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公开(公告)号：KR1020120082640A
公开(公告)日：2012-07-24
申请号：KR1020110004040
申请日：2011-01-14
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H05H1/34 , H05H1/46 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32541 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H01J37/32568 , H01J2237/3321 , H05H1/46 , H05H2001/4645
Abstract: 본발명의일 측면에따른플라즈마기판처리장치는, 상기기판이수납되는챔버; 상기챔버의상부및 하부에서로나란하게각각배치된상부전극및 하부전극을포함하는주 전극; 상기주 전극사이에위치한가상의수평면을따라서서로나란하게배치된일자막대형상의제1 전극및 제2 전극을포함하는보조전극; 및상기주 전극및 상기보조전극에각각연결되어전력을공급하는주 전원및 보조전원을포함하는전력공급부를포함하고, 상기제1 전극과상기제2 전극사이의간격은상기기판의너비와같거나길게구비되고, 상기제1 전극및 상기제2 전극은상기하부전극보다상기상부전극과가까운위치에구비되며, 상기보조전원은상기주 전원에서공급되는전력의주파수보다높은극초단파영역주파수(UHF)의전력을공급한다.
Abstract translation: 目的：提供一种使用等离子体处理衬底的装置及其方法，以通过向主电极和辅助电极供电来提高等离子体产生密度。 构成：主电极（110）包括形成在室（10）的内上部的上电极（111）和形成在室的内下部的底电极（113）。 上电极和下电极产生等离子体产生的电动势。 上电极和下电极从电源单元（150）接收电力。 主电源包括连接到上电极的第一主电源（151a）和连接到底电极的第二主电源（151b）。 流体供应单元（170）在室内供应用于产生等离子体的流体。 辅助电极（130）包括第一电极（131）和第二电极（133）。
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公开(公告)号：KR1020110090264A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：KR1020100009953
申请日：2010-02-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32568 , C23C16/509 , H01L31/1824
Abstract: PURPOSE: A plasma board processing unit and a method for evaporating a thin film are provided to multiply thin film evaporating velocity by multiplying plasma-generating density by supplying the power to a main electrode unit and a sub electrode unit, thereby improving the quality of a plasma board processing. CONSTITUTION: The fluid for plasma-generating is inserted in a chamber(140) and the chamber stores a substrate. A main electrode unit comprises one and more electrodes which is vertically arranged to be faced each other within the chamber. A sub electrode unit comprises one and more electrodes which is horizontally arranged to be faced each other within the chamber. A power supply unit supplies the power to the main electrode unit and the sub electrode unit.
Abstract translation: 目的：提供一种等离子体板处理单元和蒸发薄膜的方法，通过将电源供给主电极单元和副电极单元来乘以等离子体产生密度来乘以薄膜蒸发速度，从而提高薄膜蒸发速度 等离子体板加工。 构成：用于等离子体产生的流体插入室（140）中，并且室存储基板。 主电极单元包括一个和多个垂直布置成在腔室内彼此面对的电极。 子电极单元包括一个和多个水平布置成在腔室内彼此面对的电极。 电源单元向主电极单元和副电极单元供电。
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公开(公告)号：KR101529578B1
公开(公告)日：2015-06-19
申请号：KR1020110004040
申请日：2011-01-14
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H05H1/34 , H05H1/46 , H01L21/205
Abstract: 본발명의일 측면에따른플라즈마기판처리장치는, 상기기판이수납되는챔버; 상기챔버의상부및 하부에서로나란하게각각배치된상부전극및 하부전극을포함하는주 전극; 상기주 전극사이에위치한가상의수평면을따라서서로나란하게배치된일자막대형상의제1 전극및 제2 전극을포함하는보조전극; 및상기주 전극및 상기보조전극에각각연결되어전력을공급하는주 전원및 보조전원을포함하는전력공급부를포함하고, 상기제1 전극과상기제2 전극사이의간격은상기기판의너비와같거나길게구비되고, 상기제1 전극및 상기제2 전극은상기하부전극보다상기상부전극과가까운위치에구비되며, 상기보조전원은상기주 전원에서공급되는전력의주파수보다높은극초단파영역주파수(UHF)의전력을공급한다.
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公开(公告)号：KR101105420B1
公开(公告)日：2012-01-17
申请号：KR1020100009953
申请日：2010-02-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/205
Abstract: 기판이 수납된 챔버 내에 상호 수직 대향 배치된 적어도 두 개의 주 전극을 포함하는 주 전극부에 공급되는 제 1 전력 및 챔버 내에 상호 수평 대향 배치된 적어도 두 개의 보조 전극을 포함하는 보조 전극부에 공급되는 제 2 전력을 설정하고, 챔버 내에 유체를 주입하고, 주 전극부 및 보조 전극부에 제 1 전력 및 제 2 전력을 공급함으로써, 결정질 실리콘 박막 증착 속도를 높일 수 있는 플라즈마 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.
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