公开(公告)号：KR101529821B1

公开(公告)日：2015-06-29

申请号：KR1020140041935

申请日：2014-04-08

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  전민환 ,  김회준 ,  양경채

IPC: H01L21/3065 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16 ,  H01L21/32136

Abstract: 반응성이온빔펄스를이용하는 MRAM 물질식각방법이개시된다. 본발명에따른 MRAM 물질식각방법은, 플라즈마를발생시키는상부챔버, 상기상부챔버하부에구비되며제1 내지제3 그리드를포함하는그리드부및 상기그리드부하부에구비되며기판이놓여지는하부챔버를포함하는식각장치를이용하며, 상기상부챔버에서발생된플라즈마에포함된반응성가스를 MRAM 기판표면에흡착시키는흡착단계및 상기반응성가스가흡착된피식각층과제1 서브층과의결합에너지보다크고상기제1 서브층과제2 서브층과의결합에너지보다작은에너지를갖도록가속된반응성이온빔을상기피식각층표면에조사하여상기피식각층을탈착시키는탈착단계를포함한다.

Abstract translation: 公开了使用反应离子束脉冲来蚀刻MRAM材料的方法。 根据本发明的用于蚀刻MRAM材料的方法包括通过使用包括用于产生等离子体的上室的蚀刻装置将包括在上室中产生的等离子体的反应气体吸附到MRAM基板的表面的吸附步骤， 包括的栅格部分形成在上部室的下部，并且包括第一至第三栅极，以及形成在栅格部分的下部并允许衬底放置的下室，并且分离 通过将加速的反应离子束照射到目标蚀刻层的表面来分离目标蚀刻层的步骤，以获得比第一子层和被反应性气体吸附的目标蚀刻层的组合能量高的能量，并且更低 比第一子层和第二子层的组合能量。

公开(公告)号：KR101382607B1

公开(公告)日：2014-04-07

申请号：KR1020120119378

申请日：2012-10-26

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  전민환 ,  김경남 ,  김회준

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/67069

Abstract: Disclosed is etching equipment for a nanodevice. The etching equipment for a nanodevice comprises a main body part which includes an etching object material and etches the etching object material by using plasma which is generated by a pulse signal applied to a multi-electrode; a source power which applies each pulse signal with a different frequency to each multi-electrode; a bias power which applies the pulse signal to the etching object material; and a main control part which controls a clock signal applied to the bias power and the source power, and synchronizes the pulse signal applied to each multi-electrode with the pulse signal applied to a nanodevice substrate. [Reference numerals] (114) Gas; (120) Source power; (130) Bias power; (140) Main control part; (AA) Plasma

Abstract translation: 公开了一种纳米器件的蚀刻设备。 用于纳米器件的蚀刻设备包括：主体部分，其包括蚀刻对象材料，并且通过使用由施加到多电极的脉冲信号产生的等离子体蚀刻蚀刻对象材料; 源功率，其将每个具有不同频率的脉冲信号施加到每个多电极; 将脉冲信号施加到蚀刻对象材料的偏置功率; 以及主控制部分，其控制施加到偏置功率和源功率的时钟信号，并且将施加到每个多电极的脉冲信号与施加到纳米装置基板的脉冲信号同步。 （114）气体; （120）源功率; （130）偏压; （140）主控部分; （AA）等离子体

公开(公告)号：KR1020170130784A

公开(公告)日：2017-11-29

申请号：KR1020160061422

申请日：2016-05-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 정성준 ,  김형섭 ,  김윤석 ,  박성준 ,  김회준 ,  박성재 ,  설대희 ,  양재현

IPC: H01L29/16 ,  C01B31/04 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L29/772

Abstract: 그래핀층이형성되는기판을점착력(adhesion force)이큰 물질을사용하여, 그래핀층상에형성되는유전체층을균일하게형성할수 있는그래핀기판과그 제조방법및 그래핀기판을포함하는트랜지스터가개시된다. 개시된그래핀기판은 0.08nN/nm 이상의점착력(adhesion force)을갖는기판, 상기기판에구비된그래핀층및 상기그래핀층에구비된유전체층;을포함하며, 상기기판의점착력은실리콘팁(Si tip)을이용하여측정된다.

Abstract translation: 包括其上形成有石墨烯层的基板的石墨烯基板的晶体管可以由使用具有粘附力的材料在石墨烯层上形成的介电层均匀地形成，其制造方法和石墨烯基板。 所公开的石墨烯衬底包括具有0.08nN / nm或更大的粘附力的衬底，设置在衬底上的石墨烯层和设置在石墨烯层上的介电层， 它是通过使用所测量的。

公开(公告)号：KR1020140053472A

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：KR1020120119405

申请日：2012-10-26

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  전민환 ,  김경남 ,  김회준 ,  김태형

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32568 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32715 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4645

Abstract: Disclosed is a plasma generator. The plasma generator includes a main body for generating plasma through a pulse signal applied to a multi-electrode; a source power for applying pulse signals having mutually different frequencies to the multi-electrode; and a main control unit for adjusting a clock signal applied to the source power to synchronize the pulse signals applied to the multi-electrode so that the main control unit controls properties of the plasma by controlling the pulse signals to the source power.

Abstract translation: 公开了一种等离子体发生器。 等离子体发生器包括通过施加到多电极的脉冲信号产生等离子体的主体; 用于将具有相互不同频率的脉冲信号施加到所述多电极的源极功率; 以及主控制单元，用于调节施加到源功率的时钟信号，以使施加到多电极的脉冲信号同步，使得主控制单元通过将脉冲信号控制为源功率来控制等离子体的属性。

公开(公告)号：KR101463109B1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：KR1020120119405

申请日：2012-10-26

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  전민환 ,  김경남 ,  김회준 ,  김태형

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

Abstract: 플라스마 발생 장치가 개시되며, 상기 플라스마 발생 장치는 멀티전극에 인가되는 펄스 신호를 통해 플라스마를 발생시키는 본체부; 상기 멀티전극에 각각 서로 상이한 주파수를 가지는 펄스 신호를 인가하는 소스 파워; 상기 소스 파워에 인가되는 클럭 신호를 조절하여 상기 멀티전극에 각각 인가되는 펄스 신호를 서로 동기화시키는 주 제어부를 포함하되, 상기 주 제어부는 상기 소스 파워에 인가되는 펄스 신호를 제어하여 상기 플라스마의 특성을 조절한다.