C01B17/20 ,  C01B19/007 ,  C01G1/12 ,  C01G39/06 ,  C01P2004/24 ,  C23C14/14 ,  C23C14/5866

Abstract: 본발명은금속칼코게나이드박막및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른금속칼코게나이드박막의제조방법은기판상에금속층을형성하는금속층형성단계; 저온기상증착용챔버내에상기기판을투입하고, 상기챔버내에서칼코겐원자-함유기체와아르곤가스를주입한후, 플라스마를발생시켜상기플라스마에의해분해된칼코겐원자가상기금속층을구성하는금속원자와화학적으로결합되어금속칼코게나이드박막으로형성되도록하는금속칼코게나이드박막형성단계;를포함하는것을특징으로한다. 이에의하여, 저온기상증착방법(PECVD)을이용하여해당기판에 in-situ방식으로플라스틱등의낮은용융점을가지는기판에직접금속칼코게나이드박막을형성할수 있고, 이를통해별도의건조공정이불필요하고, 별도의전사공정을거치지않아도박막형성이가능하여전기적/물리적특성을극대화하고, 높은균일도와신뢰도를담보할수 있는금속칼코게나이드박막및 그제조방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种硫族化物金属薄膜及其制造方法。 制造硫族化物金属薄膜的方法包括：在基板上形成金属层的金属层形成步骤; 以及硫化物金属薄膜形成工序，在低温蒸镀室内输入基板，在室内注入含硫属原子的气体和氩气，然后产生等离子体，并化学地将由等离子体分解的硫属原子与 构成要形成的金属层的金属原子作为硫族化物金属薄膜。 因此，提供了硫族化物金属薄膜及其制造方法，通过该硫化物金属薄膜可以将硫族化物金属薄膜直接在相应的基板上以原位形式在塑料或线路的熔点低的基板上形成， 使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法，通过该方法不需要单独的干燥过程，并且可以不经过单独的转移过程而形成薄膜，以使电/物理特征最大化，并且具有高均匀性和可靠性 可以安全。